應(yīng)用領(lǐng)域金屬鋯及其化合物的原料用于制金屬鋯和鋯化合物,、制耐火磚和坩鍋,、高頻陶瓷、研磨材料,、陶瓷顏料和鋯酸鹽等主要用于壓電陶瓷制品,、日用陶瓷,、耐火材料及貴重金屬熔煉用的鋯磚、鋯管,、坩堝等,。也用于生產(chǎn)鋼及有色金屬、光學(xué)玻璃和二氧化鋯纖維,。還用于陶瓷顏料,、靜電涂料及烤漆。用于環(huán)氧樹(shù)脂中可增加耐熱鹽水的腐蝕,。耐火材料氧化鋯纖維是一種多晶質(zhì)耐火纖維材料,。由于ZrO2物質(zhì)本身的高熔點(diǎn)、不氧化和其他高溫優(yōu)良特性,，使得ZrO2纖維具有比氧化鋁纖維,、莫來(lái)石纖維、硅酸鋁纖維等其他耐火纖維品種更高的使用溫度,。氧化鋯纖維在1500℃以上超高溫氧化氣氛下長(zhǎng)期使用,，最高使用溫度高達(dá)2200℃，甚至到2500℃仍可保持完整的纖維形狀,，并且高溫化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,、耐腐蝕、抗氧化,、抗熱震,、不揮發(fā)、無(wú)污染,，是目前國(guó)際上**前列的一種耐火纖維材料,。ZrO2的耐酸堿腐蝕能力**強(qiáng)于SiO2和Al2O3。不溶于水,，溶于硫酸及氫氟酸,；微溶于鹽酸和硝酸。能與堿共熔生成鋯酸鹽,。氧化鉿是怎么制備而來(lái)的,？天津化學(xué)試劑氧化鉿

性質(zhì)白色粉末,，有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu),。密度分別為10.3,，10.1和10.43g/cm3。熔點(diǎn)2780~2920K,。沸點(diǎn)5400K,。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水,、鹽酸和硝酸,，可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿,、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取,。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料,、抗放射性涂料和催化劑,。

應(yīng)用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來(lái)在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,，由于它**可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問(wèn)題。 山東氧化鉿CAS#氧化鉿的操作注意事項(xiàng),？

用途為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料,。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑,。生產(chǎn)方法當(dāng)加熱到高溫時(shí)鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通Chemicalbook過(guò)其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得,。安全信息安全說(shuō)明22-24/25WGKGermany3TSCAYes海關(guān)編碼28259085毒理學(xué)數(shù)據(jù)主要的刺激性影響在皮膚上面：刺激皮膚和粘膜在眼睛上面：刺激的影響致敏作用：沒(méi)有已知的敏化現(xiàn)象,。存儲(chǔ)方法常溫密閉，陰涼通風(fēng)干燥,，合成方法當(dāng)加熱到高溫時(shí)鉿與氧直接化合生成氧化鉿,。也可通過(guò)其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。

CAS號(hào):12055-23-1英文名稱:HAFNIUMOXIDE英文同義詞:HfO2;Hafnia;dioxohafniuM;Hafnia,felt;HAFNIUMOXIDE;Hafniaparalvei;HAFNIUM(+4)OXIDE;Hafniabulkfiber;HAFNIUMChemicalbook(IV)OXIDE;hafniumoxide(hfo2)中文名稱:氧化鉿中文同義詞:氧化鉿;氧化鉿粉;氧化鉿氈;納米氧化鉿;納米二氧化鉿;氧化鉿25G;氧化鉿布,緞紋;氧化鉿纖維散棉;氧化鉿(IV);氧化鉿(III)CBNumber:CB5737990分子式:HfO2分子量:210.49氧化鉿化學(xué)性質(zhì)熔點(diǎn):2810°C密度:9.68g/mLat25°C(lit.)折射率:2.13(1700nm)形態(tài):powder顏色:Off-white氧化鉿的應(yīng)用領(lǐng)域有那些,？

二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物,。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20),，較大的禁帶寬度(~5.5eV),，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認(rèn)為是替代場(chǎng)效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料,。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm,，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會(huì)帶來(lái)芯片的發(fā)熱量增加,、多晶硅損耗等一系列問(wèn)題，隨著晶體管的尺寸縮小,，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來(lái)越薄,，但Chemicalbook是漏電流的數(shù)值會(huì)因?yàn)榱孔有?yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來(lái)取代二氧化硅作為柵介質(zhì),。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,，近來(lái)在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2),，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問(wèn)題,。氧化鉿的生產(chǎn)方法有那些？海南氧化鉿直銷價(jià)格

氧化鉿的精確質(zhì)量是多少,？天津化學(xué)試劑氧化鉿

氧化鉿性質(zhì)熔點(diǎn)2810°C密度9.68g/mLat25°C(lit.)折射率2.13(1700nm)形態(tài)powder顏色Off-white比重9.68水溶解性Insolubleinwater.Merck14,4588InChemicalbookChIKeyCJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-NCAS數(shù)據(jù)庫(kù)12055-23-1(CASDataBaseReference)EPA化學(xué)物質(zhì)信息Hafniumoxide(HfO2)(12055-23-1)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末,。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無(wú)定型狀態(tài),，另外兩種為晶體,。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時(shí),，可以得到無(wú)定型氧化鉿,。將其氧化鉿Chemicalbook繼續(xù)加熱至450~480℃，開(kāi)始轉(zhuǎn)化為單斜晶體,，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢(shì),，并轉(zhuǎn)化為4個(gè)氧化鉿分子的單體。當(dāng)1700~1865℃時(shí)開(kāi)始轉(zhuǎn)化為四方晶系,。天津化學(xué)試劑氧化鉿