晶閘管智能模塊的保護

在實際應用中，除合理選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓及電流外,，還必須采取有效的保護措施來保證晶閘管智能模塊能可靠工作,。

過熱保護：晶閘管智能模塊與其他功率器件一樣，在實際工作中由于自身功耗,，都會引起芯片溫度上升,，溫度過高后，會使漏電流增加,，芯片特性變軟,，直至過熱擊穿，在實際應用中,，通常采用強迫風冷的方法來及時散除晶閘管工作時產(chǎn)生的熱量,，控制散熱器比較高溫度不超過75°，使晶閘管智能模塊在安全溫度下工作,。 正高電氣累積點滴改進,，邁向優(yōu)良品質(zhì)！威海MTAC300晶閘管智能模塊廠家

    以具有自關斷能力,，使用方便,，是理想的高壓、大電流開關器件,。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻紡比GTR低。目前,，GTO已達到3000A,、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速,、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力,?？申P斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號,。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同,，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同,。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導通后只能達到臨界飽和,，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關斷,。GTO的一個重要參數(shù)就是關斷增益，βoff,，它等于陽極比較大可關斷電流IATM與門極比較大負向電流IGM之比,，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強,。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處,。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極,、檢查GTO的觸發(fā)能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法,。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,，測量任意兩腳間的電阻，*當黑表筆接G極,，紅表筆接K極時,，電阻呈低阻值。青島MTDC1000晶閘管智能模塊廠家正高電氣以質(zhì)量求生存,，以信譽求發(fā)展,！

    當C5上的電壓上升到氛管的導通電壓時，雙向晶閘管就會被觸發(fā)導通。另一種是用兩個NPN型三極管反向串聯(lián)（基極開路）代替雙向觸發(fā)二極管,，調(diào)壓效果還不錯,。再有一種是用RC電路取代雙向觸發(fā)二極管，調(diào)壓效果要差一些,，在對調(diào)壓器性能要求不高的情況下可以使用,。雙向晶閘管能不能也采用單結晶體管張弛振蕩器組成的觸發(fā)電路呢？雙向晶閘管的特點是不論給它的控制極加上正的或負的觸發(fā)脈沖都能使它導通,，所以,，單結晶體管張弛振蕩器同樣可以作為雙向晶閘管的觸發(fā)電路。這種觸發(fā)電路調(diào)壓效果很好,，只是電路比較復雜,。由于單結晶體管張弛振蕩器必須由直流電源供電，所以應用橋式整流電路得到全波脈動直流電壓,，再經(jīng)過穩(wěn)壓管VD削波成為梯形波電壓,，為張弛振蕩器供電。為什么使用梯形波電壓而不用濾波電容器得到平滑的直流電壓呢,？一定要用梯形波電壓,，不能使用平滑的直流電壓。這是為了能使觸發(fā)脈沖與交流電源同步,。經(jīng)過全波整流,、穩(wěn)壓管削波后得到的梯形波電壓與主電路電壓是同步變化的，即二者同時經(jīng)過零值,，同時上升,，同時下降。這樣,，當晶閘管上承受的主電壓過零時,。

晶閘管模塊常用的保護措施

① 過電流保護

過流保護一般都推薦外接快速熔斷器的方法，可將快速熔斷器串聯(lián)于模塊的交流輸入端即可,，三相模塊三只,，單相模塊一只。熔斷器額定電壓要大于電路工作電壓,，額定電流一般取負載電流的百分之七十到八十,。但快速熔斷器對于短路引起的過流保護效果很好，對于一般性的過流并不能起到很好的保護效果,，因為兩倍于快速熔斷器額定值的電流在幾秒內(nèi)才能熔斷,。如果要取得較好的保護效果，除采用快速熔斷器外可采用帶過流保護功能的模塊或具有過流保護功能的控制板,。

②過電壓保護

模塊的過壓保護,，推薦使用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式,。

阻容吸收回路能有效晶閘管由導通到截止時產(chǎn)生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿,。阻容吸收并聯(lián)在模塊每一只晶閘管芯片上即可,，反并聯(lián)芯片可共用一組。 正高電氣銳意進取,，持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供專業(yè)化服務。

    可控硅與接觸器的選型可控硅投切開關與接觸器的選型無功補償中一個重要器件就是電容器投切開關,。早期多采用的是接觸器,，隨后呈現(xiàn)的是可控硅投切開關，希拓小編帶你了解下兩者如何選型,。接觸器在投入過程中涌流大,，嚴重時，會發(fā)作觸頭熔焊現(xiàn)象,。即便是帶有抑止涌流安裝的電容器投切**接觸器,，在無功負荷動搖大，電容器投切頻繁的狀況下,，也存在運用壽命短,，需求經(jīng)常停止檢修的問題。一般使用于負荷穩(wěn)定,，投切次數(shù)較少的場合,。可控硅投切開關,，具有零電壓投入,、零電流切除，投切過程無涌流,，對電網(wǎng)無沖擊,，反響速度快等特性，會產(chǎn)生很高的溫升,，需求運用**散熱器,，來處理其通風散熱問題，一般應用于負荷急劇變化的需頻繁投切的場合,。希拓電氣（常州）有限公司是專業(yè)的可控硅投切開關生產(chǎn)供應廠商,，嚴格把控產(chǎn)品細節(jié)，努力為客戶提供完善的服務,。我司**產(chǎn)品主要包含德國進口可控硅,、可控硅觸發(fā)模塊（自主研發(fā)）、溫控開關,、鋁合金散熱器,、冷卻風機等,，能實現(xiàn)可控硅的智能散熱及智能溫度保護的功能，可提高可控硅的運行穩(wěn)定性,。正高電氣愿和各界朋友真誠合作一同開拓,。青島MTDC1000晶閘管智能模塊廠家

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    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中,，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡，該網(wǎng)絡常稱為RC阻容吸收電路,。我們知道,，晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門極斷路條件下,，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率,。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值,，則會在無門極信號的情況下開通,。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況,。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結組成,。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近,，其J2結結面相當于一個電容C0,。當晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0,，并通過J3結,，這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關斷時,，陽極電壓上升速度太快,，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下,，晶閘管(可控硅)誤導通現(xiàn)象,，即常說的硬開通，這是不允許的,。因此,，對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大,，確保晶閘管(可控硅)安全運行,，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡。威海MTAC300晶閘管智能模塊廠家

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