正高可控硅擁有體積小,、重量輕,、結構緊湊,、可靠性高,、外接線簡單、互換性好,、便于維修和安裝,；結構重復性好，裝置的機械設計可以簡化,，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點,，受到了眾多客戶的喜愛和歡迎。目前,，正高可控硅以其穩(wěn)定的性能等特點,，應用于各行業(yè)，**省內(nèi)外地區(qū),。 

可控硅模塊的分類   

可控硅模板從X芯片上看,，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區(qū)分,，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX),、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管,、整流管混合模塊(MFC),、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC),、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS),、單相（三相）整流橋模塊（MDQ),、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。 淄博正高電氣有限公司愿與各界朋友攜手共進,，共創(chuàng)未來,！甘肅雙向可控硅模塊廠家

相信大家對于可控硅模塊并不陌生了，現(xiàn)代在電氣行業(yè)的不斷發(fā)展,，可控硅模塊的使用范圍越來越廣,，但是你對可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數(shù)有哪些你知道嗎,？下面為大家講解,。

可控硅模塊的主要參數(shù)有：

(1) 額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。

(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號,，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓,?？煽毓枘K承受的正向電壓峰值,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。

(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓,，處于反向關斷狀態(tài)時,，可以重復加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。 甘肅雙向可控硅模塊廠家我們愿與您共同努力，共擔風雨,，合作共贏,。

可控硅模塊與其它功率器件一樣，工作時由于自身功耗而發(fā)熱,。如果不采取適當措施將這種熱量散發(fā)出去,，就會引起模塊管芯PN結溫度急劇上升。致使器件特性惡化,，直至完全損壞,。晶閘管的功耗主要由導通損耗、開關損耗,、門極損耗三部分組成,。在工頻或400Hz以下頻率的應用中相當主要的是導通損耗。為了確保器件長期可靠地工作,，設計時散熱器及其冷卻方式的選擇與電力半導體模塊的電流電壓的額定值選擇同等重要,，千萬不可大意！散熱器的常用散熱方式有：自然風冷,、強迫風冷,、熱管冷卻、水冷,、油冷等,。考慮散熱問題的總原則是：控制模塊中管芯的結溫Tj不超過產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給定的額定結溫

過電壓會對可控硅模塊造成損壞,，如果要想保護可控硅不受其損壞,，就要了解過電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損,，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞,？以及過電壓產(chǎn)生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感,，當正向電壓超過udrm值時，可控硅會誤導并導致電路故障,；當施加的反向電壓超過urrm值時,，可控硅模塊會立即損壞,。因此，需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法,。

過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化,，使系統(tǒng)轉換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚,。主要研究發(fā)現(xiàn),，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓,。雷擊或高壓斷路器動作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,，對可控硅模塊非常危險。

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可控硅模塊在應用電路中的作用體現(xiàn)在：

可控整流器：如二極管整流器,，交流整流器整流為直流，在交流電壓不變的情況下,，可有效控制直流輸出電壓,，實現(xiàn)交流/直流的轉換。

無觸點電源靜態(tài)開關（固態(tài)開關）：晶閘管模塊作為電源開關元件,，可在開關頻率較高的場合替代接觸器和繼電器,。

因此，可控硅模塊普遍應用于各種電子設備和電子產(chǎn)品中,，如可控整流,、逆變、變頻,、調(diào)壓,、無觸點開關等。晶閘管模塊廣泛應用于家用電器的工業(yè)控制領域,，如調(diào)光燈,、調(diào)速風扇、空調(diào),、熱水器,、電視、冰箱,、洗衣機,、照相機、音響組合、語音控制電路,、定時控制器,、感應燈、圣誕燈控制器,、自動門電路,、玩具裝置等。電動工具產(chǎn)品,、無線電遙控電路,、攝像機等領域都大量的使用了可控硅模塊。 淄博正高電氣有限公司擁有先進的產(chǎn)品生產(chǎn)設備,，雄厚的技術力量,。西藏大功率可控硅模塊組件

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單向可控硅模塊有陽極A、陰極K,、控制極G三個引出腳,。雙向可控硅有一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2),、控制極G三個引出腳,。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,，方可被觸發(fā)導通,。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài),，陽極A與陰極K間壓降約1V,。

單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓,，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A,、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時,，單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止,，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態(tài)相當于開關的閉合與斷開狀態(tài),，用它可制成無觸點開關,。 甘肅雙向可控硅模塊廠家

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