可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

可控硅模塊應(yīng)用于溫度控制、調(diào)光、勵(lì)磁,、電鍍,、電解、充放電,、電焊機(jī)、等離子弧、逆變電源等需要調(diào)節(jié)和改變電能的場合,，如工業(yè)、通信,、電力系統(tǒng),、電力系統(tǒng)等及其它各種電控、電源等,，根據(jù)此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連,，完成電流穩(wěn)定、電壓穩(wěn)定和軟啟動,。并可結(jié)束過流,、過電壓、過溫,、缺乏平衡維護(hù)功能,。

可控硅模塊由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好,、壽命長,、體積小、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),，自上個(gè)世紀(jì)六十長代以來,，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門**的學(xué)科,。

可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在,，在工藝上已經(jīng)非常成熟,，品質(zhì)更好，成品率大幅提高,，并向高壓大電流發(fā)展,。 淄博正高電氣有限公司產(chǎn)品**國內(nèi)。天津可控硅模塊報(bào)價(jià)

可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件,，有三個(gè)電極,，陽極a，陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的,。

可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說明介紹：

可控硅模塊應(yīng)用于控溫,、調(diào)光、勵(lì)磁,、電鍍,、電解、充放電,、電焊機(jī),、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場合,，如工業(yè),、通訊、**等各類電氣控制,、電源等,，根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流,、穩(wěn)壓,、軟啟動等功能，并可實(shí)現(xiàn)過流,、過壓,、過溫、缺相等保護(hù)功能,。 天津可控硅模塊報(bào)價(jià)淄博正高電氣有限公司重信譽(yù),、守合同，嚴(yán)把產(chǎn)品質(zhì)量關(guān),，熱誠歡迎廣大用戶前來咨詢考察,，洽談業(yè)務(wù)！

單向可控硅模塊有陽極A,、陰極K,、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2),、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A,、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),，陽極A與陰極K間壓降約1V。

單向可控硅導(dǎo)通后,，控制器G即使失去觸發(fā)電壓,，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài),。只有把陽極A電壓拆除或陽極A,、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài),。單向可控硅一旦截止,，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通,。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài),，用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān)。

可控硅模塊特點(diǎn)：

1 對耐壓級別的選擇：通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓,。

2 對電流的確定：由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中,，因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,，因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍,。同時(shí)，可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM,。

3 對通態(tài)電壓VTM的選擇：它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降,。為了減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅,。

4 對維持電流：IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的極小主電流,，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高,，則IH越小,。

5 對電壓上升率的：dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù),。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容,。 淄博正高電氣有限公司深受各界客戶好評及厚愛。

可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié),，分析原理時(shí),，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成。當(dāng)陽極A加上正向電壓時(shí),，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài),。此時(shí)，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號,，BG2便有基流ib2流過,，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2,。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連,，所以ib1=ic2。此時(shí),，電流ic2再經(jīng)BG1放大,，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基極,，表成正反饋,，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果,，兩個(gè)管子的電流劇增,，可控硅使飽和導(dǎo)通。

 由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?，所以一旦可控硅?dǎo)通后,，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài),，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用,，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的,。

  由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化 淄博正高電氣有限公司在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象,。北京反并聯(lián)可控硅模塊

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正高可控硅分單向可控硅,、雙向可控硅,。單向可控硅有陽極A、陰極K,、控制極G三個(gè)引出腳,。雙向可控硅有兩個(gè)陽極：一陽極A1(T1),，二陽極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳,。

  只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通,。此時(shí)A,、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V,。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓,，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A,、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時(shí),，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止,，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài),，用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān),。 天津可控硅模塊報(bào)價(jià)

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