750V通態(tài)平均電流IT（AV）：5A比較大通態(tài)電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向?qū)妷篤TR：<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導(dǎo)晶閘管的好壞,。測試內(nèi)容主要分三項：1．檢查逆導(dǎo)性選擇萬用表R×1檔,，黑表筆接K極，紅表筆接A極（參見圖3(a)）,，電阻值應(yīng)為5～10Ω,。若阻值為零，證明內(nèi)部二極管短路,；電阻為無窮大,，說明二極管開路。2．測量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路,，再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表,，使RCT正向擊穿，由直流電壓表上讀出V（BO）值,。3．檢查觸發(fā)能力實例：使用500型萬用表和ZC25-3型兆歐表測量一只S3900MF型逆導(dǎo)晶閘管,。依次選擇R×1k、R×100,、R×10和R×1檔測量A-K極間反向電阻,，同時用讀取電壓法求出出內(nèi)部二極管的反向?qū)妷篤TR（實際是二極管正向電壓VF）。再用兆歐表和萬用表500VDC檔測得V（BO）值,。全部數(shù)據(jù)整理成表1,。由此證明被測RCT質(zhì)量良好。注意事項：（1）S3900MF的VTR<,，宜選R×1檔測量,。（2）若再用讀取電流法求出ITR值，還可以繪制反向伏安特性,。①一般小功率晶閘管不需加散熱片,，但應(yīng)遠(yuǎn)離發(fā)熱元件。正高電氣公司將以質(zhì)量的產(chǎn)品,，完善的服務(wù)與尊敬的用戶攜手并進(jìn),！內(nèi)蒙古晶閘管智能模塊組件

    硒堆的特點是其動作電壓和溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高,；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性,，能多次使用，當(dāng)過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復(fù)其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,，其結(jié)構(gòu)為兩個電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶,，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層,。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流,，其值小于100μA,。當(dāng)加上電壓時，引起了電子雪崩,，粒界層迅速變成低阻抗,，電流迅速增加，泄漏了能量,，了過電壓,，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過后,，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài),。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數(shù)來表示。標(biāo)稱電壓：指壓敏電阻流過1mA直流電流時,，其兩端的電壓值,。通流容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流,，每隔5分鐘沖擊1次,，共沖擊10次，標(biāo)稱電壓變化在-10[[[%]]]以內(nèi)的比較大沖擊電流值來表示,。因為正常的壓敏電阻粒界層只有一定大小的放電容量和放電次數(shù),，標(biāo)稱電壓值不僅會隨著放電次數(shù)增多而下降，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降,，當(dāng)大到某一電流時,，標(biāo)稱電壓下降到0，壓敏電阻出現(xiàn)穿孔,，甚至炸裂,；因此必須限定通流容量。上海蓄電池充放電三相整流調(diào)壓模塊正高電氣企業(yè)價值觀：以人為本,，顧客滿意，溝通合作,，互惠互利,。

    1晶閘管模塊被廣泛應(yīng)用于工業(yè)行業(yè)中，對于一些專業(yè)的電力技術(shù)人員，都知道晶閘管模塊的來歷及各種分類,。不過現(xiàn)在從事這一行的人越來越多,，有的采購人員對這方面還不是很了解。有的客戶也經(jīng)常問起我們晶閘管模塊的來歷?，F(xiàn)在晶閘管廠家昆二晶就為大家分享一下：2晶閘管模塊誕生后,，其結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和工藝的，為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件,。1964年,，雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功，應(yīng)用于調(diào)光和馬達(dá)控制,；1965年,，小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn)，為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ),；60年代后期,，大功率逆變晶閘管問世，成為當(dāng)時逆變電路的基本元件,；1974年,，逆導(dǎo)晶閘管和非對稱晶閘管研制完成。3普通晶閘管廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速,、調(diào)光,、調(diào)溫等低頻(400Hz以下)領(lǐng)域，運用由它所構(gòu)成的電路對電網(wǎng)進(jìn)行控制和變換是一種簡便而經(jīng)濟(jì)的辦法,。不過,，這種裝置的運行會產(chǎn)生波形畸變和降低功率因數(shù)、影響電網(wǎng)的質(zhì)量,。目前水平為12kV/1kA和6500V/4000A,。4雙向晶閘管可視為一對反并聯(lián)的普通晶閘管的集成，常用于交流調(diào)壓和調(diào)功電路中,。正,、負(fù)脈沖都可觸發(fā)導(dǎo)通，因而其控制電路比較簡單,。其缺點是換向能力差,、觸發(fā)靈敏度低、關(guān)斷時間較長,，其水平已超過2000V/500A,。

