物理性質(zhì)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在,，一種是無定型狀態(tài),，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿,、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時(shí),，可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃,，開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體,，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢(shì)，并轉(zhuǎn)化為4個(gè)氧化鉿分子的單體,。當(dāng)1700~1865℃Chemicalbook時(shí)開始轉(zhuǎn)化為四方晶系,。向氧化鉿中添加少量氧化鎂、氧化鈣,、氧化錳等氧化鉿,，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣,，則晶格常數(shù)α相應(yīng)從0.5082nm增加至0.5098nm,。若添加的量達(dá)到形成CaHfO3時(shí)，則晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為菱形晶系,。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3,，熔點(diǎn)3031K，沸點(diǎn)5673K,。氧化鉿是什么顏色的,？山東氧化鉿純度

產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物,。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20),，較大的禁帶寬度(~5.5eV),，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認(rèn)為是替代場(chǎng)效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料,。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm,，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會(huì)帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題,，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來越薄,，但是漏電流的數(shù)值會(huì)因?yàn)榱孔有hemicalbook應(yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高,，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題,。用途為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料,。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑,。西隴氧化鉿供應(yīng)氧化鉿的水溶性怎么樣,？

氧化鉿為白色立方晶體，比重9.68,。熔點(diǎn)2,，758±25℃。沸點(diǎn)約5,，400℃,。單斜晶系的二氧化鉿在1，475～1,，600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系,。不溶于水和一般無機(jī)酸，但在氫氟酸中緩慢溶解,?；瘜W(xué)反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿Chemicalbook[Hf(SO4)2]，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4),，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6),，與碳在1，500℃以上作用形成碳化鉿HfC,。制備氧化鉿可由鉿的碳化物,、四氯化物,、硫化物、硼化物,、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取,。

化學(xué)性質(zhì)氧化鉿的化學(xué)性質(zhì)與氧化鋯相似，其活性與煅燒溫度有關(guān),，煅燒溫度越高,，化學(xué)活性性越低。無定型氧化鉿容易溶解于酸中,，但是結(jié)晶型氧化鉿即使是在熱鹽酸或者是硝酸中也不發(fā)生反應(yīng),，而*溶于熱濃的氫氟酸和硫酸中。結(jié)晶型氧化鉿與堿和鹽酸溶后,，則容易稀酸中,。在1100℃下，氧化鉿與鉿酸鋰,。在高Chemicalbook于1500℃氧化鉿與堿土金屬氧化鉿與二氧化硅等作用,，生成鉿酸鹽和硅酸鉿。在1800℃以上與氧化硅組成一系列的固溶體,。鉿鹽水解可以得到兩性的氫氧化鉿,，氫氧化鉿在100℃下干燥能夠達(dá)到HfO(OH)2，再升高溫度即轉(zhuǎn)換為氧化鉿,。在碳化過程中可有Hf2O3與HfO形成,，但是對(duì)此研究較少。氧化鉿的 泄露應(yīng)急處理,？

氧化鉿又稱氧化鉿(IV),，它是一種無機(jī)化工產(chǎn)品，其分子式為HfO2,，分子量為210.4888,。產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料,，因其較高的介電常數(shù)值(~20),，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性,，HfO2被認(rèn)為是替代場(chǎng)效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料,。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會(huì)帶來芯片的發(fā)熱量增加,、多晶硅損耗等一系列問題,，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來Chemicalbook越薄，但是漏電流的數(shù)值會(huì)因?yàn)榱孔有?yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高,，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì),。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2),，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。氧化鉿的重原子數(shù)量,？口碑好的氧化鉿純度

氧化鉿的化學(xué)式是多少,？山東氧化鉿純度

CAS號(hào):12055-23-1英文名稱:HAFNIUMOXIDE英文同義詞:HfO2;Hafnia;dioxohafniuM;Hafnia,felt;HAFNIUMOXIDE;Hafniaparalvei;HAFNIUM(+4)OXIDE;Hafniabulkfiber;HAFNIUMChemicalbook(IV)OXIDE;hafniumoxide(hfo2)中文名稱:氧化鉿中文同義詞:氧化鉿;氧化鉿粉;氧化鉿氈;納米氧化鉿;納米二氧化鉿;氧化鉿25G;氧化鉿布,緞紋;氧化鉿纖維散棉;氧化鉿(IV);氧化鉿(III)CBNumber:CB5737990分子式:HfO2分子量:210.49氧化鉿化學(xué)性質(zhì)熔點(diǎn):2810°C密度:9.68g/mLat25°C(lit.)折射率:2.13(1700nm)形態(tài):powder顏色:Off-white山東氧化鉿純度