晶閘管模塊的工作原理

在晶閘管模塊T的工作過程中,，晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負載相連,，構(gòu)成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連,，形成晶閘管模塊的控制電路,。

從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過程：

晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1,、J2和J3的三個pn結(jié)圖,。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。

當晶閘管模塊承載正向陽極電壓時,，為了制造晶閘管模塊導體銅,，承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用。每個晶體管的集電極電流同時是另一個晶體管的基極電流,。因此,，當有足夠的柵極電流Ig流入時，兩個復合晶體管電路會形成較強的正反饋,，從而導致兩個晶體管飽和導通,，晶體管飽和導通。 正高電氣企業(yè)文化：服務至上,，追求超越,，群策群力,，共赴超越。內(nèi)蒙古集成智能調(diào)壓模塊

    硒堆的特點是其動作電壓和溫度有關(guān),，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復特性,，能多次使用,，當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,，其結(jié)構(gòu)為兩個電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶,，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層,。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流,，其值小于100μA,。當加上電壓時，引起了電子雪崩,，粒界層迅速變成低阻抗,，電流迅速增加，泄漏了能量,，了過電壓,，從而使晶閘管得到保護。浪涌過后,，粒界層又恢復為高阻態(tài),。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數(shù)來表示。標稱電壓：指壓敏電阻流過1mA直流電流時,，其兩端的電壓值,。通流容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流,，每隔5分鐘沖擊1次,，共沖擊10次，標稱電壓變化在-10[[[%]]]以內(nèi)的比較大沖擊電流值來表示,。因為正常的壓敏電阻粒界層只有一定大小的放電容量和放電次數(shù),，標稱電壓值不僅會隨著放電次數(shù)增多而下降，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降,，當大到某一電流時,，標稱電壓下降到0，壓敏電阻出現(xiàn)穿孔,，甚至炸裂,；因此必須限定通流容量。西藏小功率晶閘管模塊價格正高電氣有著質(zhì)量的服務質(zhì)量和極高的信用等級。

    750V通態(tài)平均電流IT（AV）：5A比較大通態(tài)電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向?qū)妷篤TR：<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導晶閘管的好壞,。測試內(nèi)容主要分三項：1．檢查逆導性選擇萬用表R×1檔,，黑表筆接K極，紅表筆接A極（參見圖3(a)）,，電阻值應為5～10Ω,。若阻值為零，證明內(nèi)部二極管短路,；電阻為無窮大,，說明二極管開路。2．測量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路,，再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表,，使RCT正向擊穿，由直流電壓表上讀出V（BO）值,。3．檢查觸發(fā)能力實例：使用500型萬用表和ZC25-3型兆歐表測量一只S3900MF型逆導晶閘管,。依次選擇R×1k、R×100,、R×10和R×1檔測量A-K極間反向電阻,，同時用讀取電壓法求出出內(nèi)部二極管的反向?qū)妷篤TR（實際是二極管正向電壓VF）。再用兆歐表和萬用表500VDC檔測得V（BO）值,。全部數(shù)據(jù)整理成表1,。由此證明被測RCT質(zhì)量良好。注意事項：（1）S3900MF的VTR<,，宜選R×1檔測量,。（2）若再用讀取電流法求出ITR值，還可以繪制反向伏安特性,。①一般小功率晶閘管不需加散熱片,，但應遠離發(fā)熱元件。

    由于晶閘管在導通期間,，載流子充滿元件內(nèi)部,，所以元件在關(guān)斷過程中，正向電壓下降到零時,，內(nèi)部仍殘存著載流子,。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失,，這時反向電流消失的極快,，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,，電感產(chǎn)生的感應電勢L（di/dt）值仍很大,，這個電勢和電源電壓串聯(lián),，反向加在已恢復阻斷的元件上，可能導致晶閘管的反向擊穿,。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓,，稱為關(guān)斷過電壓，其數(shù)值可達工作電壓峰值的5～6倍,，所以必須采取措施,。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振,、限制晶閘管開通損耗和電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導通到截止時產(chǎn)生的過電壓,，有效避免晶閘管被擊穿,。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短,。比較好采用無感電阻,，以取得較好的保護效果。各型號模塊對應的電阻和電容值根據(jù)表10選取,。（2）壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大,、持續(xù)時間較長的過電壓。壓敏電阻標稱電壓（V1mA）,，是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓,。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量,。正高電氣竭誠為您服務,，期待與您的合作，歡迎大家前來,！

    VDRM）的計算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM,；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2,、器件額定電流IT（AV）的計算：由于該線路相當于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜,。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍,，但通流能力要求大兩倍,。四、使用模塊產(chǎn)品注意事項：l電力半導體模塊屬于溫度敏感性器件,，使用時必須安裝于散熱器上,。安裝前首先用酒精將模塊底板和散熱器表面擦拭干凈,待自然干燥后，在模塊底板上均勻涂上（采用滾柱來回滾動涂抹）導熱硅脂,，導熱硅脂剛好能夠覆蓋整個底板和散熱器,。安裝之后可從散熱器上取下模塊,，檢查模塊底板整個區(qū)域是否完全沾潤。l手冊中額定電流[IT(AV),、IF(AV)]是在規(guī)定散熱器,、強通風冷(風速6m/s)和額定殼溫Tc和純阻性負載下得出的。若使用條件發(fā)生變化(如感性負載)額定電流就會下降,。l散熱器與模塊接觸面應平整,，散熱器的平面度≤（1）,確保良好的熱傳導，電極與銅排連接時,。正高電氣在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象,。湖南快恢復晶閘管模塊組件

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    大中小電力半導體可控硅普通晶閘管模塊MTC25A2015-06-21共同成長8...展開全文一,、產(chǎn)品特點：1、芯片與底板電氣絕緣,，2500V交流電壓,；2、國際標準封裝,；3,、真空+充氫保護焊接技術(shù)；4,、壓接結(jié)構(gòu),，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力；5,、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC,；6、200A以下模塊皆為強迫風冷,，300A以上模塊,，既可選用風冷，也可選用水冷,；7,、安裝簡單，使用維修方便,，體積小,，重量輕。二,、型號說明：三,、技術(shù)參數(shù)：型號通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四、外形尺寸及電路聯(lián)結(jié)形式：五,、產(chǎn)品應用：1,、交直流電機控制,；2、各種整流電源,；3,、工業(yè)加熱控制；4,、調(diào)光,；5、無觸點開關(guān),；6,、電機軟起動；7,、靜止無功補嘗,；8、電焊機,；9、變頻器,；10,、UPS電源；11,、電池充放電,。說明：，Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調(diào)試值,，表中其它參數(shù)皆jm下的測試值;,，在50HZ頻率下，I2t(10ms)=(A2S),。內(nèi)蒙古集成智能調(diào)壓模塊

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