第三實(shí)施例接下來(lái)，將描述第三實(shí)施例,。圖9是示出根據(jù)第三實(shí)施例的微控制器300的示例性配置的框圖,。微控制器300與根據(jù)第二實(shí)施例的微控制器200的不同之處在于,，控制器150被替換為控制器160，并且添加了診斷部分170,。在下文中,，將描述與第二實(shí)施例的不同點(diǎn)，并且將省略對(duì)與第二實(shí)施例相同的點(diǎn)的描述,?？刂破?60與控制器150的不同之處在于，除了控制器150的控制功能之外,，控制器160還具有用于診斷溫度傳感器120的控制功能,。下面，將描述用于診斷溫度傳感器120的控制器160的控制功能,。在診斷部分170執(zhí)行診斷操作的同時(shí),，控制器160控制消耗功率的功耗電路的數(shù)目(即，操作的功耗電路130的數(shù)目),。具體地,，在診斷部分170隨著功耗電路130的數(shù)目的變化而執(zhí)行診斷操作的同時(shí)，控制器160設(shè)置消耗功率一次或多次的功耗電路130的數(shù)目,。例如,，控制器160具有要操作的一個(gè)功耗電路130和在預(yù)定的等待時(shí)間過(guò)去之后要操作的兩個(gè)功耗電路130。在本實(shí)施例中,，控制器160在每個(gè)預(yù)定等待時(shí)間由診斷部分170執(zhí)行診斷的同時(shí)改變數(shù)目以增加要操作的功耗電路130的數(shù)目,。具體地，當(dāng)診斷部分170執(zhí)行診斷操作時(shí),，控制器160首先將要操作的功耗電路130設(shè)置為0,，然后將要操作的功耗電路130設(shè)置為1。此后,。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可控,范圍從絕緣體到導(dǎo)體之間的材料,。湖南產(chǎn)品半導(dǎo)體器件設(shè)備管理

    以相同的方式，控制器160逐個(gè)遞增要操作的功耗電路130的數(shù)目,?？刂破?60的數(shù)目可以增加n(n是等于或大于2的整數(shù)),，而不是逐個(gè)增加。此外,，在本實(shí)施例中,，控制器160在診斷部分170診斷的同時(shí)逐漸增加要操作的功耗電路130的數(shù)目，但不一定需要改變以增加數(shù)目,。例如，控制器160可以在預(yù)定的等待時(shí)間改變數(shù)目以減少要操作的功耗電路130的數(shù)目,。然而,，推薦地，將要操作的功耗電路130的數(shù)目改變?yōu)樵黾拥臄?shù)目,。這是因?yàn)?，取決于環(huán)境溫度，如果操作所有功耗電路130,，則結(jié)溫可能超過(guò)保證微控制器200的操作的溫度的上限,。因此，如稍后所述,，只要結(jié)溫不超過(guò)操作保證的溫度范圍的上限,，要操作的功耗電路130的數(shù)目改變?yōu)樵黾樱⑶耶?dāng)數(shù)目超過(guò)上限時(shí),，溫度傳感器120的診斷操作可以通過(guò)中止診斷來(lái)在操作保證的溫度范圍內(nèi)執(zhí)行,。診斷部分170基于溫度傳感器120的輸出來(lái)診斷溫度傳感器120是否異常。因此,，例如,，如果沒(méi)有來(lái)自溫度傳感器120可用的測(cè)量結(jié)果，則診斷部分170可以檢測(cè)溫度傳感器120中的異常,。當(dāng)從溫度傳感器120獲取測(cè)量結(jié)果時(shí),，診斷部分170如下診斷溫度傳感器120是否存在異常。也就是說(shuō),。黑龍江工程半導(dǎo)體器件設(shè)備品牌排行榜設(shè)備功能:通過(guò)探針與半導(dǎo)體器件的pad接觸,進(jìn)行電學(xué)測(cè)試,檢測(cè)半導(dǎo)體的性能指標(biāo)是否符合設(shè)計(jì)性能要求,。

