晶閘管模塊(MTC,MTA,MTK,MTX)一,、產(chǎn)品特點(diǎn)：1,、芯片與底板電氣絕緣,，2500V交流電壓,；2、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝,；3、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù)；4,、壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力,；5,、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC；6,、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷,，300A以上模塊，既可選用風(fēng)冷,，也可選用水冷,；7、安裝簡(jiǎn)單,，使用維修方便,，體積小，重量輕,。二,、型號(hào)說(shuō)明：三、技術(shù)參數(shù)：型號(hào)通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四,、外形尺寸及電路聯(lián)結(jié)形式：五,、產(chǎn)品應(yīng)用：1、交直流電機(jī)控制,；2,、各種整流電源；3,、工業(yè)加熱控制,；4、調(diào)光,；5,、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)；6,、電機(jī)軟起動(dòng),；7、靜止無(wú)功補(bǔ)嘗,；8,、電焊機(jī),；9、變頻器,；10,、UPS電源；11,、電池充放電,。說(shuō)明：，Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調(diào)試值,，表中其它參數(shù)皆jm下的測(cè)試值;,，在50HZ頻率下，I2t(10ms)=(A2S);d.當(dāng)使用在電流為60HZ情況下,，Itsm()=(10ms),I2t()=,。正高電氣以更積極的態(tài)度，更新,、更好的產(chǎn)品,，更質(zhì)量的服務(wù)，迎接挑戰(zhàn),。濟(jì)南可控硅集成調(diào)壓模塊組件

    下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例,，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖,。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實(shí)施方式的平面示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖所示的各實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明,，但應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是,，這些實(shí)施方式并非對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所作的功能,、方法,、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi),。如圖1所示,，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1、蓋板2,、銅底板3,、形成于所述蓋板2上的接頭4、第二接頭5和第三接頭6,、封裝于所述外殼1內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元,。其中，任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接,，并在晶閘管單元的控制下對(duì)所在電路進(jìn)行投切控制,。所述晶閘管單元包括：壓塊7、門(mén)極壓接式組件8,、導(dǎo)電片9,、第二導(dǎo)電片10、瓷板11,。其中,，所述壓塊7設(shè)置于所述門(mén)極壓接式組件8上，并通過(guò)所述門(mén)極壓接式組件8對(duì)所述導(dǎo)電片9,、第二導(dǎo)電片10,、瓷板11施加壓合作用力，所述導(dǎo)電片9,、第二導(dǎo)電片10,、瓷板11依次設(shè)置于所述銅底板3上。為了實(shí)現(xiàn)所述導(dǎo)電片9,、第二導(dǎo)電片10,、瓷板11與銅底板3的固定連接。山東晶閘管模塊配件正高電氣公司將以質(zhì)量的產(chǎn)品,，完善的服務(wù)與尊敬的用戶攜手并進(jìn),！

    產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行,。從圖3，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí),，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí),，流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。式（1—1）中,，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門(mén)極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通,。晶閘管在導(dǎo)通后,，門(mén)極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后,，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,，使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí)，由于a1和a1迅速下降,，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí),，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)?？申P(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱(chēng)門(mén)控晶閘管,。其主要特點(diǎn)為,，當(dāng)門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。前已述及,，普通晶閘管（SCR）靠門(mén)極正信號(hào)觸發(fā)之后,，撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷,，必須切斷電源,，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強(qiáng)近關(guān)斷,。這就需要增加換向電路,。不僅使設(shè)備的體積重量增大，而且會(huì)降低效率,，產(chǎn)生波形失真和噪聲,。可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺點(diǎn),。

    由于晶閘管在導(dǎo)通期間,，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過(guò)程中,，正向電壓下降到零時(shí),，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,，使積蓄載流子迅速消失,，這時(shí)反向電流消失的極快，即di/dt極大,。因此即使和元件串連的線路電感L很小,，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L（di/dt）值仍很大，這個(gè)電勢(shì)和電源電壓串聯(lián),，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過(guò)電壓,，稱(chēng)為關(guān)斷過(guò)電壓,，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施,。阻容吸收電路中電容器把過(guò)電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,，電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開(kāi)通損耗和電流上升率,。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電壓,，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短,。比較好采用無(wú)感電阻,，以取得較好的保護(hù)效果。各型號(hào)模塊對(duì)應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取,。（2）壓敏電阻吸收過(guò)電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大,、持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過(guò)電壓。壓敏電阻標(biāo)稱(chēng)電壓（V1mA）,，是指壓敏電阻流過(guò)1mA電流時(shí)它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇,，主要考慮額定電壓和通流容量,。正高電氣產(chǎn)品質(zhì)量好，收到廣大業(yè)主一致好評(píng),。

