特點：1,、芯片與底板電氣絕緣2,、國際標(biāo)準(zhǔn)封裝3、全壓接結(jié)構(gòu),，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力4,、350A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷，400A以上模塊既可選用風(fēng)冷,，也可選用水冷5,、安裝簡單，使用維修方便典型應(yīng)用：1,、交直流電機(jī)控制2,、各種整流電源3、工業(yè)加熱控制4,、調(diào)光5,、無觸點開關(guān)6、電機(jī)軟起動7,、靜止無功補(bǔ)償8,、電焊機(jī)9,、變頻器10、UPS電源11,、電池充放電三相整流橋模塊功率半導(dǎo)體模塊可控硅博飛宏大北京博飛宏大電子科技有限公司,，廠家直銷，質(zhì)量,，價格有保證,！如果您需要相關(guān)型號資料，電壓電流,，封裝尺寸大小,，可以隨時給您發(fā)送該產(chǎn)品的PDF文檔，供您參考,！如果您訂購量大,，并且有長期合作意向，可**先給您發(fā)樣品,！三天內(nèi)發(fā)貨,！如果產(chǎn)品裝機(jī)配型不適用，可退換貨,！博飛宏大,，給您滿意貼心的服務(wù)，是我們一貫的宗旨,！公司主頁：歡迎您到廠參觀,！北京博飛宏大電子科技有限公司，有10多年功率半導(dǎo)體元器件制造經(jīng)驗,，是專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件的研發(fā),、封裝、測試,、銷售,、技術(shù)服務(wù)為一體的****，多年來一直從事冶金自動化和鐵路電氣化領(lǐng)域的國產(chǎn)化工作,。我公司的電力半導(dǎo)體器件有：全系列功率模塊(MTC,、MFC、MDC,、MDQ,、MDS)，普通整流管(ZP),，快速整流管(ZK),。正高電氣多方位滿足不同層次的消費(fèi)需求。上海高壓晶閘管模塊品牌

    壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別,？可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式,，擁有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊,，對于維修與安裝都有很大的作用,，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊,、焊接式可控硅模塊等,，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下,。①從電流方面來講,，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A,，這就是講低于160A的模塊,，不只是有焊接式的，同時也有壓接式的,?？煽毓枘K②從外形方面來講，焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有壓接式的外形比較好,，壓接式的屬于一體成型,，技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn)，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡,，但是在使用的時候是沒有任何的影響的,。③眾所周知，壓接式可控硅模塊的市場占有率是非常大的,，有不少的公司都會使用壓接式可控硅模塊,，這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀，除此之外從價格方面來講,，焊接式可控硅模塊的成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)要比壓接式可控硅模塊的成本低,。我公司的電力半導(dǎo)體器件有：全系列功率模塊(MTC，MFC,，MDC,，MDQ，MDS),，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK),。淄博反并聯(lián)晶閘管模塊配件正高電氣我們完善的售后服務(wù),，讓客戶買的放心，用的安心,。

    1,、過流保護(hù)如果想得到較安全的過流保護(hù),，建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護(hù)作用的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器,、快速過電流繼電器,、傳感器的方法?？焖偃蹟嗥魇?*簡單常用的方法,，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓,；②,、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的，按照計算值選擇相同電流或稍大一點的熔斷器,。模塊輸入,、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流,。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端,，負(fù)載接輸出端。2,、過壓保護(hù)晶閘管承受過電壓的能力較差,，當(dāng)元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間很短,，也會造成元件反向擊穿損壞,。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓，會引起晶閘管硬開通,，它不僅使電路工作失常,，且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低，甚至失去正向阻斷能力而損壞,。因此必須采用過電壓保護(hù)措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓,。模塊的過壓保護(hù)，推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施,。（1）阻容吸收回路晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時,，和開關(guān)電路一樣，因線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量會產(chǎn)生過電壓,。

