光伏探測器基于光照產(chǎn)生電勢差,，用測電勢差的原理,。它分為光電池與光電二極管兩種類型，光電池主要是把光能轉(zhuǎn)換為電能的器件,，目前有硒光電池,、硅光電池、砷化鎵及鍺光電池等,，但目前運用較廣的是硅光電池,。光電二級管分為P-N結(jié)光電二極管、PIN光電二級管,、雪崩光電二極管,、光電三級管等。PIN光電二極管又稱快速光電二極管,，與一般的光電二極管相比,，它具有不的時間常量，并使光譜響應(yīng)范轉(zhuǎn)向長波方向移動,，其峰值波長可移至1.04~1.06um而與YAG激光器的發(fā)射波長相對應(yīng),。它具有靈敏度高的優(yōu)點,。它是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間夾了一層本征半導(dǎo)體構(gòu)成的。因為本征半導(dǎo)體近似于介質(zhì),，這就相當(dāng)于增大了P-N結(jié)結(jié)電容兩個電極之間的距離,，使結(jié)電容變得很小。其次,，P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體中耗盡層的寬度是隨反向電壓增加而加寬的,，隨著反偏壓的增大，結(jié)電容也要變得很小,。由于I層的存在,，而P區(qū)一般做得很薄，入射光子只能在I層內(nèi)被吸收,，而反向偏壓主要集中在I區(qū),，形成高電場區(qū)，I區(qū)的光生載流子在強電場作用下加速運動,，所以載流子渡越時間常量減小,，從而改善了光電二極管的頻率響應(yīng)。同時I層的引入加大了耗盡區(qū),，展寬了光電轉(zhuǎn)換的有效工作區(qū)域,，從而使靈敏度得以提高。光電探測器區(qū)別于光子探測器的比較大特點是對光輻射的波長無選擇性,。廣東10G多模 PIN光電探測器要求

光電二極管的工作原理同光電池一樣,，都是基于PN結(jié)的光伏效應(yīng)工作的。主要特點是結(jié)區(qū)面積小,，通常工作于反偏置狀態(tài),。因此內(nèi)建電場很強，結(jié)區(qū)較寬,，結(jié)電容小,，因此頻率特性爺比光電池好，但光電流較小,。PIN光電二極管PN半導(dǎo)體中間夾了一層本征半導(dǎo)體,，由于本征半導(dǎo)體近似于介質(zhì)，相當(dāng)于增大了NPNj結(jié)之間的距離,，使結(jié)電容變小,。PN半導(dǎo)體中耗盡層寬度隨反向電壓增加而加寬，將P區(qū)做得很薄,，由于I層的存在,，入射光子只能在I層被吸收，因此在I層形成高電場區(qū)，I區(qū)的光電子在強電場下加速運動,，使得載流子渡越時間非常短,，因此可以有效減小時間常數(shù)，提高工作頻率特性,。廣東50GHZ PIN光電探測器質(zhì)量PIN適用于中,、短距離和中、低速率系統(tǒng),，尤以PIN/FET 組件使用較多,。

利用外光電效應(yīng)制成的光子型探測器是真空電子器件，如光電管,、光電倍增管和紅外變像管等,。這些器件都包含一個對光子敏感的光電陰極，當(dāng)光子投射到光電陰極上時,，光子可能被光電陰極中的電子吸收，獲得足夠大能量的電子能逸出光電陰極而成為自由的光電子,。在光電管中,，光電子在帶正電的陽極的作用下運動，構(gòu)成光電流,。光電倍增管與光電管的差別在于,，在光電倍增管的光電陰極與陽極之間設(shè)置了多個電位逐級上升并能產(chǎn)生二次電子的電極（稱為打拿極）。從光電陰極逸出的光電子在打拿極電壓的加速下與打拿極碰撞,，發(fā)生倍增效應(yīng),，然后形成較大的光電流信號。因此,，光電倍增管具有比光電管高得多的靈敏度,。紅外變像管是一種紅外-可見圖像轉(zhuǎn)換器,它由光電陰極、陽極和一個簡單的電子光學(xué)系統(tǒng)組成,。光電子在受到陽極加速的同時又受到電子光學(xué)系統(tǒng)的聚焦,，當(dāng)它們撞擊在與陽極相連的磷光屏上時，便發(fā)出綠色的光像信號,。

