一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,，創(chuàng)制于1957年,，由于它特性類似于真空閘流管,，所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱晶閘管T,。又由于晶閘管開(kāi)始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。

在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài),。

可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,，如果超過(guò)此頻率，因元件開(kāi)關(guān)損耗明顯增加,，允許通過(guò)的平均電流相降低,，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用,。

可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,，無(wú)火花,、無(wú)噪音;效率高，成本低等等,。

可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通,。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形。 淄博正高電氣有限公司一切從實(shí)際出發(fā),、注重實(shí)質(zhì)內(nèi)容,。山東反并聯(lián)可控硅模塊

可控硅模塊的用途

可控硅模塊具有硅整流器件的特性，相當(dāng)于或類似于可控制的單向（或雙向）二極管,，利用其可控功能,，實(shí)現(xiàn)了弱電流對(duì)強(qiáng)電的控制。此外,，晶閘管具有體積小,、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng),、重量輕,、效率高、控制靈活等優(yōu)點(diǎn),。晶閘管可用于下列過(guò)程：

1,、可控整流：將交流電轉(zhuǎn)換成可調(diào)直流電；

2,、逆變器：將直流電轉(zhuǎn)換成交流電,；

3、變頻：將一個(gè)頻率的交流電轉(zhuǎn)換為另一個(gè)頻率的交流電或可調(diào)頻率的交流電,；

4,、交流調(diào)壓：將固定交流電壓轉(zhuǎn)換為有效值可調(diào)的交流電壓；

5,、斬波：將固定直流電壓轉(zhuǎn)換為平均可調(diào)直流電壓,；

6、無(wú)觸點(diǎn)通斷：用無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)代替交流接觸器實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)控制,。 山東反并聯(lián)可控硅模塊不斷開(kāi)發(fā)新的產(chǎn)品,，并建立了完善的服務(wù)體系。

可控硅元件在電氣設(shè)備中發(fā)揮重大作用,，但可控硅使用中必須要注意運(yùn)行環(huán)境和相關(guān)指標(biāo),，防止可控硅損壞而影響到設(shè)備的正常使用。對(duì)此,，在選用可控硅的額定電壓時(shí),，應(yīng)參考實(shí)際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量,。

1,、選用可控硅的額定電流時(shí)，除了考慮通過(guò)元件的平均電流外,，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小,、散熱通風(fēng)條件等因素,。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過(guò)相應(yīng)電流下的允許值。

2,、使用可控硅之前,，應(yīng)該用萬(wàn)用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí),，應(yīng)立即更換,。

3、嚴(yán)禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況,。

4,、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件,。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂，以幫于良好的散熱,。

5,、按規(guī)定對(duì)主電路中的可控硅采用過(guò)壓及過(guò)流保護(hù)裝置。

6,、要防止可控硅控制極的正向過(guò)載和反向擊穿,。

可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久，它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題,，憑借它的優(yōu)勢(shì),，使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎，下面正高來(lái)詳細(xì)的說(shuō)下可控硅模塊,。

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊（semiconductormodule）,。剛開(kāi)始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式,，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。

可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)體積小、重量輕,、結(jié)構(gòu)緊湊,、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單,、互換性好,、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,，并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展,。 淄博正高電氣有限公司歡迎朋友們指導(dǎo)和業(yè)務(wù)洽談。

雙向可控硅晶閘管使用中,，應(yīng)特別注意以下事項(xiàng)：

1.靈敏度

雙向可控硅是一個(gè)三端元件,，但我們不再稱其兩極為陰陽(yáng)極，而是稱作T1和T2極,，G為控制極,，其控制極上所加電壓無(wú)論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同,，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門(mén)極電流IGT是有區(qū)別的,。

2.可控硅過(guò)載的保護(hù)

可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多，但是它過(guò)載能力差,，短時(shí)間的過(guò)流,，過(guò)壓都會(huì)造成元件損壞，因此為保證元件正常工作,，需有條件：

（1）外加電壓下允許超過(guò)正向轉(zhuǎn)折電壓,，否則控制極將不起作用；

（2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來(lái)??；

（3）為保證控制極可靠觸發(fā)，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值,，除此以外,，還必須采取保護(hù)措施，一般對(duì)過(guò)流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器,，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右,，其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè)，當(dāng)在交流側(cè)時(shí)額定電流取大些,，一般多采用前者,，過(guò)電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上，或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過(guò)程產(chǎn)生的過(guò)壓,。由于,，過(guò)電壓的尖峰高，作用時(shí)間短,，常采用電阻和電容吸收電路加以,。

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可控硅模塊屬于電氣元器件,，目前雙向可控硅模塊是比較理想的交流開(kāi)關(guān)器件，它是從普通可控硅模塊的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的,，使用更加方便,、安全可靠,。下面正高來(lái)帶您了解下雙向可控硅模塊的特點(diǎn)與性能。

雙向可控硅模塊是由一對(duì)反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成,，工作原理與普通單向可控硅相同,。雙向可控硅模塊有兩個(gè)主電極T1和T2和一個(gè)門(mén)極G， 門(mén)極使器件在主電極的正反兩個(gè)方向均可觸發(fā)導(dǎo)通,，所以雙向可控硅在第 1和第 3象限有對(duì)稱的伏安特性,。雙向可控硅模塊門(mén)極加正、負(fù)觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通,，因此有四種觸發(fā)方式,。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅模塊，需定量掌握其主要參數(shù),，對(duì)雙向可控硅模塊進(jìn)行適當(dāng)選用并采取相應(yīng)措施以達(dá)到各參數(shù)的要求,。 山東反并聯(lián)可控硅模塊

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