PN結(jié)加正向電壓時(shí),，產(chǎn)生多子電流，與光生電流方向相反,，并且電流比光生電流大得多,，此時(shí)無(wú)法作為光探測(cè)器。PN結(jié)處于反向偏壓狀態(tài)時(shí),，產(chǎn)生的光電子會(huì)被反向偏壓迅速通過(guò)電場(chǎng)與電極收集,，產(chǎn)生反向光電流，通過(guò)檢測(cè)光電流大小即可得到光功率強(qiáng)度,。處于零偏壓的PN結(jié)可作為光電池使用,。一個(gè)大面積的PN結(jié)，做好上下極的接觸引線便構(gòu)成一個(gè)光電池,。一般光敏面做成梳齒狀,，可以減小光生載流子的復(fù)合以提高能量轉(zhuǎn)換效率，減小串聯(lián)電阻,。對(duì)于光電池,，負(fù)載電阻較大時(shí)，輸出線性較差,，可獲得較大的輸出電壓,，對(duì)于不同的入射光強(qiáng)，也會(huì)具有不同的最大輸入功率,，往往采用多個(gè)光電池的串-并聯(lián)組合運(yùn)用,。為了達(dá)到比較好的探測(cè)器的響應(yīng)速度，需要在探測(cè)器的吸收層厚度和光電探測(cè)器的面積中折衷,。2GHZ APD光電探測(cè)器廠家現(xiàn)貨

在光電探測(cè)器中利用表面等離子體共振效應(yīng)可以有效地增強(qiáng)器件的光吸收,，擴(kuò)展器件的光吸收譜，從而產(chǎn)生更多的電子空穴對(duì),，提高器件的響應(yīng)電流，并且共振波長(zhǎng)能夠被金屬納米結(jié)構(gòu)的介電環(huán)境,，尺寸和形狀所改變,，從而調(diào)節(jié)吸收波段。規(guī)律性分布的金屬納米結(jié)構(gòu),，如孔陣列或者柵線等,，能夠和光發(fā)生相互作用，從而提升器件的光吸收能力,。除此之外,，從圖中能夠看出在金屬納米粒子的表面存在著大量自由振蕩的電子,，并且其具有一定的頻率，當(dāng)這個(gè)頻率與入射光的頻率相等時(shí),，那么在金屬納米粒子表面的局部區(qū)域內(nèi)光子與電子發(fā)生共振,，從而極大地增強(qiáng)了器件對(duì)光的吸收。后者的激發(fā)條件比較簡(jiǎn)單,，即金屬納米粒子的大小應(yīng)小于入射光的波長(zhǎng),，且改變其大小能夠調(diào)控共振波段，因此可調(diào)節(jié)性更好,，應(yīng)用更加靈活,，被較廣地用于加強(qiáng)器件的性能。廣東2GHZ APD光電探測(cè)器均價(jià)光電探測(cè)器的性能指標(biāo)主要由量子效率,、響應(yīng)度,、響應(yīng)速度和本征帶寬、光電流,，暗電流和噪聲等指標(biāo)組成,。

為了提高傳輸效率并且無(wú)畸變地變換光電信號(hào)，光電探測(cè)器不僅要和被測(cè)信號(hào),、光學(xué)系統(tǒng)相匹配,，而且要和后續(xù)的電子線路在特性和工作參數(shù)上相匹配，使每個(gè)相互連接的器件都處于比較好的工作狀態(tài)?，F(xiàn)將光電探測(cè)器件的應(yīng)用選擇要點(diǎn)歸納如下：光電探測(cè)器必須和輻射信號(hào)源及光學(xué)系統(tǒng)在光譜特性上相匹配,。如果測(cè)量波長(zhǎng)是紫外波段，則選用光電倍增管或?qū)ｉT的紫外光電半導(dǎo)體器件,；如果信號(hào)是可見光,，則可選用光電倍增管、光敏電阻和Si光電器件,；如果是紅外信號(hào),，則選用光敏電阻，近紅外選用Si光電器件或光電倍增管,。

