利用內(nèi)光電效應(yīng)制成的光子型探測(cè)器是用半導(dǎo)體材料制成的固態(tài)電子器件,，主要包括光電導(dǎo)探測(cè)器和光伏型探測(cè)器等,。光電導(dǎo)探測(cè)器具有光電導(dǎo)效應(yīng),，是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象。當(dāng)照射的光子能量hv等于或大于半導(dǎo)體的禁帶寬度Eg時(shí),，光子能夠?qū)r(jià)帶中的電子激發(fā)到導(dǎo)帶,，從而產(chǎn)生導(dǎo)電的電子、空穴對(duì),這就是本征光電導(dǎo)效應(yīng),。光伏型探測(cè)器通常由半導(dǎo)體PN結(jié)構(gòu)成,，其原理是利用PN結(jié)的內(nèi)建電場(chǎng)將光生載流子（用光照射半導(dǎo)體時(shí)，若光子的能量等于或大于半導(dǎo)體的禁帶寬度,，則價(jià)帶中的電子吸收光子后進(jìn)入導(dǎo)帶,，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)）掃出結(jié)區(qū)而形成信號(hào)。當(dāng)探測(cè)器受到光照(輻照),、體內(nèi)發(fā)生本征光吸收時(shí),，產(chǎn)生兩種帶相反電荷的光生載流子（電子和空穴）。這兩種光生載流子一開(kāi)始局限于光照區(qū),，隨后由于存在濃度梯度,，其中一部分?jǐn)U散到PN結(jié)區(qū)，在PN結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)的作用下,，分別聚集到結(jié)的兩端,，形成電壓信號(hào)。如PN結(jié)兩端連成一個(gè)回路,，則形成電流信號(hào),。APD適用于接收靈敏度要求高的長(zhǎng)距離傳輸和高速率通信系統(tǒng)。石巖30G PIN光電探測(cè)器廠家直銷(xiāo)

光電三級(jí)管與光電二極管比較,，光電三級(jí)管輸出電流較大，一般在毫安級(jí),，但光照特性較差,，多用于要求輸出電流較大的場(chǎng)合。光電三極管有pnp和npn型兩種結(jié)構(gòu),，常用材料有硅和鍺,。例如用硅材料制作的npn型結(jié)有3DU型,，pnp型有3CU型。采用硅npn型光電三極管,，其暗電流比鍺光電三極管小,，且受溫度變化影響小，所以得到位廣泛應(yīng)用,。下面以3DU型光電三極管為例說(shuō)明它的結(jié)構(gòu),、工作原理與主要特性。3DU型光電三極管是以p型硅為基極的三極管,。3DU管的結(jié)構(gòu)和普通晶體管類(lèi)似,，只是在材料的摻雜情況、結(jié)面積的大小和基極引線的設(shè)置上和普通晶體管不同,。因?yàn)楣怆娙龢O管要響應(yīng)光輻射,，受光面即集電結(jié)（bc結(jié)）面積比一般晶體管大。另外,，它是利用光控制集電極電流的,，所以在基極上既可設(shè)置引線進(jìn)行電控制，也可以不設(shè),，完全同光一控制,。它的工作原理是工作時(shí)各電極所加的電壓與普通晶體管相同，即要保證集電結(jié)反偏置,，發(fā)射正偏聽(tīng)偏置,。由于集電結(jié)是反偏壓，在結(jié)區(qū)有很強(qiáng)的內(nèi)建電場(chǎng),，對(duì)3DU管來(lái)講,，內(nèi)建電場(chǎng)方向是由c到b的。和光電二極管工作原理相同,。深圳雪崩光電探測(cè)器代加工為了達(dá)到比較好的探測(cè)器的響應(yīng)速度,，需要在探測(cè)器的吸收層厚度和光電探測(cè)器的面積中折衷。

1873年,，英國(guó)W.史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導(dǎo)效應(yīng),，但是這種效應(yīng)長(zhǎng)期處于探索研究階段，未獲實(shí)際應(yīng)用,。第二次世界大戰(zhàn)以后,，隨著半導(dǎo)體的發(fā)展，各種新的光電導(dǎo)材料不斷出現(xiàn),。在可見(jiàn)光波段方面,，到50年代中期，性能良好的硫化鎘,、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測(cè)器都已投入使用,。60年代初,，中遠(yuǎn)紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導(dǎo)探測(cè)器研制成功,，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導(dǎo)探測(cè)器,。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進(jìn)展,。在60年代初以前還沒(méi)有研制出適用的窄禁帶寬度的半導(dǎo)體材料,，因而人們利用非本征光電導(dǎo)效應(yīng)。Ge,、Si等材料的禁帶中存在各種深度的雜質(zhì)能級(jí),，照射的光子能量只要等于或大于雜質(zhì)能級(jí)的離化能，就能夠產(chǎn)生光生自由電子或自由空穴,。非本征光電導(dǎo)體的響應(yīng)長(zhǎng)波限λ由下式求得λc=1.24/Ei式中Ei表示雜質(zhì)能級(jí)的離化能,。

