相干光通信系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)如下圖所示,。在發(fā)送端,，采用外調(diào)制方式將信號(hào)調(diào)制到光載波上進(jìn)行傳輸,。當(dāng)信號(hào)光傳輸?shù)竭_(dá)接收端時(shí),，首先與一本振光信號(hào)進(jìn)行相干耦合,，然后由平衡接收機(jī)進(jìn)行探測(cè),。相干光通信根據(jù)本振光頻率與信號(hào)光頻率不等或相等,，可分為外差檢測(cè)和零差檢測(cè),。前者光信號(hào)經(jīng)光電轉(zhuǎn)換后獲得的是中頻信號(hào),，還需二次解調(diào)才能被轉(zhuǎn)換成基帶信號(hào)。后者光信號(hào)經(jīng)光電轉(zhuǎn)換后被直接轉(zhuǎn)換成基帶信號(hào),，不用二次解調(diào),，但它要求本振光頻率與信號(hào)光頻率嚴(yán)格匹配，并且要求本振光與信號(hào)光的相位鎖定,。光子型探測(cè)器是有選擇性響應(yīng)波長(zhǎng)的探測(cè)器件,。低失真光電探測(cè)器交易價(jià)格

相干光通信的理論和實(shí)驗(yàn)始于80年代。由于相干光通信系統(tǒng)被公認(rèn)為具有靈敏度高的優(yōu)勢(shì),，各國(guó)在相干光傳輸技術(shù)上做了大量研究工作,。經(jīng)過(guò)十年的研究，相干光通信進(jìn)入實(shí)用階段,。英美日等國(guó)相繼進(jìn)行了一系列相干光通信實(shí)驗(yàn),。AT&T及Bell公司于1989和1990年在賓州的羅靈—克里克地面站與森伯里樞紐站間先后進(jìn)行了1.3μm和1.55μm波長(zhǎng)的1.7Gbit/sFSK現(xiàn)場(chǎng)無(wú)中繼相干傳輸實(shí)驗(yàn)，相距35公里,，接收靈敏度達(dá)到-41.5dBm,。NTT公司于1990年在瀨戶內(nèi)陸海的大分—尹予和吳站之間進(jìn)行了2.5Gbit/sCPFSK相干傳輸實(shí)驗(yàn)，總長(zhǎng)431公里,。直到19世紀(jì)80年代末,，EDFA和WDM技術(shù)的發(fā)展，使得相干光通信技術(shù)的發(fā)展緩慢下來(lái),。在這段時(shí)期,，靈敏度和每個(gè)通道的信息容量已經(jīng)不再備受關(guān)注,。然而,，直接檢測(cè)的WDM系統(tǒng)經(jīng)過(guò)二十年的發(fā)展和廣泛應(yīng)用后,，新的征兆開(kāi)始出現(xiàn)，標(biāo)志著相干光傳輸技術(shù)的應(yīng)用將再次受到重視,。在數(shù)字通信方面,，擴(kuò)大C波段放大器的容量，克服光纖色散效應(yīng)的惡化,，以及增加自由空間傳輸?shù)娜萘亢头秶殉蔀橹匾目紤]因素,。在模擬通信方面，靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍成為系統(tǒng)的關(guān)鍵參數(shù),，而他們都能通過(guò)相關(guān)光通信技術(shù)得到很大改善,。深圳高靈敏度光電探測(cè)器訂制價(jià)格光電探測(cè)器能把光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。

光電探測(cè)器的基本工作機(jī)理包括三個(gè)過(guò)程：(1)光生載流子在光照下產(chǎn)生;(2)載流子擴(kuò)散或漂移形成電流;(3)光電流在放大電路中放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào),。當(dāng)探測(cè)器表面有光照射時(shí),，如果材料禁帶寬度小于入射光光子的能量即Eg<hv，則價(jià)帶電子可以躍遷到導(dǎo)帶形成光電流,。當(dāng)光在半導(dǎo)體中傳輸時(shí),，光波的能量隨著傳播會(huì)逐漸衰減，其原因是光子在半導(dǎo)體中產(chǎn)生了吸收,。半導(dǎo)體對(duì)光子的吸收主要的吸收為本征吸收,，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。通過(guò)測(cè)試半導(dǎo)體的本征吸收光譜除了可以得到半導(dǎo)體的禁帶寬度等信息外,，還可以用來(lái)分辨直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體,。本征吸收導(dǎo)致材料的吸收系數(shù)通常比較高，由于半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)所以半導(dǎo)體具有連續(xù)的吸收譜,。從吸收譜可以看出,，當(dāng)本征吸收開(kāi)始時(shí)，半導(dǎo)體的吸收譜有一明顯的吸收邊,。但是對(duì)于硅材料,，由于其是間接帶隙材料，與三五族材料相比躍遷幾率較低,，因而只有非常小的吸收系數(shù),，同時(shí)導(dǎo)致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。

