可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區(qū)分,，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）、普通整流管模塊（MDC）,、普通晶閘管,、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管,、整流管及混合模塊（MKC\MZC）,、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機**模塊MTG\MDG）,、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）,、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等,。淄博正高電氣有限公司品牌價值不斷提升,。聊城反并聯(lián)可控硅模塊配件

可控硅模塊的分類：

1、以關斷,、導通及控制方式來分類：可控硅按其關斷,、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅,、逆導可控硅,、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。

2、以引腳和極性來分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,。

3,、以封裝形式來分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。其中,，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形,、圓殼形等多種,；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

4,、以電流容量來分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。

5,、以關斷速度來分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。

6,、過零觸發(fā),，一般是調(diào)功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā),，必須是過零點才觸發(fā),，導通可控硅參數(shù)介紹

7、非過零觸發(fā),，無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導通可控硅,，常見的是移相觸發(fā)。

可控硅模塊的應用領域

可控硅模塊應用于溫度控制,、調(diào)光、勵磁,、電鍍,、電解、充放電,、電焊機,、等離子弧、逆變電源等需要調(diào)節(jié)和改變電能的場合,，如工業(yè),、通信、電力系統(tǒng)、電力系統(tǒng)等及其它各種電控,、電源等,，根據(jù)此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連，完成電流穩(wěn)定,、電壓穩(wěn)定和軟啟動,。并可結束過流、過電壓,、過溫,、缺乏平衡維護功能。

可控硅模塊由于它在電路應用中的效率高,、控制特性好、壽命長,、體積小,、功能強等優(yōu)點，自上個世紀六十長代以來,，獲得了迅猛發(fā)展,，并已形成了一門**的學科。

可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在,，在工藝上已經(jīng)非常成熟,，品質(zhì)更好，成品率大幅提高,，并向高壓大電流發(fā)展,。

可控硅模塊規(guī)格的選擇方法：考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流，存在導通角問題,，負載電流存在一些波動和不穩(wěn)定因素,，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規(guī)格時必須留出一定的裕度,。

推薦選擇方法可按照以下公式計算：I＞K×I負載×U∕U實際

K ：安全系數(shù),，阻性負載K= 1.5，感性負載K= 2,；

I負載：負載流過的強大電流,； U實際：負載上的小電壓；

U強大 模塊能輸出的強大電壓,；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）,；

I：需要選擇模塊的小電流,模塊標稱的電流必須大于該值,。 淄博正高電氣有限公司周邊生態(tài)環(huán)境狀況好。

可控整流：如同二極管整流一樣，將交流整流為直流,，并且在交流電壓不變的情況下,，有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現(xiàn)交流→可變直流之轉(zhuǎn)變;

無觸點功率靜態(tài)開關(固態(tài)開關)：作為功率開關元件,，可控硅可以代替接觸器,、繼電器用于開關頻率很高的場合。

因此可控硅元件被廣泛應用于各種電子設備和電子產(chǎn)品的電路中,，多作可控整流,、逆變、變頻,、調(diào)壓,、無觸點開關等用途。家用電器中的調(diào)光燈,、調(diào)速風扇,、冷暖空調(diào)器、熱水器,、電視,、冰箱、洗衣機,、照相機,、音響組合、聲控電路,、定時控制器,、感應燈、圣誕燈控制器,、自動門電路,、以及玩具裝置、電動工具產(chǎn)品,、無線電遙控電路,、攝像機等工業(yè)控制領域等都大量使用了可控硅器件。 淄博正高電氣有限公司過硬的產(chǎn)品質(zhì)量,、質(zhì)量的售后服務,、認真嚴格的企業(yè)管理，贏得客戶的信譽,。聊城反并聯(lián)可控硅模塊配件

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雙向可控硅晶閘管使用中,，應特別注意以下事項：

1.靈敏度

雙向可控硅是一個三端元件,，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極,，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負向觸發(fā)脈沖均可使控制極導通,，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進入導通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的,。

2.可控硅過載的保護

可控硅元件優(yōu)點很多,，但是它過載能力差，短時間的過流,，過壓都會造成元件損壞,，因此為保證元件正常工作，需有條件：

（1）外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓,，否則控制極將不起作用,；

（2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來取,；

（3）為保證控制極可靠觸發(fā),，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外,，還必須采取保護措施，一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器,，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右,，其接入的位置可在交流側或直流側，當在交流側時額定電流取大些,，一般多采用前者,，過電壓保護常發(fā)生在存在電感的電路上，或交流側出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓,。由于,，過電壓的尖峰高，作用時間短,，常采用電阻和電容吸收電路加以,。

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