光電探測(cè)器的工作原理是基于光電效應(yīng),，熱探測(cè)器基于材料吸收了光輻射能量后溫度升高，從而改變了它的電學(xué)性能,，它區(qū)別于光子探測(cè)器的比較大特點(diǎn)是對(duì)光輻射的波長無選擇性,。光電子發(fā)射器件：光電管與光電倍增管是典型的光電子發(fā)射型（外光電效應(yīng)）探測(cè)器件。其主要特點(diǎn)是靈敏度高,，穩(wěn)定性好,，響應(yīng)速度快和噪聲小，是一種電流放大器件,。尤其是光電倍增管具有很高的電流增益,，特別適于探測(cè)微弱光信號(hào)；但它結(jié)構(gòu)復(fù)雜,，工作電壓高,，體積較大。光電倍增管一般用于測(cè)弱輻射而且響應(yīng)速度要求較高的場(chǎng)合,，如人造衛(wèi)星的激光測(cè)距儀,、光雷達(dá)等。光生伏特的效應(yīng)是指光照使不均勻半導(dǎo)體或半導(dǎo)體與金屬結(jié)合的不同部位之間產(chǎn)生電位差的現(xiàn)象,。飛博光電高轉(zhuǎn)換效率光電探測(cè)器要求

為了提高傳輸效率并且無畸變地變換光電信號(hào),，光電探測(cè)器不僅要和被測(cè)信號(hào)、光學(xué)系統(tǒng)相匹配,，而且要和后續(xù)的電子線路在特性和工作參數(shù)上相匹配,，使每個(gè)相互連接的器件都處于比較好的工作狀態(tài)。現(xiàn)將光電探測(cè)器件的應(yīng)用選擇要點(diǎn)歸納如下：光電探測(cè)器必須和輻射信號(hào)源及光學(xué)系統(tǒng)在光譜特性上相匹配,。如果測(cè)量波長是紫外波段,，則選用光電倍增管或?qū)ｉT的紫外光電半導(dǎo)體器件；如果信號(hào)是可見光,，則可選用光電倍增管,、光敏電阻和Si光電器件,；如果是紅外信號(hào)，則選用光敏電阻,，近紅外選用Si光電器件或光電倍增管,；飛博光電高轉(zhuǎn)換效率光電探測(cè)器要求可接收的光功率的大小是由探測(cè)器的暗電流決定的。

為了提高傳輸效率并且無畸變地變換光電信號(hào),，光電探測(cè)器不僅要和被測(cè)信號(hào),、光學(xué)系統(tǒng)相匹配，而且要和后續(xù)的電子線路在特性和工作參數(shù)上相匹配,，使每個(gè)相互連接的器件都處于比較好的工作狀態(tài)?，F(xiàn)將光電探測(cè)器件的應(yīng)用選擇要點(diǎn)歸納如下：光電探測(cè)器必須和輻射信號(hào)源及光學(xué)系統(tǒng)在光譜特性上相匹配。如果測(cè)量波長是紫外波段,，則選用光電倍增管或?qū)ｉT的紫外光電半導(dǎo)體器件,；如果信號(hào)是可見光，則可選用光電倍增管,、光敏電阻和Si光電器件,；如果是紅外信號(hào)，則選用光敏電阻,，近紅外選用Si光電器件或光電倍增管,。