    由于晶閘管在導(dǎo)通期間,，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過程中,，正向電壓下降到零時,，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失,，這時反向電流消失的極快,，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢L（di/dt）值仍很大,，這個電勢和電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿,。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓，稱為關(guān)斷過電壓,，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍,，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,，電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振,、限制晶閘管開通損耗和電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時產(chǎn)生的過電壓,，有效避免晶閘管被擊穿,。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短,。比較好采用無感電阻,，以取得較好的保護(hù)效果。各型號模塊對應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取,。（2）壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大,、持續(xù)時間較長的過電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓（V1mA）,，是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓,。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量,。正高電氣為消費(fèi)者帶來更***的生活空間,。

    1晶閘管模塊被廣泛應(yīng)用于工業(yè)行業(yè)中，對于一些專業(yè)的電力技術(shù)人員,，都知道晶閘管模塊的來歷及各種分類,。不過現(xiàn)在從事這一行的人越來越多，有的采購人員對這方面還不是很了解,。有的客戶也經(jīng)常問起我們晶閘管模塊的來歷?，F(xiàn)在晶閘管廠家昆二晶就為大家分享一下：2晶閘管模塊誕生后，其結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和工藝的,，為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件,。1964年,，雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功，應(yīng)用于調(diào)光和馬達(dá)控制,；1965年，小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn),，為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ),；60年代后期，大功率逆變晶閘管問世,，成為當(dāng)時逆變電路的基本元件,；1974年，逆導(dǎo)晶閘管和非對稱晶閘管研制完成,。3普通晶閘管廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速,、調(diào)光、調(diào)溫等低頻(400Hz以下)領(lǐng)域,，運(yùn)用由它所構(gòu)成的電路對電網(wǎng)進(jìn)行控制和變換是一種簡便而經(jīng)濟(jì)的辦法,。不過，這種裝置的運(yùn)行會產(chǎn)生波形畸變和降低功率因數(shù),、影響電網(wǎng)的質(zhì)量,。目前水平為12kV/1kA和6500V/4000A。4雙向晶閘管可視為一對反并聯(lián)的普通晶閘管的集成,，常用于交流調(diào)壓和調(diào)功電路中,。正、負(fù)脈沖都可觸發(fā)導(dǎo)通,，因而其控制電路比較簡單,。其缺點是換向能力差、觸發(fā)靈敏度低,、關(guān)斷時間較長,，其水平已超過2000V/500A。正高電氣智造產(chǎn)品,，制造品質(zhì)是我們服務(wù)環(huán)境的決心,。大連行車三相整流調(diào)壓模塊

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    紅表筆接K極時,，電阻呈低阻值,，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G,、K極,，剩下的就是A極。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示,，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時接觸G極,，加上正向觸發(fā)信號,，表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通；脫開G極,，只要GTO維持通態(tài),，就說明被測管具有觸發(fā)能力。3．檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力,，如圖2(b)所示,，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔,，紅表筆接G極,，黑表筆接K極，施以負(fù)向觸發(fā)信號,，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置,，證明GTO具有關(guān)斷能力。4．估測關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時,，先不接入表Ⅱ,，記下在GTO導(dǎo)通時表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1；再接上表Ⅱ強(qiáng)迫GTO關(guān)斷,，記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2,。根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù)；K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù),。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點是,。不需要具體計算IAT、IG之值,，只要讀出二者所對應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù),，即可迅速估測關(guān)斷增益值。晶體閘流管注意事項編輯（1）在檢查大功率GTO器件時,，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′,。上海高壓晶閘管模塊品牌

淄博正高電氣有限公司是一家有著雄厚實力背景、信譽(yù)可靠,、勵精圖治,、展望未來、有夢想有目標(biāo),，有組織有體系的公司,，堅持于帶領(lǐng)員工在未來的道路上大放光明，攜手共畫藍(lán)圖,，在山東省淄博市等地區(qū)的電子元器件行業(yè)中積累了大批忠誠的客戶粉絲源,，也收獲了良好的用戶口碑,，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ)，也希望未來公司能成為*****,，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量,，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息，斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將**正高電氣供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌,，共創(chuàng)佳績,，一直以來，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理,、創(chuàng)新發(fā)展、誠實守信的方針,，員工精誠努力,，協(xié)同奮取，以品質(zhì),、服務(wù)來贏得市場,，我們一直在路上！