氧化鉿性質(zhì)熔點2810°C密度9.68g/mLat25°C(lit.)折射率2.13(1700nm)形態(tài)powder顏色Off-white比重9.68水溶解性Insolubleinwater.Merck14,4588InChemicalbookChIKeyCJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-NCAS數(shù)據(jù)庫12055-23-1(CASDataBaseReference)EPA化學物質(zhì)信息Hafniumoxide(HfO2)(12055-23-1)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末,。純氧化鉿以三種形式存在,，一種是無定型狀態(tài)，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時，可以得到無定型氧化鉿,。將其氧化鉿Chemicalbook繼續(xù)加熱至450~480℃，開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體,，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢,，并轉(zhuǎn)化為4個氧化鉿分子的單體。當1700~1865℃時開始轉(zhuǎn)化為四方晶系,。氧化鉿的氫鍵供體數(shù)量,？湖北氧化鉿供應

基本信息IUPAC名稱:dioxohafnium元素含量比重:O(oxygen)15.2%、Hf(hafnium)84.8%二氧化鉿分子結(jié)構(gòu)密度:9.68g/cm3熔點:2758℃摩爾質(zhì)量:210.49g/molCAS號:12055-23-1蒸發(fā)壓力:在2678℃時1Pa;在2875℃時10Pa線膨脹系數(shù):5.6×10-6/K溶解度:不溶解于水純度:99.99薄膜特性:透光范圍~220~12000nm;折射率(250nm)~2.15(500nm)~2蒸發(fā)條件:用電子***,，氧分壓~1~2×10-2Pa,。蒸發(fā)溫度~2600~2800℃，基片溫度~250℃,，蒸發(fā)速率2nm/s應用領(lǐng)域:UV增透膜,，干涉膜海南氧化鉿氣味氧化鉿的運輸注意事項,？

制備氧化鉿可由鉿的碳化物、四氯化物,、硫化物,、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取,。應用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物,，目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級鋯時產(chǎn)生有氧化鉿,。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級Zr,，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少,，價格昂貴。作為鉿的主要化學產(chǎn)品,，通常用作光學鍍膜材料,，很少量開始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領(lǐng)域的應用尚待開發(fā),。氧化鉿在光學鍍膜領(lǐng)域的應用HChemicalbookfO2的熔點比較高,、同時鉿原子的吸收截面較大，捕獲中子的能力強,，化學性質(zhì)特別穩(wěn)定,，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應用的價值。自上世紀以來,，光學鍍膜得到了很快的發(fā)展,，HfO2在光學方面的特性已經(jīng)越來越適應光學鍍膜技術(shù)的要求，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應用也越來越***,，特別是它對光有比較寬的透明波段,，在光透過氧化鉿薄膜時，對光的吸收少,，大部分通過折射透過薄膜,，因此HfO2在光學鍍膜領(lǐng)域的應用越來越被重視。

CAS號:12055-23-1英文名稱:HAFNIUMOXIDE英文同義詞:HfO2;Hafnia;dioxohafniuM;Hafnia,felt;HAFNIUMOXIDE;Hafniaparalvei;HAFNIUM(+4)OXIDE;Hafniabulkfiber;HAFNIUMChemicalbook(IV)OXIDE;hafniumoxide(hfo2)中文名稱:氧化鉿中文同義詞:氧化鉿;氧化鉿粉;氧化鉿氈;納米氧化鉿;納米二氧化鉿;氧化鉿25G;氧化鉿布,緞紋;氧化鉿纖維散棉;氧化鉿(IV);氧化鉿(III)CBNumber:CB5737990分子式:HfO2分子量:210.49氧化鉿化學性質(zhì)熔點:2810°C密度:9.68g/mLat25°C(lit.)折射率:2.13(1700nm)形態(tài):powder顏色:Off-white氧化鉿的英文名稱是什么,？

產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物,。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20),，較大的禁帶寬度(~5.5eV),，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認為是替代場效應晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料,。如果互補金屬氧化物半導體器件尺寸低于1μm,，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會帶來芯片的發(fā)熱量增加,、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小,，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來Chemicalbook越薄,，但是漏電流的數(shù)值會因為量子效應的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì),。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2),，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題,。氧化鉿的毒理學數(shù)據(jù)？化學試劑氧化鉿價格比較

氧化鉿的 共價鍵單元數(shù)量,？湖北氧化鉿供應

氧化鉿物理化學性質(zhì)密度9.68熔點2812oC分子式HfO2分子量210.48900精確質(zhì)量211.93600PSA34.14000外觀性狀粉末折射率2.13(1700nm)儲存條件常溫密閉,，陰涼通風干燥穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸計算化學1、氫鍵供體數(shù)量：12,、氫鍵受體數(shù)量：23,、可旋轉(zhuǎn)化學鍵數(shù)量：04、拓撲分子極性表面積（TPSA）：34.15,、重原子數(shù)量：36,、表面電荷：07、復雜度：18.38,、同位素原子數(shù)量：09,、確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：010、不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：011,、確定化學鍵立構(gòu)中心數(shù)量：012,、不確定化學鍵立構(gòu)中心數(shù)量：013、共價鍵單元數(shù)量：1,。湖北氧化鉿供應