大中小電力半導(dǎo)體可控硅普通晶閘管模塊MTC25A2015-06-21共同成長(zhǎng)8...展開(kāi)全文一、產(chǎn)品特點(diǎn)：1,、芯片與底板電氣絕緣，2500V交流電壓,；2、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝,；3,、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù)；4,、壓接結(jié)構(gòu),，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力,；5,、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC；6,、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷,，300A以上模塊，既可選用風(fēng)冷,，也可選用水冷,；7、安裝簡(jiǎn)單,，使用維修方便,，體積小，重量輕,。二,、型號(hào)說(shuō)明：三、技術(shù)參數(shù)：型號(hào)通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四,、外形尺寸及電路聯(lián)結(jié)形式：五,、產(chǎn)品應(yīng)用：1、交直流電機(jī)控制,；2,、各種整流電源；3,、工業(yè)加熱控制,；4,、調(diào)光；5,、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān),；6、電機(jī)軟起動(dòng),；7,、靜止無(wú)功補(bǔ)嘗；8,、電焊機(jī),；9、變頻器,；10,、UPS電源；11,、電池充放電,。說(shuō)明：，Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調(diào)試值,，表中其它參數(shù)皆jm下的測(cè)試值;,，在50HZ頻率下，I2t(10ms)=(A2S),。正高電氣以顧客為本,，誠(chéng)信服務(wù)為經(jīng)營(yíng)理念。行車單相交流調(diào)壓模塊供應(yīng)商

    VDRM）的計(jì)算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM,；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠,。2、器件額定電流IT（AV）的計(jì)算：由于該線路相當(dāng)于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒(méi)有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜,。以上兩種線路對(duì)器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的,。后一種線路對(duì)器件耐壓要求比前一種線路低一倍，但通流能力要求大兩倍,。四,、使用模塊產(chǎn)品注意事項(xiàng)：l電力半導(dǎo)體模塊屬于溫度敏感性器件，使用時(shí)必須安裝于散熱器上,。安裝前首先用酒精將模塊底板和散熱器表面擦拭干凈,待自然干燥后,，在模塊底板上均勻涂上（采用滾柱來(lái)回滾動(dòng)涂抹）導(dǎo)熱硅脂，導(dǎo)熱硅脂剛好能夠覆蓋整個(gè)底板和散熱器,。安裝之后可從散熱器上取下模塊,，檢查模塊底板整個(gè)區(qū)域是否完全沾潤(rùn)。l手冊(cè)中額定電流[IT(AV)、IF(AV)]是在規(guī)定散熱器,、強(qiáng)通風(fēng)冷(風(fēng)速6m/s)和額定殼溫Tc和純阻性負(fù)載下得出的,。若使用條件發(fā)生變化(如感性負(fù)載)額定電流就會(huì)下降。l散熱器與模塊接觸面應(yīng)平整,，散熱器的平面度≤（1）,確保良好的熱傳導(dǎo),，電極與銅排連接時(shí)。上海單相整流調(diào)壓模塊組件正高電氣具有一支經(jīng)驗(yàn)豐富,、技術(shù)力量過(guò)硬的專業(yè)技術(shù)人才管理團(tuán)隊(duì),。

    它可以用控制移相觸發(fā)脈沖來(lái)方便地改變負(fù)載的交流工作電壓，從而應(yīng)用于精確地調(diào)溫,、調(diào)光等阻性負(fù)載及部分感性負(fù)載場(chǎng)合,。⑵雙向可控硅輸出的普通型與單向可控硅反并聯(lián)輸出的增強(qiáng)型的區(qū)別在感性負(fù)載的場(chǎng)合，當(dāng)LSR由通態(tài)關(guān)斷時(shí),，由于電流,、電壓的相位不一致，將產(chǎn)生一個(gè)很大的電壓上升率dv/dt（換向dv/dt）加在雙向可控硅兩端,，如此值超過(guò)雙向可控硅的換向dv/dt指標(biāo)(典型值為10V/μs)則將導(dǎo)致延時(shí)關(guān)斷,，甚至失敗。而單向可控硅為單極性工作狀態(tài),，只受靜態(tài)電壓上升率dv/dt(典型值為100V/μs)影響,，由兩只單向可控硅反并聯(lián)構(gòu)成的增強(qiáng)型LSR比由一只雙向可控硅構(gòu)成的普通型LSR的換向dv/dt有了很大提高，因此在感性或容性負(fù)載場(chǎng)合宜選取增強(qiáng)型LSR,。㈣繼電器負(fù)載輸出端電流等級(jí)及型號(hào)如下表：電流普通型2A普通型4A普通型8A普通型16A普通型25A普通型40A增強(qiáng)型15A增強(qiáng)型35A型號(hào)LSR-3Z02D3LSR-3Z02D2LSR-3Z02A3LSR-3P02D1-3Z04D3-3Z04D2-3Z04A3-3P04D1-3Z08D3-3Z08D2-3Z08A3-3P08D1-3Z16D3-3Z16D2-3Z16A3-3P16D1-3Z25D3-3Z25D2-3Z25A3-3P25D1-3Z40D3-3Z40D2-3Z40A3-3P40D1LSR-H3Z15D3LSR-H3Z15D2LSR-H3Z15A3LSR-H3P15D1-H3Z35D3-H3Z35D2-H3Z35A3-H3P35D1電流增強(qiáng)型50A增強(qiáng)型70A增強(qiáng)型90A,。

