基本信息IUPAC名稱:dioxohafnium元素含量比重:O(oxygen)15.2%,、Hf(hafnium)84.8%二氧化鉿分子結(jié)構(gòu)密度:9.68g/cm3熔點:2758℃摩爾質(zhì)量:210.49g/molCAS號:12055-23-1蒸發(fā)壓力:在2678℃時1Pa;在2875℃時10Pa線膨脹系數(shù):5.6×10-6/K溶解度:不溶解于水純度:99.99薄膜特性:透光范圍~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15(500nm)~2蒸發(fā)條件:用電子***，氧分壓~1~2×10-2Pa,。蒸發(fā)溫度~2600~2800℃,，基片溫度~250℃，蒸發(fā)速率2nm/s應(yīng)用領(lǐng)域:UV增透膜,，干涉膜氧化鉿是指二氧化鉿嗎,？內(nèi)蒙古氧化鉿眼睛防護

CAS號:12055-23-1英文名稱:HAFNIUMOXIDE英文同義詞:HfO2;Hafnia;dioxohafniuM;Hafnia,felt;HAFNIUMOXIDE;Hafniaparalvei;HAFNIUM(+4)OXIDE;Hafniabulkfiber;HAFNIUMChemicalbook(IV)OXIDE;hafniumoxide(hfo2)中文名稱:氧化鉿中文同義詞:氧化鉿;氧化鉿粉;氧化鉿氈;納米氧化鉿;納米二氧化鉿;氧化鉿25G;氧化鉿布,緞紋;氧化鉿纖維散棉;氧化鉿(IV);氧化鉿(III)CBNumber:CB5737990分子式:HfO2分子量:210.49氧化鉿化學性質(zhì)熔點:2810°C密度:9.68g/mLat25°C(lit.)折射率:2.13(1700nm)形態(tài):powder顏色:Off-whiteAR級別氧化鉿MSDS氧化鉿的安全操作的注意事項？

應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物,，目前只有美,、法等國家在生產(chǎn)核級鋯時產(chǎn)生有氧化鉿。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級Zr,，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少,，價格昂貴,。作為鉿的主要化學產(chǎn)品，通常用作光學鍍膜材料,，很少量開始試用于高效集成電路,，氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點比較高,、同時鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook,，捕獲中子的能力強，化學性質(zhì)特別穩(wěn)定,，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價值,。自上世紀以來，光學鍍膜得到了很快的發(fā)展,，HfO2在光學方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學鍍膜技術(shù)的要求,，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***,，特別是它對光有比較寬的透明波段，在光透過氧化鉿薄膜時,，對光的吸收少,，大部分通過折射透過薄膜，因此HfO2在光學鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視,。產(chǎn)品特性與用途

應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物,，目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級鋯時產(chǎn)生有氧化鉿,。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級Zr,，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少,，價格昂貴,。作為鉿的主要化學產(chǎn)品，通常用作光學鍍膜材料,，很少量開始試用于高效集成電路,，氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點比較高,、同時鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook,，捕獲中子的能力強，化學性質(zhì)特別穩(wěn)定,，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價值,。自上世紀以來，光學鍍膜得到了很快的發(fā)展,，HfO2在光學方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學鍍膜技術(shù)的要求,，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***，特別是它對光有比較寬的透明波段,，在光透過氧化鉿薄膜時,，對光的吸收少，大部分通過折射透過薄膜,，因此HfO2在光學鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視,。氧化鉿的毒理學數(shù)據(jù)？

用途為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料,。用作耐火材料,、抗放射性涂料和催化劑。生產(chǎn)方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿,。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得,。性質(zhì)氧化鉿為白色立方晶體，比重9.68。熔點2,，758±25℃,。沸點約5，400℃,。單斜晶系的二氧化鉿在1,，475～1，600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系,。不溶于水和一般無機酸,，但在氫氟酸中緩慢溶解?；瘜W反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[ChemicalbookHf(SO4)2],，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4)，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6),，與碳在1,，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。制備氧化鉿可由鉿的碳化物,、四氯化物,、硫化物、硼化物,、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取,。應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿的閃點是多少？海南氧化鉿銷售價格

氧化鉿的化學式是多少,？內(nèi)蒙古氧化鉿眼睛防護

產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物,。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20),，較大的禁帶寬度(~5.5eV),，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認為是替代場效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料,。如果互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm,，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題,，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來Chemicalbook越薄,，但是漏電流的數(shù)值會因為量子效應(yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高,，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。內(nèi)蒙古氧化鉿眼睛防護