選擇可控硅模塊的主要參數(shù)可控硅模塊的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定,。

  所選可控硅模塊應(yīng)留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流（通態(tài)平均電流）均應(yīng)高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍,。

  可控硅模塊的正向壓降,、門極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路（指門極的控制電路）的各頂要求，不能偏高或偏低,，否則會影響可控硅模塊的正常工作,。

上就是可控硅模塊在不同設(shè)備中的種類選擇,，希望對您有所幫助。 淄博正高電氣有限公司以質(zhì)量求生存,，以信譽求發(fā)展,！臨沂雙向可控硅模塊

可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,，從具體的用途上區(qū)分,，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）、普通整流管模塊（MDC）,、普通晶閘管,、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管,、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG）,、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）,、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等,。濟(jì)南小功率可控硅模塊生產(chǎn)廠家淄博正高電氣有限公司一切從實際出發(fā)、注重實質(zhì)內(nèi)容,。

可控硅模塊的設(shè)備與維護(hù)

（1）在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器外表各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂,，然后用四個螺釘把模塊固定于散熱器上，固定螺釘不要一次擰緊,，幾個螺釘要順次固定,，用力要均勻，重復(fù)幾回,，直至強(qiáng)健,，使模塊底板與散熱器外表嚴(yán)密觸摸。

（2）把散熱器和風(fēng)機(jī)按需求安裝好后,，筆直固定于機(jī)箱合適方位,。

（3）用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊，浸錫,，然后套上絕緣熱縮管,，用熱風(fēng)加熱縮短。將接線端頭固定于模塊電極上,，并堅持超卓的平面壓力觸摸,，阻止將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。  

（4）為延伸商品運用壽數(shù),，主張每隔3-4個月維護(hù)一次,，替換一次導(dǎo)熱硅脂,，鏟除外表塵土，緊固各壓線螺釘,。

可控硅模塊的用途

可控硅模塊具有硅整流器件的特性,，相當(dāng)于或類似于可控制的單向（或雙向）二極管，利用其可控功能,，實現(xiàn)了弱電流對強(qiáng)電的控制,。此外，晶閘管具有體積小,、結(jié)構(gòu)簡單,、功能強(qiáng)、重量輕,、效率高,、控制靈活等優(yōu)點。晶閘管可用于下列過程：

1,、可控整流：將交流電轉(zhuǎn)換成可調(diào)直流電,；

2、逆變器：將直流電轉(zhuǎn)換成交流電,；

3,、變頻：將一個頻率的交流電轉(zhuǎn)換為另一個頻率的交流電或可調(diào)頻率的交流電；

4,、交流調(diào)壓：將固定交流電壓轉(zhuǎn)換為有效值可調(diào)的交流電壓,；

5、斬波：將固定直流電壓轉(zhuǎn)換為平均可調(diào)直流電壓,；

6,、無觸點通斷：用無觸點開關(guān)代替交流接觸器實現(xiàn)開關(guān)控制。 淄博正高電氣有限公司愿和各界朋友真誠合作一同開拓,。

只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時間就早,；Ug到來得晚,，可控硅模塊導(dǎo)通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小),。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個周期定為180°,，稱為電角度,。

這樣，在U2的每個正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個正半周內(nèi)可控硅模塊導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現(xiàn)了可控整流,。 淄博正高電氣有限公司團(tuán)隊從用戶需求出發(fā),。臨沂雙向可控硅模塊

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單向可控硅模塊有陽極A,、陰極K,、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1),，二陽極A2(T2),、控制極G三個引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時A,、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V,。

單向可控硅導(dǎo)通后,，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài),。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時,，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài),。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通,。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點開關(guān),。 臨沂雙向可控硅模塊

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