    額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網(wǎng)電壓的波動以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降,，因此,，額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高,。目前通常采用30[%]的余量計算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值,。壓敏電阻的數(shù)量：三相整流模塊和三相交流模塊均為三只,、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端,。3,、過熱保護(hù)晶閘管在電流通過時，會產(chǎn)生一定的壓降,，而壓降的存在則會產(chǎn)生一定的功耗,，電流越大則功耗越大，產(chǎn)生的熱量也就越大,。如果不把這些熱量快速散掉,，會造成燒壞晶閘管芯片的問題。因此要求使用晶閘管模塊時,，一定要安裝散熱器,。散熱條件的好壞，是影響模塊能否安全工作的重要因素,。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作,、防止模塊過熱燒毀，而且能夠提高模塊的電流輸出能力,。建議用戶在使用大電流規(guī)格模塊的時候盡量選擇帶過熱保護(hù)作用的模塊,。當(dāng)然，即便模塊帶過熱保護(hù)作用,，而散熱器和風(fēng)機(jī)也是不可缺少的,。在使用中，當(dāng)散熱條件不符合規(guī)定要求時,，如室溫超過40℃,、強(qiáng)迫風(fēng)冷的出口風(fēng)速不足6m/s等，則模塊的額定電流應(yīng)立即降低使用,，否則模塊會由于芯片結(jié)溫超過允許值而損壞,。譬如。正高電氣為消費者帶來更***的生活空間,。

    1,、過流保護(hù)如果想得到較安全的過流保護(hù)，建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護(hù)作用的模塊,。另外還可采用外接快速熔斷器,、快速過電流繼電器、傳感器的方法,?？焖偃蹟嗥魇?*簡單常用的方法,，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓,；②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標(biāo)稱輸入電流的,，按照計算值選擇相同電流或稍大一點的熔斷器,。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章,。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流,。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負(fù)載接輸出端,。2,、過壓保護(hù)晶閘管承受過電壓的能力較差，當(dāng)元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時,，即使時間很短,，也會造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓,，會引起晶閘管硬開通,，它不僅使電路工作失常，且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低,，甚至失去正向阻斷能力而損壞,。因此必須采用過電壓保護(hù)措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓。模塊的過壓保護(hù),，推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護(hù)措施,。（1）阻容吸收回路晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時，和開關(guān)電路一樣,，因線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量會產(chǎn)生過電壓,。正高電氣銳意進(jìn)取，持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供專業(yè)化服務(wù),。內(nèi)蒙古晶閘管智能模塊組件

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    由于晶閘管在導(dǎo)通期間,，載流子充滿元件內(nèi)部,，所以元件在關(guān)斷過程中，正向電壓下降到零時,，內(nèi)部仍殘存著載流子,。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失,，這時反向電流消失的極快,，即di/dt極大,。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢L（di/dt）值仍很大,，這個電勢和電源電壓串聯(lián),，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿,。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓,，稱為關(guān)斷過電壓，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍,，所以必須采取措施,。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振,、限制晶閘管開通損耗和電流上升率,。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時產(chǎn)生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿,。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子,，即引線要短。比較好采用無感電阻,，以取得較好的保護(hù)效果,。各型號模塊對應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。（2）壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大,、持續(xù)時間較長的過電壓,。壓敏電阻標(biāo)稱電壓（V1mA），是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓,。壓敏電阻的選擇,，主要考慮額定電壓和通流容量。內(nèi)蒙古晶閘管智能模塊組件

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