    簡(jiǎn)稱過(guò)零型）和隨機(jī)導(dǎo)通型（簡(jiǎn)稱隨機(jī)型）,；按輸出開(kāi)關(guān)元件分有雙向可控硅輸出型（普通型）和單向可控硅反并聯(lián)型（增強(qiáng)型）,；按安裝方式分有印刷線路板上用的針插式（自然冷卻，不必帶散熱器）和固定在金屬底板上的裝置式（靠散熱器冷卻）,；另外輸入端①直流恒流控制型（D3）,，電壓為3-36Vdc寬范圍，驅(qū)動(dòng)電流為5-15mA,；②直流抗干擾控制型（D2）,，電壓為18-30Vdc；③串電阻限流型（D1）,，電壓為4-8Vdc,，**于隨機(jī)型LSR；④交流控制型（A3）,，電壓為90-430Vac寬范圍,。⑴過(guò)零型(Z型)與隨機(jī)型(P型)LSR的區(qū)別由于觸發(fā)信號(hào)方式不同，過(guò)零型和隨機(jī)型之間的區(qū)別主要在于負(fù)載交流電流導(dǎo)通的條件不同。當(dāng)輸入端施加有效的控制信號(hào)時(shí),，隨機(jī)型LSR負(fù)載輸出端立即導(dǎo)通（速度為微秒級(jí)）,，而過(guò)零型LSR則要等到負(fù)載電壓過(guò)零區(qū)域(約±15V)時(shí)才開(kāi)啟導(dǎo)通。當(dāng)輸入端撤消控制信號(hào)后,，過(guò)零型和隨機(jī)型LSR均在小于維持電流時(shí)關(guān)斷,，這兩種類型的關(guān)斷條件相同。雖然過(guò)零型LSR有可能造成比較大半個(gè)周期的延時(shí),，但卻減少了對(duì)負(fù)載的沖擊和產(chǎn)生的射頻干擾,，在負(fù)載上可以得到一個(gè)完整的正弦波形，成為理想的開(kāi)關(guān)器件,，在“單刀單擲”的開(kāi)關(guān)場(chǎng)合中應(yīng)用**為,。隨機(jī)型LSR的特點(diǎn)是反應(yīng)速度快。正高電氣有著質(zhì)量的服務(wù)質(zhì)量和極高的信用等級(jí),。

    1,、過(guò)流保護(hù)如果想得到較安全的過(guò)流保護(hù)，建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過(guò)流保護(hù)作用的模塊,。另外還可采用外接快速熔斷器,、快速過(guò)電流繼電器、傳感器的方法,?？焖偃蹟嗥魇?*簡(jiǎn)單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①,、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓,；②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的,，按照計(jì)算值選擇相同電流或稍大一點(diǎn)的熔斷器,。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章,。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)和試驗(yàn)自行確定熔斷器的額定電流,。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負(fù)載接輸出端,。2,、過(guò)壓保護(hù)晶閘管承受過(guò)電壓的能力較差，當(dāng)元件承受的反向電壓超過(guò)其反向擊穿電壓時(shí),，即使時(shí)間很短,，也會(huì)造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過(guò)晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓,，會(huì)引起晶閘管硬開(kāi)通,，它不僅使電路工作失常,，且多次硬開(kāi)通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低，甚至失去正向阻斷能力而損壞,。因此必須采用過(guò)電壓保護(hù)措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過(guò)電壓,。模塊的過(guò)壓保護(hù)，推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施,。（1）阻容吸收回路晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時(shí),，和開(kāi)關(guān)電路一樣，因線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓,。正高電氣迎接挑戰(zhàn),，推陳出新，與廣大客戶攜手并進(jìn),，共創(chuàng)輝煌,！鋼鐵廠晶閘管智能調(diào)壓模塊價(jià)格

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晶閘管模塊的類型

晶閘管模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊，是采用模塊封裝形式,，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。

根據(jù)封裝工藝的不同，晶閘管模塊可分為焊接型和壓型兩種,。

晶閘管模塊可分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）,；普通整流模塊（MDC）；普通晶閘管,、整流混合模塊（MFC）,；快速晶閘管、整流混合模塊（MKC\MZC）,；非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（通常稱為電焊機(jī)**模塊MTG\MDG）；三相整流橋輸出晶閘管模塊（MDS）,；單相（三相）整流橋模塊（MDQ）,；單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）,。 行車單相交流調(diào)壓模塊供應(yīng)商

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