氧化鉿物理化學(xué)性質(zhì)密度9.68熔點(diǎn)2812oC分子式HfO2分子量210.48900精確質(zhì)量211.93600PSA34.14000外觀性狀粉末折射率2.13(1700nm)儲存條件常溫密閉，陰涼通風(fēng)干燥穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸計算化學(xué)1,、氫鍵供體數(shù)量：12,、氫鍵受體數(shù)量：23、可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量：04、拓?fù)浞肿訕O性表面積（TPSA）：34.15,、重原子數(shù)量：36,、表面電荷：07、復(fù)雜度：18.38,、同位素原子數(shù)量：09,、確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：010、不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：011,、確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：012,、不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：013、共價鍵單元數(shù)量：1,。氧化鉿的用途與合成方法,？西藏口碑好的氧化鉿

產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料,，因其較高的介電常數(shù)值(~20),，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性,，HfO2被認(rèn)為是替代場效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料,。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會帶來芯片的發(fā)熱量增加,、多晶硅損耗等一系列問題,，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來Chemicalbook越薄,，但是漏電流的數(shù)值會因為量子效應(yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高,，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題,。吉林氧化鉿有害燃燒產(chǎn)物氧化鉿的中文別稱有哪些,？

性質(zhì)氧化鉿為白色立方晶體，比重9.68,。熔點(diǎn)2,，758±25℃。沸點(diǎn)約5,，400℃,。單斜晶系的二氧化鉿在1，475～1,，600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系,。不溶于水和一般無機(jī)酸,，但在氫氟酸中緩慢溶解。Chemicalbook化學(xué)反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[Hf(SO4)2],，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4),，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6)，與碳在1,，500℃以上作用形成碳化鉿HfC,。制備氧化鉿可由鉿的碳化物、四氯化物,、硫化物,、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取,。

氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點(diǎn)比較高,、同時鉿原子的吸收截面較大，捕獲中子的能力強(qiáng),，化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定,，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價值。自上世紀(jì)以來,，光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展,，HfO2在光學(xué)方面的特性Chemicalbook已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***,，特別是它對光有比較寬的透明波段,，在光透過氧化鉿薄膜時，對光的吸收少,，大部分通過折射透過薄膜,，因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視,。氧化鉿的 氫鍵受體數(shù)量,？

常用名氧化鉿英文名hafniumoxideCAS號12055-23-1分子量210.48900密度9.68沸點(diǎn)N/A分子式HfO2熔點(diǎn)2812oCMSDS閃點(diǎn)N/A。

氧化鉿用途用于光譜分析及催化劑體系,，耐熔材料,。儲存條件常溫密閉，陰涼通風(fēng)干燥穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸計算化學(xué)1,、氫鍵供體數(shù)量：12,、氫鍵受體數(shù)量：23、可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量：04,、拓?fù)浞肿訕O性表面積（TPSA）：34.15,、重原子數(shù)量：36、表面電荷：07,、復(fù)雜度：18.38,、同位素原子數(shù)量：09,、確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：010、不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：011,、確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：012,、不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：013、共價鍵單元數(shù)量：1 氧化鉿的滅火方法及滅火劑,？正規(guī)氧化鉿價格優(yōu)惠

氧化鉿的閃點(diǎn)是多少,？西藏口碑好的氧化鉿

在碳化過程中可有Hf2O3與HfO形成，但是對此研究較少,。性質(zhì)氧化鉿為白色立方晶體,，比重9.68。熔點(diǎn)2,，758±25℃,。沸點(diǎn)約5，400℃,。單斜晶系的二氧化鉿在1,，475～1，600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系,。不溶于水和一般無Chemicalbook機(jī)酸,，但在氫氟酸中緩慢溶解?；瘜W(xué)反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[Hf(SO4)2],，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4)，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6),，與碳在1,，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。西藏口碑好的氧化鉿