確保微控制器100的正常操作的環(huán)境溫度ta的下限可以是t，t是下限溫度,。邏輯塊110是用于執(zhí)行邏輯操作的電路塊。例如,，邏輯塊110可以是諸如中心處理單元等處理器。溫度傳感器120是用于測量微控制器100的結溫tj的傳感器。例如，溫度傳感器120被配置為包括電阻器,，該電阻器的電阻根據(jù)溫度而變化。作為這樣的電阻元件,，例如,，使用雙極晶體管元件或二極管元件,。溫度傳感器120通過根據(jù)溫度改變電阻元件的電阻值來輸出取決于溫度的電壓,。功耗電路130是消耗預定功率的電路。當通過來自控制器140的控制指示功耗時,，功耗電路130消耗預定功率并且相應地產(chǎn)生熱量,。更具體地，當從控制器140輸入指示功耗的信號時,，功耗電路130通過引起預定的負載電流在功耗電路130中流動來產(chǎn)生熱量,。功耗電路130的配置的具體示例將參考圖2來描述?？刂破?40是用于控制功耗電路130的功耗使得由溫度傳感器120測量的溫度不小于邏輯塊110的預定下限操作溫度的電路,。具體地，控制器140獲取預定測量周期的結溫,，并且當所獲取的結溫低于邏輯塊110的下限溫度時,，輸出指示功耗電路130消耗功率的信號。即,，當所獲取的結溫低于邏輯塊110的下限溫度時,，控制器140接通功耗電路130。當所獲取的結溫等于或大于預定閾值時,。半導體碳化硅材料的半導體器件用于汽車,、充電設備、便攜式電源,、通信設備,、機械臂、飛行器等多個工業(yè)領域。四川質(zhì)量半導體器件設備知識宣傳

    第三實施例接下來,，將描述第三實施例,。圖9是示出根據(jù)第三實施例的微控制器300的示例性配置的框圖。微控制器300與根據(jù)第二實施例的微控制器200的不同之處在于,，控制器150被替換為控制器160,，并且添加了診斷部分170。在下文中,，將描述與第二實施例的不同點,，并且將省略對與第二實施例相同的點的描述?？刂破?60與控制器150的不同之處在于,，除了控制器150的控制功能之外，控制器160還具有用于診斷溫度傳感器120的控制功能,。下面,，將描述用于診斷溫度傳感器120的控制器160的控制功能。在診斷部分170執(zhí)行診斷操作的同時,，控制器160控制消耗功率的功耗電路的數(shù)目(即,，操作的功耗電路130的數(shù)目)。具體地,，在診斷部分170隨著功耗電路130的數(shù)目的變化而執(zhí)行診斷操作的同時,，控制器160設置消耗功率一次或多次的功耗電路130的數(shù)目。例如,，控制器160具有要操作的一個功耗電路130和在預定的等待時間過去之后要操作的兩個功耗電路130,。在本實施例中，控制器160在每個預定等待時間由診斷部分170執(zhí)行診斷的同時改變數(shù)目以增加要操作的功耗電路130的數(shù)目,。具體地,，當診斷部分170執(zhí)行診斷操作時，控制器160首先將要操作的功耗電路130設置為0,，然后將要操作的功耗電路130設置為1,。此后。云南建設項目半導體器件設備管理半導體在集成電路,、消費電子,、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電,、照明,、大功率電源轉(zhuǎn)換等。

    處理進入步驟s306,。在步驟s306中,，如果消耗電力的功耗電路130的數(shù)目從當前數(shù)目增加，則診斷部分170基于在溫度傳感器120處測量的溫度來確定結溫是否超過預定上限溫度。具體地,，診斷部分170將在待接通的功耗電路130增加預定增加量i時的上升溫度與在步驟s301中獲取的當前結溫相加,，并且確定相加結果是否超過預定上限溫度(保證操作的溫度范圍的上限)。如果在功耗電路130的數(shù)目增加i時結溫超過預定上限溫度,，則在步驟s305中,，診斷部分170確定溫度傳感器120正常并且終止診斷操作。以這種方式,，通過中止診斷操作,，可以在操作保證的溫度范圍內(nèi)執(zhí)行溫度傳感器120的診斷操作。如果即使功耗電路130的數(shù)目增加i時確定結溫仍然不超過預定上限溫度,，則處理進入步驟s307,。在步驟s307中，控制器160將消耗功率的功耗電路130的數(shù)目,、即接通的功耗電路130的數(shù)目增加預定的增量數(shù)目i,。在步驟s307之后，處理進入步驟s308,。在步驟s308中,，診斷部分170檢查在步驟s307中增加要接通的功耗電路130之后是否已經(jīng)過了等待時間tw。也就是說,，它一直等到結溫穩(wěn)定,。當經(jīng)過等待時間tw時，處理返回到步驟s301,，并且檢查溫度傳感器120是否在高于先前測量的溫度帶的溫度帶中正常操作。以這種方式,，重復診斷操作,。

