應用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物,，目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級鋯時產(chǎn)生有氧化鉿,。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級Zr,，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力,。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少,，價格昂貴。作為鉿的主要化學產(chǎn)品,，通常用作光學鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路,，氧化鉿在**領(lǐng)域的應用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學鍍膜領(lǐng)域的應用HfO2的熔點比較高,、同時鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook，捕獲中子的能力強,，化學性質(zhì)特別穩(wěn)定，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應用的價值,。自上世紀以來，光學鍍膜得到了很快的發(fā)展,，HfO2在光學方面的特性已經(jīng)越來越適應光學鍍膜技術(shù)的要求,，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應用也越來越***，特別是它對光有比較寬的透明波段,，在光透過氧化鉿薄膜時，對光的吸收少,，大部分通過折射透過薄膜,，因此HfO2在光學鍍膜領(lǐng)域的應用越來越被重視。生產(chǎn)方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿,。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。氧化鉿的化學式是多少？分析純氧化鉿危險性概述

物性數(shù)據(jù)1.性狀：白色粉末,。2.密度（g/mL,25℃）：9.683.相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：未確定4.熔點（oC）：21825.沸點（oC,常壓）：未確定6.沸點（oC,，1mmHg）：未確定7.折射率：未確定8.閃點（oC）：未確定9.比旋光度（o）：未確定10.自燃點或引燃溫度（oC）：未確定11.蒸氣壓（20oC）：未確定12.飽和蒸氣壓（kPa,60oC）：未確定13.燃燒熱（KJ/mol）：未確定14.臨界溫度（oC）：未確定15.臨界壓力（KPa）：未確定16.油水（辛醇/水）分配系數(shù)的對數(shù)值：未確定17.上限（%,V/V）：未確定18.下限（%,V/V）：未確定19.溶解性：未確定云南氧化鉿市面價氧化鉿的滅火方法及滅火劑,？

產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物,。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20),，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性,，HfO2被認為是替代場效應晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導體器件尺寸低于1μm,，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題,，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來Chemicalbook越薄,，但是漏電流的數(shù)值會因為量子效應的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì),。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題,。

用途為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料,、抗放射性涂料和催化劑,。生產(chǎn)方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿,。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得,。性質(zhì)氧化鉿為白色立方晶體，比重9.68,。熔點2，758±25℃,。沸點約5，400℃,。單斜晶系的二氧化鉿在1，475～1,，600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系。不溶于水和一般無機酸,，但在氫氟酸中緩慢溶解?；瘜W反應與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[ChemicalbookHf(SO4)2]，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4),，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6)，與碳在1,，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。制備氧化鉿可由鉿的碳化物,、四氯化物、硫化物,、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取,。應用領(lǐng)域氧化鉿的精確質(zhì)量是多少？

物理性質(zhì)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末,。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無定型狀態(tài),，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿,、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時,，可以得到無定型氧化鉿,。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃,，開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢,，并轉(zhuǎn)化為4個氧化鉿分子的單體,。當1700~1865℃Chemicalbook時開始轉(zhuǎn)化為四方晶系,。向氧化鉿中添加少量氧化鎂、氧化鈣,、氧化錳等氧化鉿，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體,。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣,，則晶格常數(shù)α相應從0.5082nm增加至0.5098nm,。若添加的量達到形成CaHfO3時，則晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為菱形晶系,。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3，熔點3031K,，沸點5673K,。氧化鉿的熔點是多少,？青海有口碑的氧化鉿

氧化鉿的CAS登錄號是多少,？分析純氧化鉿危險性概述

中文名二氧化鉿外文名Hafnium(IV)oxide別名氧化鉿(IV)化學式HfO2分子量210.49CAS登錄號12055-23-1EINECS登錄號235-013-2熔點2758℃沸點5400℃水溶性難溶于水密度9.68g/cm3外觀白色固體應用遠紅外波段材料

性質(zhì)白色粉末,，有單斜,、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。密度分別為10.3,，10.1和10.43g/cm3,。熔點2780～2920K。沸點5400K,。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃,。不溶于水、鹽酸和硝酸,，可溶于濃硫酸和氟氫酸,。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取,。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料,。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑,。 分析純氧化鉿危險性概述