單向可控硅的檢測(cè)

  萬用表選用電阻R×1檔,，用紅黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對(duì)引腳，此時(shí)黑筆接的引腳為控制極G,，紅筆接的引腳為陰極K,，另一空腳為陽極A。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽極A,，紅表筆仍接陰極K,。此時(shí)萬用表指針應(yīng)不動(dòng)。用短接線瞬間短接陽極A和控制極G,，此時(shí)萬用表指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),，阻值讀數(shù)為10歐姆左右,。如陽極A接黑表筆,，陰極K接紅表筆時(shí)，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),，說明該單向可控硅已擊穿損壞,。 淄博正高電氣有限公司重信譽(yù)、守合同,，嚴(yán)把產(chǎn)品質(zhì)量關(guān),，熱誠(chéng)歡迎廣大用戶前來咨詢考察，洽談業(yè)務(wù),！濱州可控硅模塊價(jià)格

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管,，所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管,，簡(jiǎn)稱晶閘管T,。又由于晶閘管開始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。

在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài),。

可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此頻率,，因元件開關(guān)損耗明顯增加，允許通過的平均電流相降低,，此時(shí),，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用。

可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開通,、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行,，無火花,、無噪音;效率高,，成本低等等,。

可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形,。 東營(yíng)小功率可控硅模塊廠家歡迎各界朋友蒞臨參觀,。

可控硅模塊的用途

可控硅模塊具有硅整流器件的特性,，相當(dāng)于或類似于可控制的單向（或雙向）二極管,，利用其可控功能，實(shí)現(xiàn)了弱電流對(duì)強(qiáng)電的控制,。此外，晶閘管具有體積小,、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,、功能強(qiáng)、重量輕,、效率高、控制靈活等優(yōu)點(diǎn),。晶閘管可用于下列過程：

1,、可控整流：將交流電轉(zhuǎn)換成可調(diào)直流電,；

2,、逆變器：將直流電轉(zhuǎn)換成交流電,；

3,、變頻：將一個(gè)頻率的交流電轉(zhuǎn)換為另一個(gè)頻率的交流電或可調(diào)頻率的交流電；

4,、交流調(diào)壓：將固定交流電壓轉(zhuǎn)換為有效值可調(diào)的交流電壓,；

5,、斬波：將固定直流電壓轉(zhuǎn)換為平均可調(diào)直流電壓,；

6,、無觸點(diǎn)通斷：用無觸點(diǎn)開關(guān)代替交流接觸器實(shí)現(xiàn)開關(guān)控制,。

可控硅模塊的分類：

1,、以關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式來分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅,、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

2,、以引腳和極性來分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅。

3,、以封裝形式來分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形,、圓殼形等多種,；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

4,、以電流容量來分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。

5,、以關(guān)斷速度來分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。

6,、過零觸發(fā),，一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā),，必須是過零點(diǎn)才觸發(fā),，導(dǎo)通可控硅參數(shù)介紹

7、非過零觸發(fā),，無論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,，常見的是移相觸發(fā)。

雙向可控硅晶閘管使用中,，應(yīng)特別注意以下事項(xiàng)：

1.靈敏度

雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極,，而是稱作T1和T2極,，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通,，但是觸發(fā)靈敏度互不相同,，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。

2.可控硅過載的保護(hù)

可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多,，但是它過載能力差,，短時(shí)間的過流，過壓都會(huì)造成元件損壞,，因此為保證元件正常工作,，需有條件：

（1）外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用,；

（2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來?。?

（3）為保證控制極可靠觸發(fā),，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值,，除此以外，還必須采取保護(hù)措施,，一般對(duì)過流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器,，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè),，當(dāng)在交流側(cè)時(shí)額定電流取大些,，一般多采用前者,，過電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上，或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓,。由于,，過電壓的尖峰高，作用時(shí)間短,，常采用電阻和電容吸收電路加以,。

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單向可控硅模塊有陽極A,、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳,。雙向可控硅有一陽極A1(T1),，二陽極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳,。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通,。此時(shí)A,、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V,。

單向可控硅導(dǎo)通后,，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài),。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時(shí),，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài),。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通,。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān),。 濱州可控硅模塊價(jià)格

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