當(dāng)光線照在物體上,，使物體的電導(dǎo)率發(fā)生變化,，或產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象叫內(nèi)光電效應(yīng)。利用這種現(xiàn)象可以制成陰極射線管,、光電倍增管和攝像管的光陰極等,。半導(dǎo)體材料的價(jià)帶與導(dǎo)帶間有一個(gè)帶隙，其能量間隔為Eg,。一般情況下,，價(jià)帶中的電子不會(huì)自發(fā)地躍遷到導(dǎo)帶，所以半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性遠(yuǎn)不如導(dǎo)體,。但如果通過某種方式給價(jià)帶中的電子提供能量,，就可以將其激發(fā)到導(dǎo)帶中，形成載流子,，增加導(dǎo)電性,。光照就是一種激勵(lì)方式。當(dāng)入射光的能量hν≥Eg(Eg為帶隙間隔)時(shí),，價(jià)帶中的電子就會(huì)吸收光子的能量,，躍遷到導(dǎo)帶，而在價(jià)帶中下一個(gè)空穴,，形成一對(duì)可以導(dǎo)電的電子——空穴對(duì),。這里的電子并未逸出形成光電子，但顯然存在著由于光照而產(chǎn)生的電效應(yīng)。因此,這種光電效應(yīng)就是一種內(nèi)光電效應(yīng),。從理論和實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析,要使價(jià)帶中的電子躍遷到導(dǎo)帶,也存在一個(gè)入射光的極限能量,即Eλ=hν0=Eg,其中ν0是低頻限(即極限頻率ν0=Egh),。這個(gè)關(guān)系也可以用長波限表示,即λ0=hcEg。入射光的頻率大于ν0或波長小于λ0時(shí),才會(huì)發(fā)生電子的帶間躍遷,。當(dāng)入射光能量較小,不能使電子由價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶時(shí),有可能使電子吸收光能后,在一個(gè)能帶內(nèi)的亞能級(jí)結(jié)構(gòu)間躍遷,。非相干接收：在接收設(shè)備中不用載波相位信息去檢測(cè)就接收信號(hào)。

固體光電探測(cè)器用途非常廣,。CdS光敏電阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自動(dòng)曝光）中得到采用,；光電池是固體光電器件中具有比較大光敏面積的器件，它除用做探測(cè)器件外,，還可作太陽能變換器,；硅光電二極管體積小、響應(yīng)快,、可靠性高,，而且在可見光與近紅外波段內(nèi)有較高的量子效率，因而在各種工業(yè)控制中獲得應(yīng)用,。硅雪崩管由于增益高,、響應(yīng)快、噪聲小,，因而在激光測(cè)距與光纖通信中普遍采用,。photoconductivedetector利用半導(dǎo)體材料的光電導(dǎo)效應(yīng)制成的一種光探測(cè)器件。所謂光電導(dǎo)效應(yīng),，是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象,。光電導(dǎo)探測(cè)器在國民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有較廣用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測(cè)量和探測(cè),、工業(yè)自動(dòng)控制,、光度計(jì)量等；在紅外波段主要用于導(dǎo)彈制導(dǎo),、紅外熱成像,、紅外遙感等方面。光電導(dǎo)體的另一應(yīng)用是用它做攝像管靶面,。為了避免光生載流子擴(kuò)散引起圖像模糊,，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等,。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法,，整個(gè)靶面由約10萬個(gè)單獨(dú)探測(cè)器組成。當(dāng)光在半導(dǎo)體中傳輸時(shí),，光波的能量隨著傳播會(huì)逐漸衰減,。石巖低失真光電探測(cè)器設(shè)計(jì)

光電探測(cè)器在國際和國民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有很多用途,。飛博光電高轉(zhuǎn)換效率光電探測(cè)器要求

光電探測(cè)器在光通信系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)將光轉(zhuǎn)變成電的作用，這主要是基于半導(dǎo)體材料的光生伏特的效應(yīng),，所謂的光生伏特X應(yīng)是指光照使不均勻半導(dǎo)體或半導(dǎo)體與金屬結(jié)合的不同部位之間產(chǎn)生電位差的現(xiàn)象,。(光電導(dǎo)效應(yīng)是指在光線作用下，電子吸收光子能量從鍵合狀態(tài)過度到自由狀態(tài),，而引起材料電導(dǎo)率的變化的象,。即當(dāng)光照射到光電導(dǎo)體上時(shí)，若這個(gè)光電導(dǎo)體為本征半導(dǎo)體材料,，且光輻射能量又足夠強(qiáng),，光電材料價(jià)帶上的電子將被激發(fā)到導(dǎo)帶上去，使光導(dǎo)體的電導(dǎo)率變大是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象,，光子作用于光電導(dǎo)材料,，形成本征吸收或雜質(zhì)吸收，產(chǎn)生附加的光生載流子,，從而使半導(dǎo)體的電導(dǎo)率發(fā)生變化,，產(chǎn)生光電導(dǎo)效應(yīng)。)飛博光電高轉(zhuǎn)換效率光電探測(cè)器要求

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