可控硅元件在電氣設備中發(fā)揮重大作用,，但可控硅使用中必須要注意運行環(huán)境和相關指標,，防止可控硅損壞而影響到設備的正常使用,。對此,，在選用可控硅的額定電壓時,，應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量,。

1,、選用可控硅的額定電流時,，除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小,、散熱通風條件等因素,。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。

2,、使用可控硅之前,，應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時,，應立即更換,。

3、嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況,。

4,、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件,。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,，它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱,。

5,、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。

6,、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿,。

雙向可控硅晶閘管使用中,，應特別注意以下事項：

1.靈敏度

雙向可控硅是一個三端元件,，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極,，G為控制極,，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負向觸發(fā)脈沖均可使控制極導通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同,，即保證雙向可控硅能進入導通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的,。

2.可控硅過載的保護

可控硅元件優(yōu)點很多，但是它過載能力差,，短時間的過流,，過壓都會造成元件損壞，因此為保證元件正常工作,，需有條件：

（1）外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓,，否則控制極將不起作用；

（2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來取,；

（3）為保證控制極可靠觸發(fā),，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外,，還必須采取保護措施,，一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右,，其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè),，當在交流側(cè)時額定電流取大些，一般多采用前者,，過電壓保護常發(fā)生在存在電感的電路上,，或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。由于,，過電壓的尖峰高,，作用時間短，常采用電阻和電容吸收電路加以,。

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選擇可控硅模塊時不能只看表面，應參考實際工作條件來選擇,，選用可控硅模塊的額定電流時,，除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小,、散熱通風條件等因素,。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。

1.可控硅模塊的冷卻及環(huán)境條件:

(1)強迫風冷：風速≥6m/s,，風溫≤40℃,；

(2)水冷：流量≥4L/mm，壓強0.2±0.03Mpa,。水溫≤35℃. 水電阻率≥20KΩ.cm,，HP值6—8；

(3)自冷和負冷環(huán)境溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境溫度5℃—40℃,；

(4)空氣相對濕度≤85%；

(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃,；

(6)氣壓86—106Kpa,；

(7)無劇烈震動或沖擊；

(8)若有特殊場合,，應進行相應的試驗,，證明工作可靠方可使用。

導通角與模塊輸出電流的關系：山東可控硅模塊的導通角與模塊能輸出的器強大電流有直接關系，模塊的標稱電流是強大導通角時能輸出的強大電流,。在小導通角（輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽螅娏鞯挠行е岛苄,。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值,，交流儀表顯示非正弦電流時比實際值小）,，但是輸出電流的有效值很大,，半導體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀,。因此,，山東可控硅模塊應選擇在強大導通角的65％以上工作，及控制電壓應在5V以上,。淄博正高電氣有限公司周邊生態(tài)環(huán)境狀況好,。

相信大家對于可控硅模塊并不陌生了，現(xiàn)代在電氣行業(yè)的不斷發(fā)展,，可控硅模塊的使用范圍越來越廣,，但是你對可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數(shù)有哪些你知道嗎,？下面為大家講解,。

可控硅模塊的主要參數(shù)有：

(1) 額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。

(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號,，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓,?？煽毓枘K承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。

(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓,，處于反向關斷狀態(tài)時，可以重復加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓,。使用時,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。 淄博正高電氣有限公司敢于承擔,、克難攻堅,。菏澤反并聯(lián)可控硅模塊哪家好

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任何的東西都有其使用的壽命,，可控硅也不例外,，可控硅模塊使用時間長了，它的溫度就會升高,，如果溫度過高就容易損壞,，并且降低使用壽命，這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法：

1 可控硅模塊環(huán)境溫度的測定：在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,，溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,，溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響，環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應同時進行,。

2 可控硅模塊溫升按下式計算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升(℃),。

3 可控硅模塊工作溫度的測定：被測可控硅模塊溫升的測定，通常與減速機的承載能力及傳動效率測定同時進行,，也可單獨進行,，被測減速機在符合規(guī)定時，讀取它在額定轉(zhuǎn)速,、額定輸入功率下的工作溫度

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