可控硅模塊的用途

可控硅模塊具有硅整流器件的特性，相當(dāng)于或類似于可控制的單向（或雙向）二極管,，利用其可控功能,，實現(xiàn)了弱電流對強(qiáng)電的控制。此外，晶閘管具有體積小,、結(jié)構(gòu)簡單,、功能強(qiáng)、重量輕,、效率高,、控制靈活等優(yōu)點。晶閘管可用于下列過程：

1,、可控整流：將交流電轉(zhuǎn)換成可調(diào)直流電,；

2、逆變器：將直流電轉(zhuǎn)換成交流電,；

3,、變頻：將一個頻率的交流電轉(zhuǎn)換為另一個頻率的交流電或可調(diào)頻率的交流電；

4,、交流調(diào)壓：將固定交流電壓轉(zhuǎn)換為有效值可調(diào)的交流電壓,；

5、斬波：將固定直流電壓轉(zhuǎn)換為平均可調(diào)直流電壓,；

6,、無觸點通斷：用無觸點開關(guān)代替交流接觸器實現(xiàn)開關(guān)控制。 我們愿與您共同努力,，共擔(dān)風(fēng)雨,，合作共贏。湖南可控硅模塊

可控硅模塊與其它功率器件一樣,，工作時由于自身功耗而發(fā)熱,。如果不采取適當(dāng)措施將這種熱量散發(fā)出去，就會引起模塊管芯PN結(jié)溫度急劇上升,。致使器件特性惡化,，直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導(dǎo)通損耗,、開關(guān)損耗,、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應(yīng)用中相當(dāng)主要的是導(dǎo)通損耗,。為了確保器件長期可靠地工作,，設(shè)計時散熱器及其冷卻方式的選擇與電力半導(dǎo)體模塊的電流電壓的額定值選擇同等重要，千萬不可大意,！散熱器的常用散熱方式有：自然風(fēng)冷,、強(qiáng)迫風(fēng)冷、熱管冷卻,、水冷,、油冷等,。考慮散熱問題的總原則是：控制模塊中管芯的結(jié)溫Tj不超過產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給定的額定結(jié)溫湖南可控硅模塊淄博正高電氣有限公司生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊,。

可控硅模塊又叫晶閘管,，自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管,、雙向晶閘管,、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管,、可關(guān)斷晶閘管,、快速晶閘管，等等?，F(xiàn)在大家使用的是單向晶閘管,，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,，有三個PN結(jié),，對外有三個電極：首層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K,。從晶閘管的電路符號可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關(guān)鍵是多了一個控制極G,，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。

雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間,，無論所加電壓極性是正向還是反向,，只要控制極G和***陽極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài),。此時A1,、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通,，即使失去觸發(fā)電壓,，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)***陽極A1,、第二陽極A2電流減小,，小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時,，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通,。

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選擇可控硅模塊時不能只看表面，應(yīng)參考實際工作條件來選擇,，選用可控硅模塊的額定電流時,，除了考慮通過元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時導(dǎo)通角的大小,、散熱通風(fēng)條件等因素,。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。

1.可控硅模塊的冷卻及環(huán)境條件:

(1)強(qiáng)迫風(fēng)冷：風(fēng)速≥6m/s,，風(fēng)溫≤40℃,；

(2)水冷：流量≥4L/mm，壓強(qiáng)0.2±0.03Mpa,。水溫≤35℃. 水電阻率≥20KΩ.cm,，HP值6—8；

(3)自冷和負(fù)冷環(huán)境溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境溫度5℃—40℃,；

(4)空氣相對濕度≤85%,；

(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃；

(6)氣壓86—106Kpa,；

(7)無劇烈震動或沖擊,；

(8)若有特殊場合，應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)的試驗,，證明工作可靠方可使用,。 淄博正高電氣有限公司得到市場的一致認(rèn)可。湖南可控硅模塊

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可控硅模塊規(guī)格的選擇方法：考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流,，存在導(dǎo)通角問題，負(fù)載電流存在一些波動和不穩(wěn)定因素,，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差,，在選擇模塊電流規(guī)格時必須留出一定的裕度,。

推薦選擇方法可按照以下公式計算：I＞K×I負(fù)載×U∕U實際

K ：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K= 1.5,，感性負(fù)載K= 2,；

I負(fù)載：負(fù)載流過的強(qiáng)大電流； U實際：負(fù)載上的小電壓,；

U強(qiáng)大 模塊能輸出的強(qiáng)大電壓,；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍,，其余規(guī)格均為1.0倍）,；

I：需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。 湖南可控硅模塊

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