場效應(yīng)管電阻法測好壞:測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極,、柵極與漏極,、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔,，測量源極S與漏極D之間的電阻,，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管,，其電阻值是各不相同的）,，如果測得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良,；如果測得阻值是無窮大,，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔,，再測柵極G1與G2之間,、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值,，當(dāng)測得其各項電阻值均為無窮大,，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路,，則說明管是壞的,。要注意，若兩個柵極在管內(nèi)斷極,，可用元件代換法進行檢測,。場效應(yīng)管是電壓控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低,。廣東氮化鎵場效應(yīng)管原理

場效應(yīng)管是電壓控制元件,，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,，應(yīng)選用場效應(yīng)管,；而在信號電壓較低,，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管,。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是既有多數(shù)載流子,，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,，被稱之為雙極型器件,。有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,，柵壓也可正可負，靈活性比三極管好,。場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,。杭州V型槽場效應(yīng)管特點場效應(yīng)管輸入結(jié)電容小（反饋電容）,，輸出端負載的變化對輸入端影響小,。

場效應(yīng)管的歷史:場效應(yīng)晶體管的點項由朱利葉斯·埃德加·利林費爾德于1926年以及奧斯卡·海爾于1934年分別提出,。在此17年的權(quán)限期結(jié)束后不久，威廉姆·肖克利的團隊于1947年在貝爾實驗室觀察到晶體管效應(yīng)并闡釋了機理,。隨后，在20世紀80年代,，半導(dǎo)體器件(即結(jié)型場效應(yīng)晶體管)才逐漸發(fā)展起來,。1950年，日本工程師西澤潤一和渡邊發(fā)明了點種結(jié)型場效應(yīng)管——靜電感應(yīng)晶體管 (SIT),。靜電感應(yīng)晶體管是一種短溝道結(jié)型場效應(yīng)管,。1959年，由圣虎達溫·卡恩和馬丁·阿塔拉發(fā)明的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)在很大程度上取代了結(jié)型場效應(yīng)管,，并對數(shù)字電子發(fā)展產(chǎn)生了深遠的影響,。

場效應(yīng)管大功率如何使用：為了防止場效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,要求一切測試儀器、工作臺,、電烙鐵,、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時,先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時,應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等。在安裝場效應(yīng)管時,注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件;為了防管件振動,有必要將管殼體緊固起來;管腳引線在彎曲時,應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進行,以防止彎斷管腳和引起漏氣等.增強型場效應(yīng)管特點:當(dāng)Vgs=0時Id(漏極電流)=0,。

場效應(yīng)管判斷跨導(dǎo)的大小:測反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小.對VMOSV溝道增強型場效應(yīng)管測量跨導(dǎo)性能時,，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D,，這就相當(dāng)于在源,、漏極之間加了一個反向電壓。此時柵極是開路的,，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的,。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔,，此時表內(nèi)電壓較高。當(dāng)用手接觸柵極G時，會發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化,，其變化越大,，說明管的跨導(dǎo)值越高,；如果被測管的跨導(dǎo)很小,，用此法測時,，反向阻值變化不大。場效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量,，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量,。珠海全自動場效應(yīng)管命名

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。廣東氮化鎵場效應(yīng)管原理

場效應(yīng)管介紹：場效應(yīng)晶體管（縮寫FET）簡稱場效應(yīng)管,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管。屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（10^8~10^9Ω）,、噪聲小、功耗低,、動態(tài)范圍大,、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,。場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏極電流）,；場效應(yīng)管的輸入端電流極小,，因此它的輸入電阻很大,。它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，因此它的溫度穩(wěn)定性較好,；它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù),；由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲相對會比較低,。廣東氮化鎵場效應(yīng)管原理

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