氧化鉿為白色立方晶體,，比重9.68。熔點(diǎn)2,，758±25℃,。沸點(diǎn)約5，400℃,。單斜晶系的二氧化鉿在1,，475～1，600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系,。不溶于水和一般無機(jī)酸,，但在氫氟酸中緩慢溶解?；瘜W(xué)反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿Chemicalbook[Hf(SO4)2],，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4)，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6),，與碳在1,，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。制備氧化鉿可由鉿的碳化物,、四氯化物,、硫化物、硼化物,、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取,。氧化鉿的英文名稱是什么？山西氧化鉿CAS#

氧化鉿用途與合成方法物理性質(zhì)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末,。純氧化鉿以三種形式存在,，一種是無定型狀態(tài)，另外兩種為晶體,。在＜400℃煅燒氫氧化鉿,、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時，可以得到無定型氧化鉿,。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃,，開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢,，并轉(zhuǎn)化為4個氧化鉿分子的單體,。當(dāng)1700~Chemicalbook1865℃時開始轉(zhuǎn)化為四方晶系。向氧化鉿中添加少量氧化鎂,、氧化鈣,、氧化錳等氧化鉿，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體,。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣,，則晶格常數(shù)α相應(yīng)從0.5082nm增加至0.5098nm,。若添加的量達(dá)到形成CaHfO3時，則晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為菱形晶系,。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3,，熔點(diǎn)3031K，沸點(diǎn)5673K,。氧化鉿結(jié)構(gòu)1江西氧化鉿應(yīng)急處理氧化鉿的 泄露應(yīng)急處理,？

氧化鉿又稱氧化鉿(IV)，它是一種無機(jī)化工產(chǎn)品,，其分子式為HfO2,，分子量為210.4888。產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物,。作為一種介電材料,，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV),，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認(rèn)為是替代場效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料,。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm,，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題,，隨著晶體管的尺寸縮小,，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來Chemicalbook越薄，但是漏電流的數(shù)值會因?yàn)榱孔有?yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高,，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題,。

外觀和描述：氧化鉿是鉿的主要氧化物,，通常狀況下為白色無臭無味晶體。英文名稱:hafniumdioxide中文名:二氧化鉿CASNo.:12055-23-1化學(xué)式:HfO2分子量:210.6密度:9.68克/立方厘米熔點(diǎn):約2850℃沸點(diǎn):約沸點(diǎn)5400℃2,、性質(zhì)：氧化鉿是一種,、無味的白色固體，不溶于水,、鹽酸和硝酸,，可溶于濃硫酸和氟氫酸；化學(xué)性質(zhì)不活潑,，具有薄膜特性：透光范圍～220～12000nm,；折射率（250nm）～2.15（500nm）～2，且高熔點(diǎn),，所以用途***,。3、用途：1）金屬鉿及其化合物的原料,；2）耐火材料,、抗放射性涂料和特殊的催化劑；3）度玻璃涂層,。氧化鉿的分子式是多少,？

化學(xué)性質(zhì)氧化鉿的化學(xué)性質(zhì)與氧化鋯相似，其活性與煅燒溫度有關(guān),，煅燒溫度越高,，化學(xué)活性性越低。無定型氧化鉿容易溶解于酸中,，但是結(jié)晶型氧化鉿即使是在熱鹽酸或者是硝酸中也不發(fā)生反應(yīng),，而*溶于熱濃的氫氟酸和硫酸中。結(jié)晶型氧化鉿與堿和鹽酸溶后,，則容易稀酸中,。在1100℃下，氧化鉿與鉿酸鋰,。在高Chemicalbook于1500℃氧化鉿與堿土金屬氧化鉿與二氧化硅等作用,，生成鉿酸鹽和硅酸鉿。在1800℃以上與氧化硅組成一系列的固溶體,。鉿鹽水解可以得到兩性的氫氧化鉿,，氫氧化鉿在100℃下干燥能夠達(dá)到HfO(OH)2，再升高溫度即轉(zhuǎn)換為氧化鉿,。在碳化過程中可有Hf2O3與HfO形成,，但是對此研究較少。氧化鉿的用途與合成方法,？山西氧化鉿CAS#

氧化鉿的分子量是多少,？山西氧化鉿CAS#

氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點(diǎn)比較高、同時鉿原子的吸收截面較大,，捕獲中子的能力強(qiáng),，化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定,，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價值,。自上世紀(jì)以來，光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展，HfO2在光學(xué)方面的特性Chemicalbook已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求,，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***，特別是它對光有比較寬的透明波段,，在光透過氧化鉿薄膜時,，對光的吸收少，大部分通過折射透過薄膜,，因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視。山西氧化鉿CAS#