面接觸式二極管：面接觸式PN結二極管是由一塊半導體晶體制成的。不同的摻雜工藝可以使同一個半導體（如本征硅）的一端成為一個包含負極性載流子（電子）的區(qū)域，稱作N型半導體,；另一端成為一個包含正極性載流子（空穴）的區(qū)域,，稱作P型半導體。兩種材料在一起時,，電子會從N型一側流向P型一側,。這一區(qū)域電子和電洞相互抵銷，造成中間區(qū)域載流子不足,，形成“空乏層”,。在空乏層內部存在“內電場”：N型側帶正電，P型側帶負電,。兩塊區(qū)域的交界處為PN結,，晶體允許電子（外部來看）從N型半導體一端，流向P型半導體一端,，但是不能反向流動,。二極管開路和短路時，都不能完成檢波任務,，所以收音電路均會出現(xiàn)收音無聲故障,。蘇州整流二極管

光電二極管特性可以用一個等效電路模型表示，該模型由一個理想的二極管一個電流源和其他寄生的電阻電容構成,。其中電流源表示了光電二極管產(chǎn)生的光電流信號,，理想二極管表示了P-N結，體現(xiàn)了光電二極管正向偏壓狀態(tài)時的電壓條件,。旁路電阻R表示了光電二極管的伏安特性曲線中的斜率,，即偏壓為零時的結電阻。對理想的光電二極管來說,，旁路電阻是無窮大的,，但實際應用中旁路電阻阻值的變化為10- 1000M。旁路電阻影響了光電二極管的暗電流噪聲，光電二極管的性能越好,，其旁路電阻越大,。串聯(lián)電阻R是由接觸電阻和未耗盡的體電阻構成，大小與光電二極管的尺寸,、偏壓有關,；結間電容C表示了光電二極管P-N結的電荷存儲能力，與二極管面積和反向電壓有關,。上海半導體二極管現(xiàn)貨二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性,。

固態(tài)二極管1874年，德國物理學家卡爾·布勞恩發(fā)現(xiàn)了晶體的“單向傳導”的能力,，并在1899年將晶體整流器申請了,。氧化亞銅和硒整流器則是在1930年代為了供電應用而發(fā)明的。印度人賈格迪什·錢德拉·博斯在1894年成為了個使用晶體檢測無線電波的科學家,。他也在厘米和毫米級別對微波進行了研究,。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（Greenleaf Whittier Pickard）發(fā)明了硅晶檢波器,，并在1906年11月20日注冊了,。也正是因為格林里夫，使得晶體檢波器發(fā)展成了可實用于無線電報的裝置,。其他實驗者嘗試了多種其他物質,，其中普遍使用的是礦物方鉛礦（硫化鉛），因它價格便宜且容易獲取,。在這些早期的晶體收音機集的晶體檢波器包括一個可調節(jié)導線的點接觸設備（即所謂的“貓須”）,。可以通過手動調節(jié)晶體表面上的導線,，以獲得的信號,。

二極管的正向特性:外加正向電壓時，在正向特性的起始部分,，正向電壓很小,，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零,，這一段稱為死區(qū),。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。 當正向電壓大于死區(qū)電壓以后,，PN結內電場被克服,，二極管正向導通,，電流隨電壓增大而迅速上升,。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變,，這個電壓稱為二極管的正向電壓,。 當二極管兩端的正向電壓超過一定數(shù)值 ,，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長,，二極管正向導通,。 叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為0.5V,，鍺管約為0.1V,。硅二極管的正向導通壓降約為0.6~0.8V，鍺二極管的正向導通壓降約為0.2~0.3V,。面接觸型二極管的PN結接觸面積大,，可以通過較大的電流，也能承受較高的反向電壓,。

二極管在工業(yè)產(chǎn)品應用:經(jīng)過多年來科學家們不懈努力,，半導體二極管發(fā)光的應用已逐步得到推廣，發(fā)光二極管普遍應用于各種電子產(chǎn)品的指示燈,、光纖通信用光源,、各種儀表的指示器以及照明。發(fā)光二極管的很多特性是普通發(fā)光器件所無法比擬的,，主要具有特點有：安全,、高效率、環(huán)保,、壽命長,、響應快、體積小,、結構牢固,。因此，發(fā)光二極管是一種符合綠色照明要求的光源,。發(fā)光二極管在很多領域得到普遍應用,。發(fā)光二極管在電子用品中一般用作屏背光源或作顯示、照明應用,。從大型的液晶電視,、電腦顯示屏到媒體播放器MP3、MP4以及手機等的顯示屏都將發(fā)光二極管用作屏背光源,。二極管P型半導體是在本征半導體摻入少量三價元素雜質,，如硼等。珠海恒流二極管原理

紅外發(fā)光二極管是一種能發(fā)出紅外線的二極管,。蘇州整流二極管

二極管種類：PN結二極管（PN Diode）施加順向偏壓,，利用半導體中PN接合的整流性質，是基本的半導體二極管，常見應用于整流方面以及與電感并聯(lián)保護其他元件用,。細節(jié)請參照PN接面的條目,。蕭特基二極管利用金屬和半導體二者的接合面的'蕭特基效應'的整流作用。由于順向的切入電壓較低,，導通回復時間也短,，適合用于高頻率的整流。一般而言漏電流較多,，突波耐受度較低,。也有針對此缺點做改善的品種推出。穩(wěn)壓二極管（Reference Diode）（常用稱法：齊納二極管）施加逆向偏壓,，超過特定電壓時發(fā)生的反向擊穿電壓隨反向電流變化很小,，具有一定的電壓穩(wěn)定能力。利用此性質做成的元件被用于電壓基準,。借由摻雜物的種類,、濃度，決定擊穿電壓（破壞電壓）,。其順向偏壓與一般的二極管相同,。蘇州整流二極管

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