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北京氧化鉿MSDS

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-03-03

用途為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料,、抗放射性涂料和催化劑,。生產(chǎn)方法當(dāng)加熱到高溫時(shí)鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通Chemicalbook過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得,。安全信息安全說明22-24/25WGKGermany3TSCAYes海關(guān)編碼28259085應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿(HfO2)為鋯鉿分離的產(chǎn)物,,目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級(jí)鋯時(shí)產(chǎn)生有氧化鉿,。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級(jí)Zr,,并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少,,價(jià)格昂貴。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品,,通常用作光學(xué)鍍膜材料,,很少量開始試用于高效集成電路,氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā),。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點(diǎn)比較高,、同時(shí)鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook,捕獲中子的能力強(qiáng),化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定,,因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價(jià)值,。自上世紀(jì)以來,光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展,,HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求,,所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***,特別是它對(duì)光有比較寬的透明波段,,在光透過氧化鉿薄膜時(shí),,對(duì)光的吸收少,大部分通過折射透過薄膜,,因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視,。氧化鉿的滅火方法及滅火劑?北京氧化鉿MSDS

基本信息IUPAC名稱:dioxohafnium元素含量比重:O(oxygen)15.2%,、Hf(hafnium)84.8%密度:9.68g/cm3熔點(diǎn):2758℃摩爾質(zhì)量:210.49g/molCAS號(hào):12055-23-1蒸發(fā)壓力:在2678℃時(shí)1Pa,;在2875℃時(shí)10Pa線膨脹系數(shù):5.6×10-6/K溶解度:不溶解于水純度:99.99薄膜特性:透光范圍~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15(500nm)~2蒸發(fā)條件:用電子***,,氧分壓~1~2×10-2Pa,。蒸發(fā)溫度~2600~2800℃,基片溫度~250℃,,蒸發(fā)速率2nm/s應(yīng)用領(lǐng)域:UV增透膜,,干涉膜湖北口碑好的氧化鉿氧化鉿的英文名稱是什么?

氧化鉿又稱氧化鉿(IV),,它是一種無機(jī)化工產(chǎn)品,,其分子式為HfO2,分子量為210.4888,。產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物,。作為一種介電材料,因其較高的介電常數(shù)值(~20),,較大的禁帶寬度(~5.5eV),,以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性,HfO2被認(rèn)為是替代場(chǎng)效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料,。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm,,以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會(huì)帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題,,隨著晶體管的尺寸縮小,,二氧化硅介質(zhì)要求必須越來Chemicalbook越薄,但是漏電流的數(shù)值會(huì)因?yàn)榱孔有?yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高,,所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì),。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2),,以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題,。

化學(xué)性質(zhì)氧化鉿的化學(xué)性質(zhì)與氧化鋯相似,其活性與煅燒溫度有關(guān),,煅燒溫度越高,,化學(xué)活性性越低。無定型氧化鉿容易溶解于酸中,,但是結(jié)晶型氧化鉿即使是在熱鹽酸或者是硝酸中也不發(fā)生反應(yīng),,而*溶于熱濃的氫氟酸和硫酸中。結(jié)晶型氧化鉿與堿和鹽酸溶后,,則容易稀酸中,。在11Chemicalbook00℃下,氧化鉿與鉿酸鋰,。在高于1500℃氧化鉿與堿土金屬氧化鉿與二氧化硅等作用,,生成鉿酸鹽和硅酸鉿。在1800℃以上與氧化硅組成一系列的固溶體,。鉿鹽水解可以得到兩性的氫氧化鉿,,氫氧化鉿在100℃下干燥能夠達(dá)到HfO(OH)2,再升高溫度即轉(zhuǎn)換為氧化鉿,。氧化鉿的物理性質(zhì)有哪些,?

產(chǎn)品特點(diǎn):白色粉末,有單斜,、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu),。密度分別為10.3,10.1和9.68g/cm3,。熔點(diǎn)2780~2920K,。沸點(diǎn)5400K。氧化鉿 性質(zhì)熔點(diǎn) 2810 °C密度 9.68 g/mL at 25 °C(lit.)折射率 2.13 (1700 nm)熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃,。不溶于水,、鹽酸和硝酸,可溶于濃硫酸和氟氫酸,。由硫酸鉿,、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料,。用作耐火材料,、抗放射性涂料和催化劑。產(chǎn)品應(yīng)用:二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,,近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,由于它可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題,。氧化鉿的應(yīng)用領(lǐng)域有那些,?天津口碑好的氧化鉿

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2018年我國石油和天然氣產(chǎn)量在全球占比分別為4%和4.2%,,而煤炭產(chǎn)量占比高達(dá)46.7%,。“富煤,、貧油,、少氣”的資源稟賦決定了我國以煤為主體的能源結(jié)構(gòu),油氣保證能力較低?,F(xiàn)代化學(xué)試劑四氯化鉿硝酸銀,,實(shí)驗(yàn)室儀器研磨儀,實(shí)驗(yàn)室耗材PFA瓶,,化學(xué)原料非離子表面活性劑能夠部分替代我國石油和天然氣的消費(fèi)量,,促進(jìn)石化行業(yè)原料多元化,為我國能源安全提供戰(zhàn)略支撐,,為石油安全提供應(yīng)急保證?,F(xiàn)代化學(xué)試劑四氯化鉿硝酸銀,實(shí)驗(yàn)室儀器研磨儀,,實(shí)驗(yàn)室耗材PFA瓶,,化學(xué)原料非離子表面活性劑產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)主要集中在環(huán)保壓力增大、國際油價(jià)影響,、重點(diǎn)技術(shù)缺乏以及政策支持不足等方面,。 隨著經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展,我國在多個(gè)領(lǐng)域技術(shù)水平有了很大的進(jìn)步,。一些高性能的涂料產(chǎn)品陸續(xù)開發(fā)出來,,并成功應(yīng)用于很多地區(qū)大型工程中。但是到了如今的年代,,人工制造成本逐年上升,,信息化的普及導(dǎo)致企業(yè)的制造成本也越來越透明,這就需要企業(yè)盡可能地去降低產(chǎn)品制造成本,,以便獲取相應(yīng)的收入空間,。加上國內(nèi)的法律法規(guī)也在不斷健全,企業(yè)還要面對(duì)員工職業(yè)病及環(huán)保的壓力,,這些都更加促使企業(yè)需要去升級(jí)化學(xué)原料及產(chǎn)品(除危險(xiǎn)化學(xué)品,,監(jiān)控化學(xué)品,煙花爆竹,,民用品,,易制毒化學(xué)品),,儀器設(shè)備,實(shí)驗(yàn)室耗材,,機(jī)電設(shè)備不銹鋼管件銷售,,信息咨詢服務(wù)(不含許可類信息咨詢服務(wù)),;室內(nèi)外裝潢,;廣告制作及發(fā)布,,貨物或技術(shù)進(jìn)出口生產(chǎn)工藝,。隨著消費(fèi)升級(jí)和社會(huì)發(fā)展,,化工產(chǎn)業(yè)中檔次低,、成本高,、效益差的低端產(chǎn)品市場(chǎng)不斷萎縮,。能耗高,、排放大、質(zhì)量低的產(chǎn)品和服務(wù)加快被淘汰,,高級(jí)產(chǎn)品,、差異化產(chǎn)品,、綠色產(chǎn)品日益受到消費(fèi)者青睞,。北京氧化鉿MSDS

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