光電探測(cè)器的基本工作機(jī)理包括三個(gè)過(guò)程：(1)光生載流子在光照下產(chǎn)生;(2)載流子擴(kuò)散或漂移形成電流;(3)光電流在放大電路中放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào),。當(dāng)探測(cè)器表面有光照射時(shí)，如果材料禁帶寬度小于入射光光子的能量即Eg<hv,，則價(jià)帶電子可以躍遷到導(dǎo)帶形成光電流,。當(dāng)光在半導(dǎo)體中傳輸時(shí)，光波的能量隨著傳播會(huì)逐漸衰減,，其原因是光子在半導(dǎo)體中產(chǎn)生了吸收,。半導(dǎo)體對(duì)光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。通過(guò)測(cè)試半導(dǎo)體的本征吸收光譜除了可以得到半導(dǎo)體的禁帶寬度等信息外,，還可以用來(lái)分辨直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體,。本征吸收導(dǎo)致材料的吸收系數(shù)通常比較高，由于半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)所以半導(dǎo)體具有連續(xù)的吸收譜,。從吸收譜可以看出,，當(dāng)本征吸收開始時(shí)，半導(dǎo)體的吸收譜有一明顯的吸收邊,。但是對(duì)于硅材料,，由于其是間接帶隙材料，與三五族材料相比躍遷幾率較低,，因而只有非常小的吸收系數(shù),，同時(shí)導(dǎo)致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。半導(dǎo)體對(duì)光子的吸收主要的吸收為本征吸收,，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷,。

雪崩光電二極管（APD）當(dāng)二極管PN結(jié)上加上足夠強(qiáng)的反向電壓的時(shí)候，耗盡區(qū)存在一個(gè)很強(qiáng)的場(chǎng),，足夠使強(qiáng)電場(chǎng)飄移的光生載流子獲得充分的動(dòng)能來(lái)通過(guò)晶格原子碰撞產(chǎn)生新的載流子,，新的載流子再次碰撞形成更多載流子，這樣就實(shí)現(xiàn)了雪崩式的載流子倍增,。但這同時(shí)也會(huì)造成噪聲的放大當(dāng)入射光功率腳較小時(shí),，多采用APD，此時(shí)引入的噪聲不大,，在入射光功率較大時(shí),，雪崩增益引起的噪聲貢獻(xiàn)占主要優(yōu)勢(shì)，可能帶來(lái)光電流的失真,，采用APD帶來(lái)的好處不大,，采用PIN更為合適。光電探測(cè)器在國(guó)際和國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有很多用途,。飛博光電相干接收機(jī)光電探測(cè)器24小時(shí)服務(wù)

在相干光通信中主要利用了相干調(diào)制和外差檢測(cè)技術(shù),。2GHZ APD光電探測(cè)器廠家現(xiàn)貨

固體光電探測(cè)器用途非常廣。CdS光敏電阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自動(dòng)曝光）中得到采用,；光電池是固體光電器件中具有比較大光敏面積的器件,，它除用做探測(cè)器件外，還可作太陽(yáng)能變換器,；硅光電二極管體積小,、響應(yīng)快、可靠性高,，而且在可見光與近紅外波段內(nèi)有較高的量子效率，因而在各種工業(yè)控制中獲得應(yīng)用。硅雪崩管由于增益高,、響應(yīng)快,、噪聲小，因而在激光測(cè)距與光纖通信中普遍采用,。photoconductivedetector利用半導(dǎo)體材料的光電導(dǎo)效應(yīng)制成的一種光探測(cè)器件,。所謂光電導(dǎo)效應(yīng)，是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象,。光電導(dǎo)探測(cè)器在國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有較廣用途,。在可見光或近紅外波段主要用于射線測(cè)量和探測(cè)、工業(yè)自動(dòng)控制,、光度計(jì)量等,；在紅外波段主要用于導(dǎo)彈制導(dǎo)、紅外熱成像,、紅外遙感等方面,。光電導(dǎo)體的另一應(yīng)用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴(kuò)散引起圖像模糊,，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO,、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法,，整個(gè)靶面由約10萬(wàn)個(gè)單獨(dú)探測(cè)器組成,。2GHZ APD光電探測(cè)器廠家現(xiàn)貨

深圳市飛博光電科技有限公司是一家（1）寬帶光源、可調(diào)諧光源,、ASE,、DTS 光源等測(cè)試設(shè)備和模塊 （2）窄線寬激光器、鈮酸鋰調(diào)制器,、光電探測(cè)器,，光放大器等器件。 （3）保偏跳線,、波分復(fù)用器,、保偏耦合器等無(wú)源器件。 （4）多款集成相干發(fā)射機(jī)器件,。的公司,，是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì),、生產(chǎn)和銷售為一體的專業(yè)化公司,。公司自創(chuàng)立以來(lái)，投身于激光光源,，光放大器,，射頻放大器,，光電探測(cè)器，是通信產(chǎn)品的主力軍,。深圳市飛博光電不斷開拓創(chuàng)新,，追求出色，以技術(shù)為先導(dǎo),，以產(chǎn)品為平臺(tái),，以應(yīng)用為重點(diǎn)，以服務(wù)為保證,，不斷為客戶創(chuàng)造更高價(jià)值,，提供更優(yōu)服務(wù)。深圳市飛博光電始終關(guān)注通信產(chǎn)品市場(chǎng),，以敏銳的市場(chǎng)洞察力,，實(shí)現(xiàn)與客戶的成長(zhǎng)共贏。