光電探測(cè)器的原理是由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率發(fā)生改變,。光電探測(cè)器在國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有較廣的用途,。在可見(jiàn)光或近紅外波段主要用于射線測(cè)量和探測(cè)、工業(yè)自動(dòng)控制,、光度計(jì)量等,；在紅外波段主要用于導(dǎo)彈制導(dǎo)、紅外熱成像,、紅外遙感等方面,。光電導(dǎo)體的另一應(yīng)用是用它做攝像管靶面,。為了避免光生載流子擴(kuò)散引起圖像模糊，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料,，如PbS-PbO,、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法,，整個(gè)靶面由約10萬(wàn)個(gè)單獨(dú)探測(cè)器組成,。光電探測(cè)器的電路模型中包含的電阻為其熱噪聲的主要來(lái)源。

光電探測(cè)器在光通信系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)將光轉(zhuǎn)變成電的作用,，這主要是基于半導(dǎo)體材料的光生伏特的效應(yīng),，所謂的光生伏特X應(yīng)是指光照使不均勻半導(dǎo)體或半導(dǎo)體與金屬結(jié)合的不同部位之間產(chǎn)生電位差的現(xiàn)象。(光電導(dǎo)效應(yīng)是指在光線作用下,，電子吸收光子能量從鍵合狀態(tài)過(guò)度到自由狀態(tài),，而引起材料電導(dǎo)率的變化的象。即當(dāng)光照射到光電導(dǎo)體上時(shí),，若這個(gè)光電導(dǎo)體為本征半導(dǎo)體材料,，且光輻射能量又足夠強(qiáng)，光電材料價(jià)帶上的電子將被激發(fā)到導(dǎo)帶上去,，使光導(dǎo)體的電導(dǎo)率變大是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象,，光子作用于光電導(dǎo)材料，形成本征吸收或雜質(zhì)吸收,，產(chǎn)生附加的光生載流子,，從而使半導(dǎo)體的電導(dǎo)率發(fā)生變化，產(chǎn)生光電導(dǎo)效應(yīng),。)APD雪崩二極管在很多地方使用于雷達(dá),、通信、遙控,、遙測(cè),、儀器儀表中。低失真光電探測(cè)器交易價(jià)格

當(dāng)光線照在物體上,，使物體的電導(dǎo)率發(fā)生變化,，或產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象叫內(nèi)光電效應(yīng)。低失真光電探測(cè)器交易價(jià)格

光子型探測(cè)器是有選擇性響應(yīng)波長(zhǎng)的探測(cè)器件,。只有當(dāng)入射光子能量大于光敏材料中的電子激發(fā)能E時(shí),，光子型探測(cè)器才有響應(yīng)。對(duì)于外光電效應(yīng)器件,，如光電管和光電倍增管,，E等于電子逸出光電陰極時(shí)所要作的功，此數(shù)值一般略大于1電子伏。因此,，這類探測(cè)器只能用于探測(cè)近紅外輻射或可見(jiàn)光,。對(duì)于內(nèi)光電效應(yīng)器件，如光伏型探測(cè)器和本征光導(dǎo)型探測(cè)器,，E等于半導(dǎo)體的禁帶寬度；對(duì)于非本征光導(dǎo)型探測(cè)器,，E等于雜質(zhì)電離能,。由于禁帶寬度和雜質(zhì)電離能這兩個(gè)參數(shù)都有較大的選擇余地，因此,，半導(dǎo)體光子型探測(cè)器的響應(yīng)波長(zhǎng)可以在較大范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié),。例如，用本征鍺做成的光導(dǎo)型探測(cè)器,，對(duì)近紅外輻射敏感,；而用摻雜質(zhì)的鍺做成的光導(dǎo)型探測(cè)器，既能對(duì)中紅外輻射敏感（如鍺摻汞探測(cè)器）,，也能對(duì)遠(yuǎn)紅外輻射敏感（如鍺摻鎵探測(cè)器）,。低失真光電探測(cè)器交易價(jià)格

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