二氧化鉿(HfO2)是鉿元素的一種氧化物,，常溫常壓下為白色固體,。基本信息中文名二氧化鉿英文名Hafnium(IV)oxide別稱氧化鉿(IV)化學(xué)式HfO2分子量210.49CAS登錄號(hào)12055-23-1熔點(diǎn)2758℃沸點(diǎn)5400℃水溶性難溶于水密度9.68g/cm3外觀白色固體應(yīng)用遠(yuǎn)紅外波段材料,，應(yīng)用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它**可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題,。氧化鉿是指二氧化鉿嗎？AR級(jí)別氧化鉿特價(jià)

氧化鉿物理化學(xué)性質(zhì)密度9.68熔點(diǎn)2812oC分子式HfO2分子量210.48900精確質(zhì)量211.93600PSA34.14000外觀性狀粉末折射率2.13(1700nm)儲(chǔ)存條件常溫密閉,，陰涼通風(fēng)干燥穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸計(jì)算化學(xué)1,、氫鍵供體數(shù)量：12、氫鍵受體數(shù)量：23,、可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量：04,、拓?fù)浞肿訕O性表面積（TPSA）：34.15,、重原子數(shù)量：36、表面電荷：07,、復(fù)雜度：18.38,、同位素原子數(shù)量：09、確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：010,、不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：011,、確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：012、不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：013,、共價(jià)鍵單元數(shù)量：1,。云南氧化鉿市價(jià)氧化鉿的中文別稱有哪些？

中文名氧化鉿(IV)英文名Hafnium(IV)oxide中文別名氧化鉿(III)|二氧化鉿|氧化鉿物理性質(zhì)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末,。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無定型狀態(tài),，另外兩種為晶體,。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時(shí),，可以得到無定型氧化鉿,。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃，開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體,，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢(shì),，并轉(zhuǎn)化為4個(gè)氧化鉿分子的單體。當(dāng)1700~1865℃Chemicalbook時(shí)開始轉(zhuǎn)化為四方晶系,。向氧化鉿中添加少量氧化鎂,、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿,，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體,。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣，則晶格常數(shù)α相應(yīng)從0.5082nm增加至0.5098nm,。若添加的量達(dá)到形成CaHfO3時(shí),，則晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為菱形晶系。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3,，熔點(diǎn)3031K,，沸點(diǎn)5673K。

基本信息IUPAC名稱:dioxohafnium元素含量比重:O(oxygen)15.2%,、Hf(hafnium)84.8%二氧化鉿分子結(jié)構(gòu)密度:9.68g/cm3熔點(diǎn):2758℃摩爾質(zhì)量:210.49g/molCAS號(hào):12055-23-1蒸發(fā)壓力:在2678℃時(shí)1Pa;在2875℃時(shí)10Pa線膨脹系數(shù):5.6×10-6/K溶解度:不溶解于水純度:99.99薄膜特性:透光范圍~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15(500nm)~2蒸發(fā)條件:用電子***,，氧分壓~1~2×10-2Pa。蒸發(fā)溫度~2600~2800℃,，基片溫度~250℃,，蒸發(fā)速率2nm/s應(yīng)用領(lǐng)域:UV增透膜,，干涉膜氧化鉿的生產(chǎn)工廠有哪些？

制備氧化鉿可由鉿的碳化物,、四氯化物,、硫化物、硼化物,、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取,。應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物，目前只有美,、法等國(guó)家在生產(chǎn)核級(jí)鋯時(shí)產(chǎn)生有氧化鉿,。中國(guó)早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級(jí)Zr，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力,。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少,，價(jià)格昂貴。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品,，通常用作光學(xué)鍍膜材料,，很少量開始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā),。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HChemicalbookfO2的熔點(diǎn)比較高,、同時(shí)鉿原子的吸收截面較大，捕獲中子的能力強(qiáng),，化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定,，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價(jià)值。自上世紀(jì)以來,，光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展,，HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***,，特別是它對(duì)光有比較寬的透明波段,，在光透過氧化鉿薄膜時(shí)，對(duì)光的吸收少,，大部分通過折射透過薄膜,，因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視。氧化鉿的危險(xiǎn)性描述,？廣東氧化鉿密度

氧化鉿的危險(xiǎn)性概述,？AR級(jí)別氧化鉿特價(jià)

氧化鉿又稱氧化鉿(IV)，它是一種無機(jī)化工產(chǎn)品,，其分子式為HfO2,，分子量為210.4888。產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物,。作為一種介電材料,，因其較高的介電常數(shù)值(~20),，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性,，HfO2被認(rèn)為是替代場(chǎng)效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料,。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會(huì)帶來芯片的發(fā)熱量增加,、多晶硅損耗等一系列問題,，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來Chemicalbook越薄,，但是漏電流的數(shù)值會(huì)因?yàn)榱孔有?yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高,，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題,。AR級(jí)別氧化鉿特價(jià)