而稱之為主電極T1、T2,。[15]檢測(cè)單向晶閘管:萬(wàn)用表置于“R×10Ω”擋,,黑表筆接控制極G,紅表筆接陰極K,,測(cè)量其正向電阻,,應(yīng)有較小的阻值。對(duì)調(diào)兩表筆測(cè)其反向電阻,,應(yīng)比正向電阻明顯大一些,。測(cè)量控制極G與陽(yáng)極A之間的正、反向電阻,,均應(yīng)為無(wú)窮大,。這是因?yàn)镚、A間為兩個(gè)PN結(jié)反向串聯(lián),,不論正,、反向均不應(yīng)導(dǎo)通,否則晶閘管已壞,。[16]檢測(cè)雙向晶閘管:萬(wàn)用表置于“R×1Ω”擋,,兩表筆測(cè)量控制極G與主電極T1間的正、反向電阻,,均應(yīng)為較小阻值,。測(cè)量控制極G與主電極T2間的正、反向電阻,,均應(yīng)為無(wú)窮大,。[17]檢測(cè)單向晶閘管導(dǎo)通特性:萬(wàn)用表置于“R×1Ω”擋,黑表筆接陽(yáng)極A,,紅表筆接陰極K,,表針指示應(yīng)為無(wú)窮大,。用螺絲刀等金屬物將控制極G與陽(yáng)極A短接一下(短接后即斷開),表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆處,。檢測(cè)雙向晶閘管導(dǎo)通特性:黑表筆接主電極T1,,紅表筆接主電極T2,表針指示應(yīng)為無(wú)窮大,。將控制極G與主電極T2短接一下,,表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆處。如不符合上述情況則說(shuō)明晶閘管已損壞,。[18]晶閘管具有以小電流(電壓)控制大電流(電壓)的作用,,并具有體積小、重量輕,、功耗低,、效率高、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn),。正高電氣銳意進(jìn)取,,持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供專業(yè)化服務(wù)。聊城MTDC55晶閘管智能模塊
由于晶閘管在導(dǎo)通期間,,載流子充滿元件內(nèi)部,,所以元件在關(guān)斷過(guò)程中,正向電壓下降到零時(shí),,內(nèi)部仍殘存著載流子,。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,使積蓄載流子迅速消失,,這時(shí)反向電流消失的極快,,即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,,電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L(di/dt)值仍很大,,這個(gè)電勢(shì)與電源電壓串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,,可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿,。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過(guò)電壓,稱為關(guān)斷過(guò)電壓,,其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5~6倍,,所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過(guò)電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,,電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振,、限制晶閘管開通損耗與電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電壓,有效避免晶閘管被擊穿,。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子,,即引線要短。比較好采用無(wú)感電阻,,以取得較好的保護(hù)效果,。各型號(hào)模塊對(duì)應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。(2)壓敏電阻吸收過(guò)電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大,、持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過(guò)電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓(V1mA),,是指壓敏電阻流過(guò)1mA電流時(shí)它兩端的電壓,。壓敏電阻的選擇,主要考慮額定電壓和通流容量,。聊城MTDC55晶閘管智能模塊正高電氣愿和各界朋友真誠(chéng)合作一同開拓,。
構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管圖2當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),為使晶閘管導(dǎo)銅,,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用,。圖2中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此,,兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路,,當(dāng)有足夠的門機(jī)電流Ig流入時(shí),就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋,,造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,,晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2,;發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik,;電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設(shè)流過(guò)J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽(yáng)極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽(yáng)極電流為:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示,。當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓,,而門極未受電壓的情況下,式(1—1)中,,Ig=0,(a1+a2)很小,,故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下,,從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),,從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié)。
