場效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較場效應(yīng)管是電壓控制器件,,柵極基本不取電流,,而晶體管是電流控制器件,基極必須取一定的電流,。因此,,在信號源額定電流極小的情況,,應(yīng)選用場效應(yīng)管。場效應(yīng)管是多子導(dǎo)電,,而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電,。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感,,因此,,對于環(huán)境變化較大的場合,,采用場效應(yīng)管比較合適。場效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外,,還可作壓控可變線性電阻使用,。場效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對稱的,可以互換使用,,耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù),。因此,使用場效應(yīng)管比晶體管靈活,。場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高。臺州半導(dǎo)體場效應(yīng)管原理
場效應(yīng)管傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵極,、源極和漏極較大致處于同一水平面的芯片上,,其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同,,其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):點(diǎn),,金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu);具有垂直導(dǎo)電性,。由于漏極是從芯片的背面引出,,所以ID不是沿芯片水平流動,而是自重?fù)诫sN+區(qū)(源極S)出發(fā),,經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),,垂直向下到達(dá)漏極D。因?yàn)榱魍ń孛娣e增大,,所以能通過大電流,。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應(yīng)管,。杭州加強(qiáng)型場效應(yīng)管用途場效應(yīng)管布局走線合理,,整機(jī)穩(wěn)定性高,信噪比佳,,音樂細(xì)節(jié)有很好表現(xiàn) ,。
場效應(yīng)管的測試判定估測場效應(yīng)管的放大能力: 將萬用表撥到R×100檔,紅表筆接源極S,,黑表筆接漏極D,,相當(dāng)于給場效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時表針指示出的是D-S極間電阻值,。然后用手指捏柵極G,,將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用,,UDS和ID都將發(fā)生變化,,也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化,,可觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極時表針擺動很小,,說明管子的放大能力較弱,;若表針不動,說明管子已經(jīng)損壞,。
場效應(yīng)管的參數(shù):場效應(yīng)管的參數(shù)很多,,包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),,但一般使用時關(guān)注以下主要參數(shù):1,、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,,柵極電壓U GS=0時的漏源電流,。 2,、UP — 夾斷電壓,。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓,?!?,、UT — 開啟電壓,。是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓,。4,、gM — 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓U GS — 對漏極電流I D的控制能力,,即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值,。gM 是衡量場效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。場效應(yīng)管在源極金屬與襯底連在一起時,,源極和漏極可以互換使用,。
用感應(yīng)信號輸人法估測場效應(yīng)管的放大能力具體方法:用萬用表電阻的R×100檔,紅表筆接源極S,,黑表筆接漏極D,,給場效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓,此時表針指示出的漏源極間的電阻值,。然后用手捏住結(jié)型場效應(yīng)管的柵極G,,將人體的感應(yīng)電壓信號加到柵極上。這樣,,由于管的放大作用,,漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化,,也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化,由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動,。如果手捏柵極表針擺動較小,,說明管的放大能力較差;表針擺動較大,,表明管的放大能力大,;若表針不動,說明管是壞的,。場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。常用場效應(yīng)管參數(shù)
場效應(yīng)管具有噪聲小,、功耗低,、動態(tài)范圍大、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象,。臺州半導(dǎo)體場效應(yīng)管原理
場效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號源取較少電流的情況下,,應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號電壓較低,,又允許從信號源取較多電流的條件下,,應(yīng)選用晶體管。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,,所以稱之為單極型器件,,而晶體管是既有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,,被稱之為雙極型器件,。有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),,靈活性比三極管好,。場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,,因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用,。臺州半導(dǎo)體場效應(yīng)管原理
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