    圖12是示出根據(jù)第四實(shí)施例的微控制器400的示例性配置的框圖。微控制器400與根據(jù)第三實(shí)施例的微控制器300的不同之處在于,，增加了電流變化控制電路180,。在以下描述中，將描述與第三實(shí)施例的不同點(diǎn),，并且將省略對(duì)與第三實(shí)施例相同的點(diǎn)的描述,。電流變化控制電路180控制功耗電路130消耗預(yù)定功率，同時(shí)暫時(shí)停止邏輯塊110中包括的電路的操作,。由于邏輯塊110中的暫時(shí)停止導(dǎo)致的電流的明顯減小可能導(dǎo)致電源電壓的變化,。例如,，如果由于流水線停頓而暫時(shí)停止執(zhí)行邏輯塊110中的cpu的操作的指令，則在該時(shí)間期間電流量急劇減少,，結(jié)果，電源電壓波動(dòng),。因此,，電流變化控制電路180通過(guò)引起負(fù)載電流流過(guò)功耗電路130來(lái)抑制微控制器400中的負(fù)載電流的變化，例如,，在邏輯塊110的操作停止時(shí),。結(jié)果，電流變化控制電路180抑制電源電壓的變化,。也就是說(shuō),，在本實(shí)施例中，耗電路130用于強(qiáng)制升高結(jié)溫,，并且用于抑制邏輯塊110消耗的功率的變化,。在本實(shí)施例中，如在第二實(shí)施例中,，控制器160在微控制器400被開(kāi)啟時(shí)控制功耗電路130,。當(dāng)結(jié)溫達(dá)到邏輯塊110的下限溫度并且邏輯塊110開(kāi)始操作時(shí)，在電流變化控制電路180的控制下控制功耗電路130接通和斷開(kāi),。在啟動(dòng)時(shí),。

    具體實(shí)施方式為了清楚地解釋?zhuān)m當(dāng)?shù)厥÷院秃?jiǎn)化以下描述和附圖。在附圖中,，相同的元素由相同的附圖標(biāo)記表示,，并且適當(dāng)?shù)厥÷云渲貜?fù)描述。率先實(shí)施例圖1是示出根據(jù)率先實(shí)施例的微控制器100的示例性配置的框圖,。在本實(shí)施例和稍后描述的實(shí)施例中,，給出了微控制器作為半導(dǎo)體器件的示例，但是不用說(shuō),，根據(jù)本公開(kāi)的技術(shù)可以用于除了微控制器之外的半導(dǎo)體器件,。如圖1所示，微控制器100包括邏輯塊110,、溫度傳感器120,、功耗電路130和控制器140。這里,，溫度傳感器120,、功耗電路130和控制器140能夠正常操作的溫度范圍的下限(下文中稱(chēng)為下限溫度)低于邏輯塊110的下限溫度。即,，當(dāng)溫度傳感器120,、功耗電路130和控制器140的三個(gè)下限溫度的比較高值為t并且邏輯塊110的下限溫度為tlb時(shí),，滿(mǎn)足t通常，微控制器100的結(jié)溫tj等于或大于微控制器的環(huán)境溫度ta,。當(dāng)邏輯塊110不操作時(shí),，結(jié)溫tj近似等于環(huán)境溫度ta，因?yàn)闆](méi)有從邏輯塊110產(chǎn)生熱量,。當(dāng)微控制器100的邏輯塊110操作時(shí),，響應(yīng)于由于邏輯塊110中的熱量產(chǎn)生而產(chǎn)生的熱量，結(jié)溫tj變?yōu)楦哂诃h(huán)境溫度ta,。因此,，當(dāng)不使用本公開(kāi)的技術(shù)時(shí)，保證微控制器100的正常操作的環(huán)境溫度ta的下限是tlb,。然而,，使用所公開(kāi)的技術(shù)。半導(dǎo)體器件通常包括工作結(jié)構(gòu)和對(duì)工作結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)的保護(hù)結(jié)構(gòu),，如金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,。

