簡稱過零型）和隨機導通型（簡稱隨機型）,；按輸出開關元件分有雙向可控硅輸出型（普通型）和單向可控硅反并聯型（增強型）；按安裝方式分有印刷線路板上用的針插式（自然冷卻,，不必帶散熱器）和固定在金屬底板上的裝置式（靠散熱器冷卻）,；另外輸入端①直流恒流控制型（D3），電壓為3-36Vdc寬范圍,，驅動電流為5-15mA,；②直流抗干擾控制型（D2）,，電壓為18-30Vdc,；③串電阻限流型（D1），電壓為4-8Vdc,，**于隨機型LSR,；④交流控制型（A3），電壓為90-430Vac寬范圍,。⑴過零型(Z型)與隨機型(P型)LSR的區(qū)別由于觸發(fā)信號方式不同,，過零型和隨機型之間的區(qū)別主要在于負載交流電流導通的條件不同。當輸入端施加有效的控制信號時,，隨機型LSR負載輸出端立即導通（速度為微秒級）,，而過零型LSR則要等到負載電壓過零區(qū)域(約±15V)時才開啟導通。當輸入端撤消控制信號后,，過零型和隨機型LSR均在小于維持電流時關斷,，這兩種類型的關斷條件相同。雖然過零型LSR有可能造成比較大半個周期的延時,，但卻減少了對負載的沖擊和產生的射頻干擾,，在負載上可以得到一個完整的正弦波形，成為理想的開關器件,，在“單刀單擲”的開關場合中應用**為,。隨機型LSR的特點是反應速度快。正高電氣愿與各界朋友攜手共進,，共創(chuàng)未來,！電磁吸盤穩(wěn)流模塊組件

晶閘管模塊的散熱方法

晶閘管模塊的功耗主要由導通損耗、開關損耗和柵極損耗組成,。在工頻或400Hz以下的更多應用是傳導損耗,。為了保證器件的長期可靠運行，散熱器及其冷卻方式的選擇與功率半導體模塊設計中電流,、電壓額定值的選擇同等重要,，不容忽視！散熱器常用的散熱方法有：自然空冷、強制空冷,、熱管冷卻,、水冷、油冷等,。考慮散熱的一般原則是,，控制模塊中管芯的連接溫度Tj不超過產品數據表中給出的額定連接溫度。

選擇晶閘管模塊散熱器必須考慮的元素：

1,、晶閘管模塊的工作電流決定了所需的冷卻面積,。

2、晶閘管模塊的使用環(huán)境,。根據使用環(huán)境冷卻條件來確定何種冷卻方式，包括自然冷卻,、強制風冷和水冷。

3,、設備的形狀和體積，為散熱預留空間的大小,，根據這種情況來確定散熱器的形狀。 重慶晶閘管模塊品牌正高電氣企業(yè)價值觀：以人為本,，顧客滿意,，溝通合作，互惠互利,。

    當正向電壓超過其斷態(tài)重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通,，引發(fā)電路故障；當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時,，晶閘管就會立即損壞,。因此，必須研究過電壓的產生原因及過電壓的方法,。過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲能發(fā)生了激烈的變化,，使得系統(tǒng)來不及轉換，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的,。主要發(fā)現為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊電壓兩種類型,。由雷擊或高壓斷路器動作等產生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對晶閘管是很危險的。由開關的開閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類：（1）交流電源接通,、斷開產生的過電壓例如,，交流開關的開閉、交流側熔斷器的熔斷等引起的過電壓,，這些過電壓由于變壓器繞組的分布電容,、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過電壓數值為正常值的2至10多倍,。一般地,，開閉速度越快過電壓越高，在空載情況下斷開回路將會有更高的過電壓,。,。2）直流側產生的過電壓如切斷回路的電感較大或者切斷時的電流值較大，都會產生比較大的過電壓,。這種情況常出現于切除負載,、正在導通的晶閘管開路或是快速熔斷器熔體燒斷等原因引起電流突變等場合,。,。

晶閘管模塊電流規(guī)格的選取

1、根據負載性質及負載額定電流進行選取

（1）電阻負載的較大電流應是負載額定電流的2倍,。

（2）感性負載的較大電流應為額定負載電流的3倍,。

（3）負載電流變化較大時，電流倍數適當增大,。

（4）在運行過程中,，負載的實際工作電流不應超過模塊的較大電流。

2,、散熱器風機的選用

模塊正常工作時必須配備散熱器和風機,，推薦采用廠家配套的散熱器和風機。如果用戶是自己提供的,，則使用以下原則來選擇：

（1）模塊正常工作時,，必須能保證冷卻底板溫度不超過75℃；

（2）當模塊負載較輕時,，可減小散熱器的尺寸或采用自然冷卻,；

（3） 有水冷條件的，應優(yōu)先水冷散熱 ,。

3,、使用要求

（1）工作場所環(huán)境溫度范圍：-25℃～+45℃；

（2）模塊周圍需要干燥,、通風,、遠離熱源、無塵,、無腐蝕性液體或氣體,。

（3）模塊電極上的銅線嚴禁不用端子直接壓接，以免接觸不良引起附加發(fā)熱,。

（4）應經常測量固體繼電器導熱襯底側或固態(tài)繼電器附近散熱器的表面溫度,，測點溫度應小于80℃。 正高電氣展望未來,，信心百倍,，追求高遠,。

    產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結,，并提高了PNP管的電流放大系數a1,產生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發(fā)射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行,。從圖3,，當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向導通狀態(tài)。式（1—1）中,，在晶閘管導通后,，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導通。晶閘管在導通后,，門極已失去作用,。在晶閘管導通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時,，由于a1和a1迅速下降，當1-（a1+a2）≈0時,，晶閘管恢復阻斷狀態(tài),。可關斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控晶閘管,。其主要特點為,，當門極加負向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關斷。前已述及,，普通晶閘管（SCR）靠門極正信號觸發(fā)之后,，撤掉信號亦能維持通態(tài),。欲使之關斷，必須切斷電源,，使正向電流低于維持電流IH,，或施以反向電壓強近關斷。這就需要增加換向電路,。不僅使設備的體積重量增大,，而且會降低效率，產生波形失真和噪聲,?？申P斷晶閘管克服了上述缺點。正高電氣建立雙方共贏的伙伴關系是我們孜孜不斷的追求,。電磁吸盤穩(wěn)流模塊組件

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    晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件，它有J1,、J2,、J3三個PN結圖1，可以把它中間的NP分成兩部分,，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管當晶閘管承受正向陽極電壓時,，為使晶閘管導通,，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用,。因此，兩個互相復合的晶體管電路,，當有足夠的門極電流Ig流入時,，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通,，晶體管飽和導通,。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應為Ia和Ik,；電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,，設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示,。當晶閘管承受正向陽極電壓,，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中,，Ig=0,(a1+a2)很小,，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關處于正向阻斷狀態(tài),。當晶閘管在正向陽極電壓下。從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經NPN管的發(fā)射結,，從而提高起點流放大系數a2,。電磁吸盤穩(wěn)流模塊組件

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