光電探測器必須和光信號的調(diào)制形式,、信號頻率及波形相匹配,，以保證得到?jīng)]有頻率失真的輸出波形和良好的時間響應(yīng)。這種情況主要是選擇響應(yīng)時間短或上限頻率高的器件,，但在電路上也要注意匹配好動態(tài)參數(shù),；光電探測器必須和輸入電路在電特性上良好地匹配，以保證有足夠大的轉(zhuǎn)換系數(shù),、線性范圍,、信噪比及快速的動態(tài)響應(yīng)等；為使器件能長期穩(wěn)定可靠地工作,，必須注意選擇好器件的規(guī)格和使用的環(huán)境條件,，并且要使器件在額定條件下才能使用。相干接收：在接收設(shè)備中利用載波相位信息去檢測并接收信號,。深圳低失真光電探測器均價

雪崩光電二極管（APD）當(dāng)二極管PN結(jié)上加上足夠強(qiáng)的反向電壓的時候,，耗盡區(qū)存在一個很強(qiáng)的場,，足夠使強(qiáng)電場飄移的光生載流子獲得充分的動能來通過晶格原子碰撞產(chǎn)生新的載流子，新的載流子再次碰撞形成更多載流子,，這樣就實現(xiàn)了雪崩式的載流子倍增,。但這同時也會造成噪聲的放大當(dāng)入射光功率腳較小時，多采用APD,，此時引入的噪聲不大,，在入射光功率較大時，雪崩增益引起的噪聲貢獻(xiàn)占主要優(yōu)勢,，可能帶來光電流的失真,，采用APD帶來的好處不大，采用PIN更為合適,。廣東7GHZ APD光電探測器推薦貨源光電探測器件的應(yīng)用選擇,，實際上是應(yīng)用時的一些事項或要點。

在光照射下,，半導(dǎo)體PN結(jié)中的原子因吸收光子而受到激發(fā),。光子能量大于禁帶時會產(chǎn)生電子-空穴對的非平衡載流子，在內(nèi)建電場的作用下空穴移向P區(qū),，電子移向N區(qū),，形成與內(nèi)建電場方向相反的光生電場，于是在P區(qū)和N區(qū)間建立了光生電動勢,。這種光照無偏置的PN結(jié)所產(chǎn)生的光生電動勢的現(xiàn)象稱為光生伏特的效應(yīng),，相當(dāng)于在PN結(jié)兩端施加正向電壓。與光電導(dǎo)效應(yīng)相反,，光伏效應(yīng)是一種少數(shù)載流子過程,，少數(shù)載流子壽命通常短于多數(shù)載流子，也因此光伏效應(yīng)的光電探測器通常比用相同材料制成的光電導(dǎo)探測器響應(yīng)更快,。

光電探測器的光電轉(zhuǎn)換特性必須和入射輻射能量相匹配,。其中首先要注意器件的感光面要和照射光匹配好，因光源必須照到器件的有效位置,，如光照位置發(fā)生變化,，則光電靈敏度將發(fā)生變化。如光敏電阻是一個可變電阻,，有光照的部分電阻就降低,，必須使光線照在兩電極間的全部電阻體上，以便有效地利用全部感光面,。光電二極管,、光電三極管的感光面只是結(jié)附近的一個極小的面積，故一般把透鏡作為光的入射窗,，要把透鏡的焦點與感光的靈敏點對準(zhǔn),。一定要使入射通量的變化中心處于檢測器件光電特性的線性范圍內(nèi),，以確保獲得良好的線性輸出。對微弱的光信號,，器件必須有合適的靈敏度,，以確保一定的信噪比和輸出足夠強(qiáng)的電信號。利用內(nèi)光電效應(yīng)制成的光子型探測器是用半導(dǎo)體材料制成的固態(tài)電子器件,，包括光電導(dǎo)探測器和光伏型探測器等,。

雪崩效應(yīng)只是APD的工作原理，和工作模式不是一個東西,。APD工作模式分蓋革模式和線型模式,，區(qū)別在于線型模式偏置電壓低于反向擊穿電壓，蓋格模式偏置電壓高于擊穿電壓,。線性模式下APD就是一個增益高的普通光電二極管,。蓋格模式下APD接受到光子后就會進(jìn)入并一直處于反向擊穿狀態(tài)，APD一直通過一個很大的反向電流,。這時，通過外部電路使偏置電壓暫時下降至擊穿電壓之下,，APD從反向擊穿模式恢復(fù),，等待下一個光子，所以蓋格模式通常只適用與單光子計數(shù)應(yīng)用,。光電二極管的工作原理同光電池一樣,，都是基于PN結(jié)的光伏效應(yīng)工作的。7GHZ APD光電探測器價格行情

APD適用于接收靈敏度要求高的長距離傳輸和高速率通信系統(tǒng),。深圳低失真光電探測器均價

光電探測器的基本工作機(jī)理包括三個過程：(1)光生載流子在光照下產(chǎn)生;(2)載流子擴(kuò)散或漂移形成電流;(3)光電流在放大電路中放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號,。當(dāng)探測器表面有光照射時，如果材料禁帶寬度小于入射光光子的能量即Eg<hv,，則價帶電子可以躍遷到導(dǎo)帶形成光電流,。當(dāng)光在半導(dǎo)體中傳輸時，光波的能量隨著傳播會逐漸衰減,，其原因是光子在半導(dǎo)體中產(chǎn)生了吸收,。半導(dǎo)體對光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷,。通過測試半導(dǎo)體的本征吸收光譜除了可以得到半導(dǎo)體的禁帶寬度等信息外,，還可以用來分辨直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體。本征吸收導(dǎo)致材料的吸收系數(shù)通常比較高,，由于半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)所以半導(dǎo)體具有連續(xù)的吸收譜,。從吸收譜可以看出，當(dāng)本征吸收開始時,，半導(dǎo)體的吸收譜有一明顯的吸收邊,。但是對于硅材料,，由于其是間接帶隙材料，與三五族材料相比躍遷幾率較低,，因而只有非常小的吸收系數(shù),，同時導(dǎo)致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。深圳低失真光電探測器均價

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