晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL,、反向漏電流IRL,、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM,、正向平均壓降VF,、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG,、門極觸發(fā)電流IG,、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開路的條件下,，在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓,、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)所對(duì)應(yīng)的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM,，是指晶閘管在正向阻斷時(shí),，允許加在A、K(或T1,、T2)極間比較大的峰值電壓,。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態(tài)平均電流IT通態(tài)平均電流IT,，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,，晶閘管正常工作時(shí)A、K(或T1,、T2)極間所允許通過電流的平均值,。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結(jié)溫下,，晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時(shí)反對(duì)應(yīng)的峰值電壓,。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM,，是指晶閘管在門極G斷路時(shí)，允許加在A,、K極間的比較大反向峰值電壓,。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。,。正高電氣設(shè)備的引進(jìn)更加豐富了公司的設(shè)備品種,，為用戶提供了更多的選擇空間。大連晶閘管智能調(diào)壓模塊哪家好

    它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點(diǎn),，以具有自關(guān)斷能力，使用方便,，是理想的高壓,、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻紡比GTR低,。GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量,。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強(qiáng)大的生命力,。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,，所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,，βoff,，它等于陽極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負(fù)向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,，說明門極電流對(duì)陽極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然,，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處,。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力,、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法,。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測(cè)量任意兩腳間的電阻,，*當(dāng)黑表筆接G極,。山東小功率晶閘管模塊組件正高電氣有著質(zhì)量的服務(wù)質(zhì)量和極高的信用等級(jí)。

    硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓和溫度有關(guān),，溫度越低耐壓越高,；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性，能多次使用,，當(dāng)過電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,，又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極,，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層,。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),，只有很小的漏電流，其值小于100μA,。當(dāng)加上電壓時(shí),，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗,，電流迅速增加,，泄漏了能量，了過電壓,，從而使晶閘管得到保護(hù),。浪涌過后，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài),。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來表示,。標(biāo)稱電壓：指壓敏電阻流過1mA直流電流時(shí)，其兩端的電壓值,。通流容量：是用前沿8微秒,、波寬20微秒的波形沖擊電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次,，標(biāo)稱電壓變化在-10[[[%]]]以內(nèi)的比較大沖擊電流值來表示,。因?yàn)檎５膲好綦娮枇＝鐚又挥幸欢ù笮〉姆烹娙萘亢头烹姶螖?shù)，標(biāo)稱電壓值不僅會(huì)隨著放電次數(shù)增多而下降,，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降,，當(dāng)大到某一電流時(shí)，標(biāo)稱電壓下降到0,，壓敏電阻出現(xiàn)穿孔,，甚至炸裂；因此必須限定通流容量,。

    簡(jiǎn)稱過零型）和隨機(jī)導(dǎo)通型（簡(jiǎn)稱隨機(jī)型）,；按輸出開關(guān)元件分有雙向可控硅輸出型（普通型）和單向可控硅反并聯(lián)型（增強(qiáng)型）；按安裝方式分有印刷線路板上用的針插式（自然冷卻,，不必帶散熱器）和固定在金屬底板上的裝置式（靠散熱器冷卻）,；另外輸入端①直流恒流控制型（D3），電壓為3-36Vdc寬范圍,，驅(qū)動(dòng)電流為5-15mA,；②直流抗干擾控制型（D2），電壓為18-30Vdc,；③串電阻限流型（D1）,，電壓為4-8Vdc，**于隨機(jī)型LSR,；④交流控制型（A3）,，電壓為90-430Vac寬范圍。⑴過零型(Z型)與隨機(jī)型(P型)LSR的區(qū)別由于觸發(fā)信號(hào)方式不同,，過零型和隨機(jī)型之間的區(qū)別主要在于負(fù)載交流電流導(dǎo)通的條件不同,。當(dāng)輸入端施加有效的控制信號(hào)時(shí)，隨機(jī)型LSR負(fù)載輸出端立即導(dǎo)通（速度為微秒級(jí)）,，而過零型LSR則要等到負(fù)載電壓過零區(qū)域(約±15V)時(shí)才開啟導(dǎo)通,。當(dāng)輸入端撤消控制信號(hào)后，過零型和隨機(jī)型LSR均在小于維持電流時(shí)關(guān)斷,，這兩種類型的關(guān)斷條件相同,。雖然過零型LSR有可能造成比較大半個(gè)周期的延時(shí)，但卻減少了對(duì)負(fù)載的沖擊和產(chǎn)生的射頻干擾,，在負(fù)載上可以得到一個(gè)完整的正弦波形,，成為理想的開關(guān)器件，在“單刀單擲”的開關(guān)場(chǎng)合中應(yīng)用**為,。隨機(jī)型LSR的特點(diǎn)是反應(yīng)速度快,。正高電氣公司依托便利的區(qū)位和人才優(yōu)勢(shì),。

    3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時(shí)器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的,，所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過電壓,。換相過電壓之后，出現(xiàn)換相振蕩過電壓,，它是由于電感,、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓，其值和換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān),。反向電壓越高，換相振蕩過電壓也越大,。針對(duì)形成過電壓的不同原因,，可以采取不同的方法，如減少過電壓源,，并使過電壓幅值衰減,；過電壓能量上升的速率，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度,，增加其消散的途徑,；采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件,，使能量得以消散,，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有較高的頻率,，因此常用電容作為吸收元件,，為防止振蕩，常加阻尼電阻,，構(gòu)成阻容吸收回路,。阻容吸收回路可接在電路的交流側(cè)、直流側(cè),，或并接在晶閘管的陽極和陰極之間,。吸收電路比較好選用無感電容，接線應(yīng)盡量短,。,。5）由硒堆及壓敏電阻等非線性元件組成吸收回路上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的，有時(shí)對(duì)時(shí)間短,、峰值高,、能量大的過電壓來不及放電，過電壓的效果較差,。因此,，一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。正高電氣迎接挑戰(zhàn)，推陳出新,，與廣大客戶攜手并進(jìn),，共創(chuàng)輝煌！山東小功率晶閘管模塊組件

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    由于晶閘管在導(dǎo)通期間,，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過程中,，正向電壓下降到零時(shí),，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,，使積蓄載流子迅速消失,，這時(shí)反向電流消失的極快，即di/dt極大,。因此即使和元件串連的線路電感L很小,，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L（di/dt）值仍很大，這個(gè)電勢(shì)和電源電壓串聯(lián),，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓,，稱為關(guān)斷過電壓,，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施,。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,，電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗和電流上升率,。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過電壓,，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子,，即引線要短,。比較好采用無感電阻，以取得較好的保護(hù)效果,。各型號(hào)模塊對(duì)應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取,。（2）壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過電壓,。壓敏電阻標(biāo)稱電壓（V1mA）,，是指壓敏電阻流過1mA電流時(shí)它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇,，主要考慮額定電壓和通流容量,。大連晶閘管智能調(diào)壓模塊哪家好

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