    六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱(chēng)通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT,，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，當(dāng)通過(guò)晶閘管的電流為額定電流時(shí),，其陽(yáng)極A與陰極K之間電壓降的平均值,，通常為。(七)晶閘管門(mén)極觸發(fā)電壓VGT門(mén)極觸發(fā)VGT,，是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽(yáng)極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下,，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的**小門(mén)極直流電壓，一般為,。(八)晶閘管門(mén)極觸發(fā)電流IGT門(mén)極觸發(fā)電流IGT,，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和晶閘管陽(yáng)極與陰極之間為一定值電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的**小門(mén)極直流電流,。(九)晶閘管門(mén)極反向電壓門(mén)極反向電壓是指晶閘管門(mén)極上所加的額定電壓,，一般不超過(guò)10V。(十)晶閘管維持電流IH維持電流IH是指維持晶閘管導(dǎo)通的**小電流,。當(dāng)正向電流小于IH時(shí),，導(dǎo)通的晶閘管會(huì)自動(dòng)關(guān)斷。(十一)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR,，是指晶閘管在斷態(tài)下的正向比較大平均漏電電流值,，一般小于100μA(十二)晶閘管反向重復(fù)峰值電流IRRM反向重復(fù)峰值電流IRRM，是指晶閘管在關(guān)斷狀態(tài)下的反向比較大漏電電流值,，一般小于100μA,。正高電氣一起不斷創(chuàng)新、追求共贏,、共享全新市場(chǎng)的無(wú)限商機(jī),。工業(yè)窯爐可控硅集成調(diào)壓模塊組件

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    漏電流：指加一半標(biāo)稱(chēng)直流電壓時(shí)測(cè)得的流過(guò)壓敏電阻的電流。由于壓敏電阻的通流容量大,，殘壓低,，過(guò)電壓能力強(qiáng)；平時(shí)漏電流小,，放電后不會(huì)有續(xù)流,，元件的標(biāo)稱(chēng)電壓等級(jí)多，便于用戶選擇,；伏安特性是對(duì)稱(chēng)的,，可用于交、直流或正負(fù)浪涌,；因此用途較廣,。2、過(guò)電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小,、熱容量小,，特別像晶閘管這類(lèi)高電壓大電流的功率器件，結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制,，否則將遭至徹底損壞,。當(dāng)晶閘管中流過(guò)大于額定值的電流時(shí)，熱量來(lái)不及散發(fā),，使得結(jié)溫迅速升高,，**終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過(guò)電流的原因是多種多樣的,，例如,，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發(fā)電路發(fā)生故障,，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等,，以及交流電源電壓過(guò)高、過(guò)低或缺相,，負(fù)載過(guò)載或短路,，相鄰設(shè)備故障影響等。晶閘管過(guò)電流保護(hù)方法**常用的是快速熔斷器,。由于普通熔斷器的熔斷特性動(dòng)作太慢,，在熔斷器尚未熔斷之前晶閘管已被燒壞；所以不能用來(lái)保護(hù)晶閘管,。濟(jì)南可控硅集成調(diào)壓模塊組件

淄博正高電氣有限公司坐落于交通便利,、經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá)、文化底蘊(yùn)深厚的淄博市臨淄區(qū),，是專(zhuān)業(yè)從事電力電子產(chǎn)品,、及其相關(guān)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā),、生產(chǎn)、銷(xiāo)售及服務(wù)為一體的高科技企業(yè),。主要生產(chǎn)各類(lèi)規(guī)格型號(hào)的晶閘管智能模塊,、晶閘管模塊、可控硅模塊,、電力調(diào)整器,、固態(tài)繼電器模塊、橋臂模塊,、整流橋模塊,、各類(lèi)控制柜和配套模塊使用的觸發(fā)板、控制板等產(chǎn)品,，并可根據(jù)用戶需求進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)加工,。近年來(lái)，本公司堅(jiān)持以人為本,，始終立足于科技的前沿，狠抓產(chǎn)品質(zhì)量,，產(chǎn)品銷(xiāo)往全國(guó)各地,，深受用戶的好評(píng)。 淄博正高電氣有限公司伴隨著發(fā)展的腳步,，在社會(huì)各界及客戶的大力支持下,，生機(jī)勃發(fā)，春意盎然,。面向未來(lái),，前程似錦，豪情滿懷,。今后,，我們將進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品品質(zhì)，堅(jiān)持科技創(chuàng)新,，一切為用戶著想,，以前列的服務(wù)為社會(huì)奉獻(xiàn)高、精,、尖的產(chǎn)品,，不斷改進(jìn)、不斷提高是我們不變的追求,，用戶滿意是我們追求的方向,。正高電氣全體員工恭候各界朋友前來(lái)我公司參觀指導(dǎo)，恰談業(yè)務(wù),！