    不需要功耗電路130升高結(jié)溫的溫度區(qū)域被示出為溫度區(qū)域s2。在溫度區(qū)域s1中,，耗電路130接通,，并且驅(qū)動(dòng)電流iload流過(guò)功耗電路130(參見(jiàn)圖4頂部的曲線圖)。也就是說(shuō),，驅(qū)動(dòng)電流iload流過(guò)電阻器131,。在溫度區(qū)域s1中，控制器140控制功耗電路130的接通/斷開(kāi),，使得結(jié)溫保持等于或大于邏輯塊110的下限溫度tlb,。結(jié)果，在溫度區(qū)域s1中,，結(jié)溫tj如圖4的下圖所示,。因此，可以擴(kuò)展邏輯塊110的正常操作的環(huán)境溫度的覆蓋范圍,。另一方面,，在溫度區(qū)域s2中，由于環(huán)境溫度ta足夠高,，所以結(jié)溫tj變?yōu)榈扔诨蚋哂谙孪逌囟萾lb,，這是由于環(huán)境溫度和由于邏輯塊110的自發(fā)熱引起的溫度升高，并且因此功耗電路130繼續(xù)關(guān)閉,。結(jié)溫tj由以下等式1表示,。(等式1)tj＝ta+θja×(idd+iload)×vdd其中θja是微控制器100的封裝的熱阻，idd是微控制器100的操作電流,，即邏輯塊110的操作電流,，并且vdd是微控制器100的電源電壓,。上面已經(jīng)描述了率先實(shí)施例。在微控制器100中,，當(dāng)結(jié)溫小于邏輯塊110的操作溫度下限時(shí),，功耗電路130接通，從而微控制器100根據(jù)消耗的功率和微控制器100的封裝的熱阻產(chǎn)生熱量,。因此,，結(jié)溫被迫等于或高于邏輯塊110可以操作的溫度的下限。結(jié)果,，與不提供上述配置時(shí)相比。在半導(dǎo)體器件的具體的制備工藝中,，通常是在半導(dǎo)體襯底的非原胞區(qū)域形成場(chǎng)氧,，以場(chǎng)氧為掩膜對(duì)半導(dǎo)體。黑龍江工程半導(dǎo)體器件設(shè)備品牌排行榜

半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)高,、進(jìn)步快,一代產(chǎn)品需要一代工藝,而一代工藝需要一代設(shè)備,。湖南產(chǎn)品半導(dǎo)體器件設(shè)備管理

    而當(dāng)沒(méi)有接收到指示終止溫度控制的信號(hào)時(shí)，處理返回到步驟s201,。接下來(lái),，將與率先實(shí)施例進(jìn)行比較來(lái)描述本實(shí)施例的效果。圖7是示出根據(jù)率先實(shí)施例的微控制器100的狀態(tài)的時(shí)間變化的圖,。圖8是示出根據(jù)第二實(shí)施例的微控制器200的狀態(tài)的時(shí)間變化的圖,。在圖7和8中，上部所示的曲線圖是示出功耗電路130的驅(qū)動(dòng)電流之和的轉(zhuǎn)變的曲線圖,，而下部所示的曲線圖是示出結(jié)溫tj的轉(zhuǎn)變的曲線圖,。如圖7所示，在根據(jù)率先實(shí)施例的微控制器100中,，可存在兩種驅(qū)動(dòng)電流狀態(tài)：接通和斷開(kāi),。另一方面，如圖8所示,，在根據(jù)第二實(shí)施例的微控制器200中,，驅(qū)動(dòng)電流可以采用更多狀態(tài)。因此,，在根據(jù)第二實(shí)施例的微控制器200中,，可以實(shí)現(xiàn)根據(jù)所測(cè)量的結(jié)溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值的大小的靈活的驅(qū)動(dòng)電流(即，發(fā)熱值),。因此,，例如，當(dāng)環(huán)境溫度很低時(shí),，通過(guò)接通很多功耗電路130,，結(jié)溫可以在幾個(gè)周期內(nèi)達(dá)到邏輯塊110的下限溫度,。另外，由于可以進(jìn)行靈活的溫度控制,，因此可以防止結(jié)溫過(guò)度升高,。提高結(jié)溫導(dǎo)致漏電流增加，并且因此結(jié)溫變得高于所需溫度是不可取的,。在本實(shí)施例中,，當(dāng)結(jié)溫小于邏輯塊110的下限溫度并且差值很小時(shí)，發(fā)熱量被抑制并且溫度被強(qiáng)制增加,。因此,，可以抑制明顯超過(guò)下限溫度的結(jié)溫。湖南產(chǎn)品半導(dǎo)體器件設(shè)備管理

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