光電探測(cè)器的光電轉(zhuǎn)換特性必須和入射輻射能量相匹配。其中首先要注意器件的感光面要和照射光匹配好,，因光源必須照到器件的有效位置,，如光照位置發(fā)生變化，則光電靈敏度將發(fā)生變化,。如光敏電阻是一個(gè)可變電阻,，有光照的部分電阻就降低，必須使光線照在兩電極間的全部電阻體上,，以便有效地利用全部感光面,。光電二極管、光電三極管的感光面只是結(jié)附近的一個(gè)極小的面積,，故一般把透鏡作為光的入射窗,，要把透鏡的焦點(diǎn)與感光的靈敏點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)。一定要使入射通量的變化中心處于檢測(cè)器件光電特性的線性范圍內(nèi),，以確保獲得良好的線性輸出,。對(duì)微弱的光信號(hào)，器件必須有合適的靈敏度,，以確保一定的信噪比和輸出足夠強(qiáng)的電信號(hào),。光生載流子在雪崩區(qū)即高電場(chǎng)區(qū)發(fā)生雪崩倍增。

光通信雖然以光作為傳播媒介,，但歸根結(jié)底還是基于電的,。光載波需要使用電信號(hào)來(lái)進(jìn)行調(diào)制，接收機(jī)接收到光信號(hào)也需要將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào),，才能獲得所攜帶的信息,。光的帶寬暫且可以認(rèn)為是無(wú)限的，但是電信號(hào)的帶寬不可能無(wú)限提高,。相對(duì)于低頻信號(hào),，高頻信號(hào)有著更高的損耗（包括導(dǎo)線損耗、介質(zhì)損耗以及電磁輻射等）,，這就導(dǎo)致信號(hào)通路的頻率響應(yīng)是一條向下的曲線,，高頻成分的減少導(dǎo)致上升下降時(shí)間會(huì)比原來(lái)更長(zhǎng)（因?yàn)楦叽沃C波比低次諧波更為陡峭，這點(diǎn)很容易理解）,。因此帶寬的選擇對(duì)時(shí)域波形的較短上升邊有直接的影響,。光電探測(cè)器的原理是由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率發(fā)生改變。石巖10G多模 PIN光電探測(cè)器型號(hào)

光電流在外部電路作用下形成電信號(hào)并輸出,。石巖30G PIN光電探測(cè)器廠家直銷(xiāo)

光電探測(cè)器的原理是由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率發(fā)生改變,。光電探測(cè)器在國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有較廣的用途。在可見(jiàn)光或近紅外波段主要用于射線測(cè)量和探測(cè),、工業(yè)自動(dòng)控制,、光度計(jì)量等；在紅外波段主要用于導(dǎo)彈制導(dǎo),、紅外熱成像,、紅外遙感等方面。光電導(dǎo)體的另一應(yīng)用是用它做攝像管靶面,。為了避免光生載流子擴(kuò)散引起圖像模糊,，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO,、Sb2S3等,。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個(gè)靶面由約10萬(wàn)個(gè)單獨(dú)探測(cè)器組成,。石巖30G PIN光電探測(cè)器廠家直銷(xiāo)

深圳市飛博光電科技有限公司在激光光源,，光放大器，射頻放大器,，光電探測(cè)器一直在同行業(yè)中處于較強(qiáng)地位,，無(wú)論是產(chǎn)品還是服務(wù)，其高水平的能力始終貫穿于其中,。深圳市飛博光電是我國(guó)通信產(chǎn)品技術(shù)的研究和標(biāo)準(zhǔn)制定的重要參與者和貢獻(xiàn)者,。深圳市飛博光電以激光光源，光放大器,，射頻放大器,，光電探測(cè)器為主業(yè)，服務(wù)于通信產(chǎn)品等領(lǐng)域,，為全國(guó)客戶提供先進(jìn)激光光源,，光放大器，射頻放大器，光電探測(cè)器,。產(chǎn)品已銷(xiāo)往多個(gè)國(guó)家和地區(qū),，被國(guó)內(nèi)外眾多企業(yè)和客戶所認(rèn)可。