硒堆的特點是其動作電壓和溫度有關(guān),溫度越低耐壓越高,;另外是硒堆具有自恢復特性,,能多次使用,當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,,又重新恢復其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,其結(jié)構(gòu)為兩個電極,,電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶,,結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),,只有很小的漏電流,,其值小于100μA。當加上電壓時,,引起了電子雪崩,,粒界層迅速變成低阻抗,電流迅速增加,,泄漏了能量,,了過電壓,從而使晶閘管得到保護,。浪涌過后,,粒界層又恢復為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數(shù)來表示,。標稱電壓:指壓敏電阻流過1mA直流電流時,,其兩端的電壓值。通流容量:是用前沿8微秒,、波寬20微秒的波形沖擊電流,,每隔5分鐘沖擊1次,共沖擊10次,,標稱電壓變化在-10[[[%]]]以內(nèi)的比較大沖擊電流值來表示,。因為正常的壓敏電阻粒界層只有一定大小的放電容量和放電次數(shù),標稱電壓值不僅會隨著放電次數(shù)增多而下降,,而且也隨著放電電流幅值的增大而下降,,當大到某一電流時,標稱電壓下降到0,,壓敏電阻出現(xiàn)穿孔,,甚至炸裂;因此必須限定通流容量。正高電氣以顧客為本,,誠信服務為經(jīng)營理念。廣東雙向晶閘管模塊廠家
漏電流:指加一半標稱直流電壓時測得的流過壓敏電阻的電流,。由于壓敏電阻的通流容量大,,殘壓低,過電壓能力強,;平時漏電流小,,放電后不會有續(xù)流,元件的標稱電壓等級多,,便于用戶選擇,;伏安特性是對稱的,可用于交,、直流或正負浪涌,;因此用途較廣。2,、過電流保護由于半導體器件體積小,、熱容量小,特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件,,結(jié)溫必須受到嚴格的控制,,否則將遭至徹底損壞。當晶閘管中流過大于額定值的電流時,,熱量來不及散發(fā),,使得結(jié)溫迅速升高,**終將導致結(jié)層被燒壞,。產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的,,例如,變流裝置本身晶閘管損壞,,觸發(fā)電路發(fā)生故障,,控制系統(tǒng)發(fā)生故障等,以及交流電源電壓過高,、過低或缺相,,負載過載或短路,相鄰設(shè)備故障影響等,。晶閘管過電流保護方法**常用的是快速熔斷器,。由于普通熔斷器的熔斷特性動作太慢,在熔斷器尚未熔斷之前晶閘管已被燒壞,;所以不能用來保護晶閘管,。行吊穩(wěn)壓模塊供應商正高電氣我們將用穩(wěn)定的質(zhì)量,合理的價格,良好的信譽,。
紅表筆接K極時,,電阻呈低阻值,對其它情況電阻值均為無窮大,。由此可迅速判定G,、K極,剩下的就是A極,。2.檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示,,首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,紅表筆接K極,,電阻為無窮大,;然后用黑表筆尖也同時接觸G極,加上正向觸發(fā)信號,,表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導通,;脫開G極,只要GTO維持通態(tài),,就說明被測管具有觸發(fā)能力,。3.檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力,如圖2(b)所示,,表Ⅰ的檔位及接法保持不變,。將表Ⅱ撥于R×10檔,紅表筆接G極,,黑表筆接K極,,施以負向觸發(fā)信號,如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置,,證明GTO具有關(guān)斷能力,。4.估測關(guān)斷增益βoff進行到第3步時,先不接入表Ⅱ,,記下在GTO導通時表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1,;再接上表Ⅱ強迫GTO關(guān)斷,記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2,。根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益:βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù),;K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點是,。不需要具體計算IAT,、IG之值,只要讀出二者所對應的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù),,即可迅速估測關(guān)斷增益值,。晶體閘流管注意事項編輯(1)在檢查大功率GTO器件時,建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′。
公司是專業(yè)從事電力電子產(chǎn)品研發(fā),、制作,、銷售于一體的****公司主要產(chǎn)品:MTC(A、K,、X),、MDC(A、K),、MFC(A,、K,、X)系列功率半導體模塊,;MDS、MDQ,、MFQ,、MFF系列單相、三相整流橋模塊,;BJD(H)系列單相,、BJT(H)系列三相固繼電器;晶閘管智能模塊,;ZP,、ZK系列整流管;KP,、KK,、KS系列晶閘管;各種功率組件,;電力電子器件用散熱器等,。公司系列產(chǎn)品服務于電力、冶金,、石油,、煤炭、環(huán)保,、航天,、有色金屬、家用電器等領(lǐng)域,。以產(chǎn)品種類齊全,、品質(zhì)可靠、供貨及時,、服務誠信博得國內(nèi)外客戶的一致好評,。我們將始終秉承“以客戶為中心”的理念和“誠信為商、不斷創(chuàng)新、追求”的宗旨,,堅持以**的技術(shù),、***的產(chǎn)品和服務為客戶創(chuàng)造價值。熱忱歡迎廣大客戶光臨惠顧,,精誠合作,!共同致力于中國電力電子技術(shù)產(chǎn)品的發(fā)展和進步。正高電氣注重于產(chǎn)品的環(huán)保性能,,將應用美學與環(huán)保健康結(jié)合起來,。
750V通態(tài)平均電流IT(AV):5A比較大通態(tài)電壓VT:3V(IT=30A)比較大反向?qū)妷篤TR:<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導晶閘管的好壞。測試內(nèi)容主要分三項:1.檢查逆導性選擇萬用表R×1檔,,黑表筆接K極,,紅表筆接A極(參見圖3(a)),電阻值應為5~10Ω,。若阻值為零,,證明內(nèi)部二極管短路;電阻為無窮大,,說明二極管開路,。2.測量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V(BO)按照(b)圖接好電路,再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表,,使RCT正向擊穿,,由直流電壓表上讀出V(BO)值。3.檢查觸發(fā)能力實例:使用500型萬用表和ZC25-3型兆歐表測量一只S3900MF型逆導晶閘管,。依次選擇R×1k,、R×100、R×10和R×1檔測量A-K極間反向電阻,,同時用讀取電壓法求出出內(nèi)部二極管的反向?qū)妷篤TR(實際是二極管正向電壓VF),。再用兆歐表和萬用表500VDC檔測得V(BO)值。全部數(shù)據(jù)整理成表1,。由此證明被測RCT質(zhì)量良好,。注意事項:(1)S3900MF的VTR<,宜選R×1檔測量,。(2)若再用讀取電流法求出ITR值,,還可以繪制反向伏安特性。①一般小功率晶閘管不需加散熱片,,但應遠離發(fā)熱元件,。正高電氣企業(yè)價值觀:以人為本,顧客滿意,,溝通合作,,互惠互利,。廣東雙向晶閘管模塊廠家
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晶閘管模塊的工作原理
在晶閘管模塊T的工作過程中,,晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負載相連,構(gòu)成晶閘管模塊的主電路,。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連,,形成晶閘管模塊的控制電路。
從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過程:
晶閘管模塊是一種四層三端器件,。它有J1,、J2和J3的三個pn結(jié)圖。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分,。
當晶閘管模塊承載正向陽極電壓時,,為了制造晶閘管模塊導體銅,承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用,。每個晶體管的集電極電流同時是另一個晶體管的基極電流,。因此,,當有足夠的柵極電流Ig流入時,,兩個復合晶體管電路會形成較強的正反饋,從而導致兩個晶體管飽和導通,,晶體管飽和導通,。 廣東雙向晶閘管模塊廠家
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