    以相同的方式，控制器160逐個遞增要操作的功耗電路130的數(shù)目,?？刂破?60的數(shù)目可以增加n(n是等于或大于2的整數(shù))，而不是逐個增加,。此外,，在本實施例中，控制器160在診斷部分170診斷的同時逐漸增加要操作的功耗電路130的數(shù)目,，但不一定需要改變以增加數(shù)目,。例如，控制器160可以在預定的等待時間改變數(shù)目以減少要操作的功耗電路130的數(shù)目,。然而,，推薦地，將要操作的功耗電路130的數(shù)目改變?yōu)樵黾拥臄?shù)目。這是因為,，取決于環(huán)境溫度,，如果操作所有功耗電路130，則結溫可能超過保證微控制器200的操作的溫度的上限,。因此,，如稍后所述，只要結溫不超過操作保證的溫度范圍的上限,，要操作的功耗電路130的數(shù)目改變?yōu)樵黾?，并且當?shù)目超過上限時，溫度傳感器120的診斷操作可以通過中止診斷來在操作保證的溫度范圍內(nèi)執(zhí)行,。診斷部分170基于溫度傳感器120的輸出來診斷溫度傳感器120是否異常,。因此，例如,，如果沒有來自溫度傳感器120可用的測量結果,，則診斷部分170可以檢測溫度傳感器120中的異常。當從溫度傳感器120獲取測量結果時,，診斷部分170如下診斷溫度傳感器120是否存在異常,。也就是說。半導體器件專門設備應用寬廣LED封裝,光通訊,半導體封裝,支持1對1定制化生產(chǎn)設計.

    圖10是示出微控制器300中的溫度傳感器120的示例性診斷操作的流程圖,。在下文中,，將參考圖10描述微控制器300的操作。圖10所示的診斷操作的過程例如在微控制器300啟動時執(zhí)行,。由于微控制器300的自加熱在微控制器300啟動時尚未開始,，因此結溫低于微控制器300操作期間的任何時間的結溫。如上所述,，如果結溫超過保證微控制器300的操作的溫度范圍的上限,，則不能增加操作以進行診斷操作的功耗電路130。診斷部分170可以通過在微控制器300啟動時執(zhí)行診斷來提高診斷操作的可行性,。在步驟s300中,，診斷部分170讀取診斷所需要的設定值。例如,，診斷部分170讀取存儲在諸如微控制器300中提供的非易失性存儲器等存儲電路中的設置值,。設定值包括例如上述適當量、診斷數(shù)n,、等待時間tw和增加的數(shù)目i,。增量數(shù)i是指示當要操作的功耗電路130改變時要操作的功耗電路130的增加次數(shù)的設定值。在步驟s300中,，診斷部分170重置計數(shù)器的計數(shù)n,，該計數(shù)n指示在一系列診斷操作中已經(jīng)診斷了計數(shù)器的次數(shù),。在步驟s300之后，處理進入步驟s301,。在步驟s301中,，測量結溫。也就是說,，診斷部分170獲取由溫度傳感器120測量的微控制器300的結溫,。然后，診斷部分170將n的值遞增1,。在步驟s301之后,，處理進入步驟s302。半導體器件由（場效應器件,、半導體特殊器件,、復合管、PIN型管,、激光器件的型號有第三,、四、五部分）組成,。安徽哪些半導體器件設備知識宣傳

設備功能:通過探針與半導體器件的pad接觸,進行電學測試,檢測半導體的性能指標是否符合設計性能要求,。四川質(zhì)量半導體器件設備知識宣傳

    診斷部分170通過確定由溫度傳感器120測量的溫度是否根據(jù)功耗電路130的操作條件而變化來診斷溫度傳感器120是否異常。如等式1所示,，結溫tj取決于功耗電路130的驅(qū)動電流iload,。即，結溫tj應當根據(jù)功耗電路130的操作條件而變化,。因此,，當功耗電路130的操作條件改變時，診斷部分170通過檢查改變之后的溫度傳感器120的輸出結果是否相對于改變之前的溫度傳感器120的輸出結果發(fā)生改變來檢測溫度傳感器120的異常,。也就是說,，盡管功耗電路130的操作條件改變，但是當測量結果沒有改變時,，診斷部分170診斷出溫度傳感器120中已經(jīng)發(fā)生錯誤。每次通過控制器160執(zhí)行要操作的功耗電路130的數(shù)目的設置時,，診斷部分170診斷溫度傳感器120是否異常,。在本實施例中，即使發(fā)生變化,，如果變化量不是適當?shù)牧?，則診斷部分170診斷出溫度傳感器120中發(fā)生了異常。如等式1所示,，結溫tj根據(jù)功耗電路130的驅(qū)動電流iload的大小而變化,。因此,，可以規(guī)定當要操作的功耗電路130的數(shù)目改變時波動的結溫的適當量。因此,，當從測量結果獲取的變化量與預定適當量之間的偏差超過預定閾值時,，診斷部分170確定溫度傳感器120異常。接下來,，將描述微控制器300中的溫度傳感器120的診斷操作,。四川質(zhì)量半導體器件設備知識宣傳

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