光電探測器的基本工作機理包括三個過程：(1)光生載流子在光照下產(chǎn)生;(2)載流子擴散或漂移形成電流;(3)光電流在放大電路中放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號,。當(dāng)探測器表面有光照射時，如果材料禁帶寬度小于入射光光子的能量即Eg<hv,，則價帶電子可以躍遷到導(dǎo)帶形成光電流,。當(dāng)光在半導(dǎo)體中傳輸時，光波的能量隨著傳播會逐漸衰減,，其原因是光子在半導(dǎo)體中產(chǎn)生了吸收,。半導(dǎo)體對光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。通過測試半導(dǎo)體的本征吸收光譜除了可以得到半導(dǎo)體的禁帶寬度等信息外,，還可以用來分辨直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體,。本征吸收導(dǎo)致材料的吸收系數(shù)通常比較高，由于半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)所以半導(dǎo)體具有連續(xù)的吸收譜,。從吸收譜可以看出,，當(dāng)本征吸收開始時，半導(dǎo)體的吸收譜有一明顯的吸收邊,。但是對于硅材料,，由于其是間接帶隙材料，與三五族材料相比躍遷幾率較低,，因而只有非常小的吸收系數(shù),，同時導(dǎo)致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。暗電流可以定義為沒有光入射的情況下探測器存在的漏電流,。

光電探測器的原理是由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率發(fā)生改變,。光電探測器在國民經(jīng)濟的各個領(lǐng)域有較廣的用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測,、工業(yè)自動控制,、光度計量等；在紅外波段主要用于導(dǎo)彈制導(dǎo),、紅外熱成像,、紅外遙感等方面。光電導(dǎo)體的另一應(yīng)用是用它做攝像管靶面,。為了避免光生載流子擴散引起圖像模糊,，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO,、Sb2S3等,。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個靶面由約10萬個單獨探測器組成,。光電流在外部電路作用下形成電信號并輸出,。廣東50GHZ PIN光電探測器質(zhì)量

為了達到比較好的探測器的響應(yīng)速度，需要在探測器的吸收層厚度和光電探測器的面積中折衷,。廣東10G多模 PIN光電探測器要求

半導(dǎo)體光子型探測器的性能在很大程度上取決于制備探測器所用的半導(dǎo)體材料,。本征半導(dǎo)體材料比摻雜半導(dǎo)體材料更加有用。本征半導(dǎo)體材料既能用來制作光導(dǎo)型探測器,，又能制做光伏型探測器,；而摻雜半導(dǎo)體只能做成光導(dǎo)型探測器。截止波長較長的半導(dǎo)體光子型探測器,，大多數(shù)必須在較低溫度下工作,，如77K,，38K或4.2K。同一探測器在室溫下的探測率明顯低于低溫下的探測率,。為了保持半導(dǎo)體光子型探測器的正常工作,，常把探測器置于低溫容器（杜瓦瓶）中，或用微型致冷器使探測器達到較低的工作溫度,。廣東10G多模 PIN光電探測器要求

深圳市飛博光電科技有限公司是一家生產(chǎn)型類企業(yè),，積極探索行業(yè)發(fā)展，努力實現(xiàn)產(chǎn)品創(chuàng)新,。公司致力于為客戶提供安全,、質(zhì)量有保證的良好產(chǎn)品及服務(wù)，是一家私營有限責(zé)任公司企業(yè),。以滿足顧客要求為己任,；以顧客永遠滿意為標準；以保持行業(yè)優(yōu)先為目標,，提供***的激光光源,，光放大器,，射頻放大器，光電探測器,。深圳市飛博光電將以真誠的服務(wù),、創(chuàng)新的理念、***的產(chǎn)品,，為彼此贏得全新的未來,！