化學性質(zhì)氧化鉿的化學性質(zhì)與氧化鋯相似,，其活性與煅燒溫度有關(guān)，煅燒溫度越高,，化學活性性越低,。無定型氧化鉿容易溶解于酸中，但是結(jié)晶型氧化鉿即使是在熱鹽酸或者是硝酸中也不發(fā)生反應(yīng),，而*溶于熱濃的氫氟酸和硫酸中,。結(jié)晶型氧化鉿與堿和鹽酸溶后，則容易稀酸中,。在1100℃下,，氧化鉿與鉿酸鋰。在高Chemicalbook于1500℃氧化鉿與堿土金屬氧化鉿與二氧化硅等作用,，生成鉿酸鹽和硅酸鉿,。在1800℃以上與氧化硅組成一系列的固溶體。鉿鹽水解可以得到兩性的氫氧化鉿,，氫氧化鉿在100℃下干燥能夠達到HfO(OH)2,，再升高溫度即轉(zhuǎn)換為氧化鉿。在碳化過程中可有Hf2O3與HfO形成,，但是對此研究較少,。性質(zhì)氧化鉿為白色立方晶體，比重9.68,。熔點2,，758±25℃。沸點約5,，400℃,。單斜晶系的二氧化Chemicalbook鉿在1，475～1,，600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系,。不溶于水和一般無機酸，但在氫氟酸中緩慢溶解,。氧化鉿的安全性描述,？內(nèi)蒙古品質(zhì)好的氧化鉿

氧化鉿又稱氧化鉿(IV)，它是一種無機化工產(chǎn)品，其分子式為HfO2,，分子量為210.4888,。產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料,，因其較高的介電常數(shù)值(~20),，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性,，HfO2被認為是替代場效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料,。如果互補金屬氧化物半導體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會帶來芯片的發(fā)熱量增加,、多晶硅損耗等一系列問題,，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來Chemicalbook越薄,，但是漏電流的數(shù)值會因為量子效應(yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高,，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題,。海南氧化鉿作用用途氧化鉿的EINECS登錄號,？

氧化鉿是一種化學物質(zhì)，分子式是HfO?,。中文名氧化鉿,，外文名:Hafnium(IV)oxide，中文別名氧化鉿(IV),，CAS:12055-23-1,，EINECS:235-013-2，分子量:210.4888,，毒理學數(shù)據(jù)主要的刺激性影響在皮膚上面：刺激皮膚和粘膜在眼睛上面：刺激的影響致敏作用：沒有已知的敏化現(xiàn)象,。性質(zhì)與穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸。合成方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿,。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得,。用途用于光譜分析及催化劑體系，耐熔材料,。

二氧化鉿(HfO2)是鉿元素的一種氧化物,，常溫常壓下為白色固體?；拘畔⒅形拿趸x英文名Hafnium(IV)oxide別稱氧化鉿(IV)化學式HfO2分子量210.49CAS登錄號12055-23-1熔點2758℃沸點5400℃水溶性難溶于水密度9.68g/cm3外觀白色固體應(yīng)用遠紅外波段材料,，應(yīng)用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它**可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題,。氧化鉿的分子量是多少？

氧化鉿用途與合成方法物理性質(zhì)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末,。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無定型狀態(tài),，另外兩種為晶體,。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時,，可以得到無定型氧化鉿,。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃，開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體,，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢,，并轉(zhuǎn)化為4個氧化鉿分子的單體。當1700~Chemicalbook1865℃時開始轉(zhuǎn)化為四方晶系,。向氧化鉿中添加少量氧化鎂,、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿,，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體,。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣，則晶格常數(shù)α相應(yīng)從0.5082nm增加至0.5098nm,。若添加的量達到形成CaHfO3時,，則晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為菱形晶系。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3,，熔點3031K,，沸點5673K。氧化鉿薄膜的特性與應(yīng)用,？青海氧化鉿分子量

氧化鉿是什么材料呢,？內(nèi)蒙古品質(zhì)好的氧化鉿

物性數(shù)據(jù)1.性狀：白色粉末。2.密度（g/mL,25℃）：9.683.相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：未確定4.熔點（oC）：21825.沸點（oC,常壓）：未確定6.沸點（oC,，1mmHg）：未確定7.折射率：未確定8.閃點（oC）：未確定9.比旋光度（o）：未確定10.自燃點或引燃溫度（oC）：未確定11.蒸氣壓（20oC）：未確定12.飽和蒸氣壓（kPa,60oC）：未確定13.燃燒熱（KJ/mol）：未確定14.臨界溫度（oC）：未確定15.臨界壓力（KPa）：未確定16.油水（辛醇/水）分配系數(shù)的對數(shù)值：未確定17.上限（%,V/V）：未確定18.下限（%,V/V）：未確定19.溶解性：未確定內(nèi)蒙古品質(zhì)好的氧化鉿