氧化鉿是一種化學(xué)物質(zhì)，分子式是HfO?,。中文名氧化鉿,，外文名:Hafnium(IV)oxide，中文別名氧化鉿(IV),，CAS:12055-23-1,，EINECS:235-013-2，分子量:210.4888,，毒理學(xué)數(shù)據(jù)主要的刺激性影響在皮膚上面：刺激皮膚和粘膜在眼睛上面：刺激的影響致敏作用：沒有已知的敏化現(xiàn)象,。性質(zhì)與穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸。合成方法當(dāng)加熱到高溫時(shí)鉿與氧直接化合生成氧化鉿,。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得,。用途用于光譜分析及催化劑體系，耐熔材料,。氧化鉿的生態(tài)學(xué)資料,？廣東氧化鉿的安全風(fēng)險(xiǎn)

產(chǎn)品特點(diǎn)：白色粉末，有單斜,、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu),。密度分別為10.3，10.1和9.68g/cm3,。熔點(diǎn)2780~2920K,。沸點(diǎn)5400K。氧化鉿 性質(zhì)熔點(diǎn) 2810 °C密度 9.68 g/mL at 25 °C(lit.)折射率 2.13 (1700 nm)熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃,。不溶于水,、鹽酸和硝酸，可溶于濃硫酸和氟氫酸,。由硫酸鉿,、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料,。用作耐火材料,、抗放射性涂料和催化劑。產(chǎn)品應(yīng)用：二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,，由于它可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。山東氧化鉿近期價(jià)格氧化鉿的熔點(diǎn)是多少,？

性質(zhì)白色粉末,，有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu),。密度分別為10.3,，10.1和10.43g/cm3。熔點(diǎn)2780~2920K,。沸點(diǎn)5400K,。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水,、鹽酸和硝酸,，可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿,、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取,。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料,、抗放射性涂料和催化劑,。

應(yīng)用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,，由于它**可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。

二氧化鉿(HfO2)是鉿元素的一種氧化物,，常溫常壓下為白色固體,。基本信息中文名二氧化鉿英文名Hafnium(IV)oxide別稱氧化鉿(IV)化學(xué)式HfO2分子量210.49CAS登錄號12055-23-1熔點(diǎn)2758℃沸點(diǎn)5400℃水溶性難溶于水密度9.68g/cm3外觀白色固體應(yīng)用遠(yuǎn)紅外波段材料,，應(yīng)用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它**可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。氧化鉿的運(yùn)輸注意事項(xiàng),？

產(chǎn)品特點(diǎn)：白色粉末,，有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu),。密度分別為10.3,，10.1和9.68g/cm3。熔點(diǎn)2780~2920K。沸點(diǎn)5400K,。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃,。不溶于水、鹽酸和硝酸,，可溶于濃硫酸和氟氫酸,。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取,。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料,。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑,。產(chǎn)品應(yīng)用：二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題,。氧化鉿的 共價(jià)鍵單元數(shù)量？安徽氧化鉿價(jià)格表格

氧化鉿的安全性描述,？廣東氧化鉿的安全風(fēng)險(xiǎn)

用途為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料,。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑,。生產(chǎn)方法當(dāng)加熱到高溫時(shí)鉿與氧直接化合生成氧化鉿,。也可通Chemicalbook過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。安全信息安全說明22-24/25WGKGermany3TSCAYes海關(guān)編碼28259085應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物,，目前只有美,、法等國家在生產(chǎn)核級鋯時(shí)產(chǎn)生有氧化鉿。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級Zr,，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力,。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少，價(jià)格昂貴,。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品,，通常用作光學(xué)鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路,，氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā),。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點(diǎn)比較高、同時(shí)鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook,，捕獲中子的能力強(qiáng),，化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價(jià)值,。自上世紀(jì)以來,，光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展，HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***,，特別是它對光有比較寬的透明波段,，在光透過氧化鉿薄膜時(shí)，對光的吸收少,，大部分通過折射透過薄膜,，因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視。廣東氧化鉿的安全風(fēng)險(xiǎn)