VDRM）的計算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM,；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2,、器件額定電流IT（AV）的計算：由于該線路相當于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜,。以上兩種線路對器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對器件耐壓要求比前一種線路低一倍,，但通流能力要求大兩倍,。四、使用模塊產(chǎn)品注意事項：l電力半導體模塊屬于溫度敏感性器件,，使用時必須安裝于散熱器上,。安裝前首先用酒精將模塊底板和散熱器表面擦拭干凈,待自然干燥后，在模塊底板上均勻涂上（采用滾柱來回滾動涂抹）導熱硅脂,，導熱硅脂剛好能夠覆蓋整個底板和散熱器,。安裝之后可從散熱器上取下模塊，檢查模塊底板整個區(qū)域是否完全沾潤,。l手冊中額定電流[IT(AV),、IF(AV)]是在規(guī)定散熱器、強通風冷(風速6m/s)和額定殼溫Tc和純阻性負載下得出的,。若使用條件發(fā)生變化(如感性負載)額定電流就會下降,。l散熱器與模塊接觸面應平整，散熱器的平面度≤（1）,確保良好的熱傳導,，電極與銅排連接時,。正高電氣以質(zhì)量為生命”保障產(chǎn)品品質(zhì)。河北單相交流調(diào)壓模塊品牌

    下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實施例,，對于本領域普通技術人員來講,，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖,。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實施方式的平面示意圖,。具體實施方式下面結合附圖所示的各實施方式對本發(fā)明進行詳細說明，但應當說明的是,，這些實施方式并非對本發(fā)明的限制,，本領域普通技術人員根據(jù)這些實施方式所作的功能、方法,、或者結構上的等效變換或替代,，均屬于本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。如圖1所示,，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1,、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的接頭4,、第二接頭5和第三接頭6,、封裝于所述外殼1內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中,，任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接,，并在晶閘管單元的控制下對所在電路進行投切控制。所述晶閘管單元包括：壓塊7,、門極壓接式組件8,、導電片9、第二導電片10,、瓷板11,。其中，所述壓塊7設置于所述門極壓接式組件8上,，并通過所述門極壓接式組件8對所述導電片9,、第二導電片10、瓷板11施加壓合作用力,，所述導電片9,、第二導電片10、瓷板11依次設置于所述銅底板3上,。為了實現(xiàn)所述導電片9,、第二導電片10、瓷板11與銅底板3的固定連接,。臨沂大功率晶閘管模塊批發(fā)正高電氣以顧客為本,，誠信服務為經(jīng)營理念。

    以提高測試電壓和測試電流,，使GTO可靠地導通,。（2）要準確測量GTO的關斷增益βoff，必須有**測試設備,。但在業(yè)余條件下可用上述方法進行估測,。由于測試條件不同，測量結果*供參考,，或作為相對比較的依據(jù),。逆導晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向導通晶閘管。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,，使陽極與陰極的發(fā)射結均呈短路狀態(tài),。由于這種特殊電路結構，使之具有耐高壓,、耐高溫,、關斷時間短,、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如,，逆導晶閘管的關斷時間*幾微秒，工作頻率達幾十千赫,，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）,。該器件適用于開關電源、UPS不間斷電源中,，一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只,，不僅使用方便，而且能簡化電路設計,。逆導晶閘管的符號,、等效電路如圖1(a)、(b)所示,。其伏安特性見圖2,。由圖顯見，逆導晶閘管的伏安特性具有不對稱性,，正向特性與普通晶閘管SCR相同,，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（*坐標位置不同）。逆導晶閘管的典型產(chǎn)品有美國無線電公司（RCA）生產(chǎn)的S3900MF,，其外形見圖1(c),。它采用TO-220封裝，三個引出端分別是門極G,、陽極A,、陰極K。S3900MF的主要參數(shù)如下：斷態(tài)重復峰值電壓VDRM：>,。

    晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件,，它有J1、J2,、J3三個PN結圖1,，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管當晶閘管承受正向陽極電壓時,，為使晶閘管導通,，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。因此,，兩個互相復合的晶體管電路,，當有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋,，造成兩晶體管飽和導通,，晶體管飽和導通,。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應為Ia和Ik,；電流放大系數(shù)相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,，設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當晶閘管承受正向陽極電壓,，而門極未受電壓的情況下,，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小,，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關處于正向阻斷狀態(tài),。當晶閘管在正向陽極電壓下。從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結,，從而提高起點流放大系數(shù)a2,。正高電氣始終堅持以人為本，恪守質(zhì)量為金,，同建雄績偉業(yè),。

    紅表筆接K極時，電阻呈低阻值,，對其它情況電阻值均為無窮大,。由此可迅速判定G、K極,，剩下的就是A極,。2．檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,，紅表筆接K極,，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時接觸G極,，加上正向觸發(fā)信號,，表針向右偏轉到低阻值即表明GTO已經(jīng)導通；脫開G極,，只要GTO維持通態(tài),，就說明被測管具有觸發(fā)能力。3．檢查關斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關斷能力,，如圖2(b)所示,，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔,，紅表筆接G極,，黑表筆接K極，施以負向觸發(fā)信號,，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置,，證明GTO具有關斷能力,。4．估測關斷增益βoff進行到第3步時，先不接入表Ⅱ,，記下在GTO導通時表Ⅰ的正向偏轉格數(shù)n1,；再接上表Ⅱ強迫GTO關斷，記下表Ⅱ的正向偏轉格數(shù)n2,。根據(jù)讀取電流法按下式估算關斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù),；K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點是,。不需要具體計算IAT、IG之值,，只要讀出二者所對應的表針正向偏轉格數(shù),，即可迅速估測關斷增益值。晶體閘流管注意事項編輯（1）在檢查大功率GTO器件時,，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′,。正高電氣以快的速度提供好的產(chǎn)品質(zhì)量和好的價格及完善的售后服務。東營雙向晶閘管模塊價格

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    并通過所述第二門極壓接式組件對所述第三導電片,、鉬片、銀片,、鋁片施加壓合作用力,，所述第三導電片、鉬片,、銀片,、鋁片依次設置于所述銅底板上。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,，任一所述接頭包括：螺栓和螺母,，所述螺栓與螺母之間還設置有彈簧墊圈和平墊圈。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,，所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的導電片,、第二導電片、瓷板進行固定,。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,，所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的第三導電片、鉬片,、銀片,、鋁片進行固定,。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進，所述壓塊和第二壓塊上還設置有絕緣套管,。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,，所述絕緣套管與對應的壓塊之間還設置有墊圈。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,，所述外殼上還設置有門極銅排安裝座,。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過設置接頭,、第二接頭和第三接頭,、封裝于外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠實現(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制，有效保證了電力系統(tǒng)的正常運行,。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案,，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地,。河北單相交流調(diào)壓模塊品牌

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