對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大,。由此可迅速判定G,、K極,剩下的就是A極。2.檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示,,首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,,紅表筆接K極,電阻為無(wú)窮大,;然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極,,加上正向觸發(fā)信號(hào),表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通,;脫開G極,,只要GTO維持通態(tài),就說(shuō)明被測(cè)管具有觸發(fā)能力,。3.檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力,,如圖2(b)所示,表Ⅰ的檔位及接法保持不變,。將表Ⅱ撥于R×10檔,,紅表筆接G極,黑表筆接K極,,施以負(fù)向觸發(fā)信號(hào),,如果表Ⅰ的指針向左擺到無(wú)窮大位置,證明GTO具有關(guān)斷能力,。4.估測(cè)關(guān)斷增益βoff進(jìn)行到第3步時(shí),,先不接入表Ⅱ,記下在GTO導(dǎo)通時(shí)表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1,;再接上表Ⅱ強(qiáng)迫GTO關(guān)斷,,記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2。根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益:βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù),;K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù),。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點(diǎn)是,不需要具體計(jì)算IAT,、IG之值,,只要讀出二者所對(duì)應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù),即可迅速估測(cè)關(guān)斷增益值,。注意事項(xiàng):(1)在檢查大功率GTO器件時(shí),,建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′,以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流,,使GTO可靠地導(dǎo)通,。。正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量上乘,。
使設(shè)備進(jìn)入穩(wěn)態(tài)運(yùn)行,。若一次起動(dòng)不成功,即自動(dòng)調(diào)頻電路沒(méi)有抓住中頻電壓反饋信號(hào),此時(shí),,它激信號(hào)便會(huì)一直掃描到比較低頻率,,重復(fù)起動(dòng)電路一旦檢測(cè)到它激信號(hào)進(jìn)入到比較低頻段,便進(jìn)行一次再起動(dòng),,把它激信號(hào)再推到比較高頻率,,重新掃描一次,直至起動(dòng)成功,,重復(fù)起動(dòng)的周期約為,。由CON2-1和CON2-2輸入的中頻電壓信號(hào),經(jīng)IC1A轉(zhuǎn)換成方波信號(hào),,輸入到IC6的30角,,由IC6的15P、16P輸出的逆變觸發(fā)信號(hào),。經(jīng)IC7A隔離放大后,驅(qū)動(dòng)逆變觸發(fā)CMOS晶體管Q5,、Q6,。IC4B和IC4C構(gòu)成逆變壓控時(shí)鐘,輸入到IC6的33腳CLOK2,;同時(shí)又由IC7B進(jìn)行頻壓轉(zhuǎn)換后用于驅(qū)動(dòng)頻率表,。W6微調(diào)電位器用于設(shè)定壓控時(shí)鐘的比較高頻(即逆變它激信號(hào)的比較高頻率),W5微調(diào)電位器用于整定外接頻率表的讀數(shù),。另外,,當(dāng)發(fā)生過(guò)電壓保護(hù)時(shí),IC6內(nèi)部的過(guò)電壓保護(hù)振蕩器起振,,輸出2倍于比較高逆變頻率的觸發(fā)脈沖,,使逆變橋的4只晶閘管均導(dǎo)通。IC4A為起動(dòng)失敗檢測(cè)器,,其輸出控制IC6內(nèi)部重復(fù)起動(dòng)電路,。過(guò)電流保護(hù)信號(hào)經(jīng)Q3倒相后,送到IC6的20P,,整流觸發(fā)脈沖:驅(qū)動(dòng)“”LED批示燈亮和驅(qū)動(dòng)報(bào)警繼電器,。過(guò)電流觸發(fā)器動(dòng)作后,只有通過(guò)復(fù)位信號(hào)或通過(guò)關(guān)機(jī)后再開機(jī)進(jìn)行“上電復(fù)位”,,方可再次運(yùn)行,。正高電氣在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象。青島MTAC450晶閘管智能模塊品牌
正高電氣以精良的產(chǎn)品品質(zhì)和優(yōu)先的售后服務(wù),,全過(guò)程滿足客戶的***需求,。聊城MTDC55晶閘管智能模塊
晶閘管模塊的應(yīng)用方法
1、模塊的控制功能端口定義
+12V: 外接 +12V直流電源正極。
GND: 直流電源地線,。
GND1: 控制信號(hào)地線,,與GND 相通。
CON10V: 0~10V 控制信號(hào)輸入,。
TESTE: 檢測(cè)電源,可外接 4.7K~20K電位器,,取出0~10V 信號(hào)。
CON20mA:4~20mA控制信號(hào)輸入,。
2,、模塊的控制端口與控制線
模塊控制端接口有5腳、9腳和15腳三種形式,,分別對(duì)應(yīng)于5芯,、9芯、15芯的控制線,。采用電壓信號(hào)的產(chǎn)品只用**腳端口,,其余為空腳,采用電流信號(hào)的9腳為信號(hào)輸入,,控制線的屏蔽層銅線應(yīng)焊接到直流電源地線上,連接時(shí)注意不要同其它的端子短路,以免不能正常工作或可能燒壞模塊,。 聊城MTDC55晶閘管智能模塊
淄博正高電氣有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中,一直處在一個(gè)不斷銳意進(jìn)取,,不斷制造創(chuàng)新的市場(chǎng)高度,,多年以來(lái)致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價(jià)值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),在山東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑,,成績(jī)讓我們喜悅,,但不會(huì)讓我們止步,殘酷的市場(chǎng)磨煉了我們堅(jiān)強(qiáng)不屈的意志,,和諧溫馨的工作環(huán)境,,富有營(yíng)養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新,勇于進(jìn)取的無(wú)限潛力,,淄博正高電氣供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來(lái),,回首過(guò)去,我們不會(huì)因?yàn)槿〉昧艘稽c(diǎn)點(diǎn)成績(jī)而沾沾自喜,,相反的是面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈的市場(chǎng)氛圍,,我們更要明確自己的不足,做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備,,要不畏困難,,激流勇進(jìn),以一個(gè)更嶄新的精神面貌迎接大家,,共同走向輝煌回來(lái),!