滿足可控硅模塊工作的必要條件：

（1）+12V直流電源：可控硅模塊內部控制電路的工作電源,。

①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ,，紋波電壓小于20mv 。

②可控硅模塊輸出電流要求：標稱電流小于500安培產品：I+12V＞0.5A,，標稱電流大于500安培產品：I+12V＞ 1A,。

（2）可控硅模塊控制信號：0～10V或4～20mA控制信號，用于對輸出電壓大小進行調整的控制信號,，正極接CON10V或CON20mA,，負極接GND1。

（3）可控硅模塊供電電源和負載：供電電源一般為電網電源,，電壓460V以下的或者供電變壓器,，接可控硅模塊的輸入端子；負載為用電器,，接可控硅模塊的輸出端子,。 淄博正高電氣有限公司產品**國內。濟南小功率可控硅模塊廠家

可控硅元件控制大電感負載時會有干擾電網和自干擾的現(xiàn)象,，其原因是當可控硅元件控制一個連接電感性負載的電路斷開或閉合時,，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率極大,，因此在電感上產生一個高電壓,，這個電壓通過電源的內阻加在開關觸點的兩端，然后感應電壓一次次放電直到感應電壓低于放電所必須的電壓為止,，在這一過程中將產生極大的脈沖束,。這些脈沖束疊加在供電電壓上，并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間,，這種脈沖具有很高的幅度,，很寬的頻率，因而具有感性負載的開關點是一個很強的噪聲源,。廣西大功率可控硅模塊品牌歡迎各界朋友蒞臨參觀,。

可控硅模塊的分類：

1,、以關斷、導通及控制方式來分類：可控硅按其關斷,、導通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅、逆導可控硅,、門極關斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。

2,、以引腳和極性來分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅,。

3、以封裝形式來分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。

4,、以電流容量來分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常,，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。

5、以關斷速度來分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。

6,、過零觸發(fā)，一般是調功,，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā),，必須是過零點才觸發(fā)，導通可控硅參數(shù)介紹

7,、非過零觸發(fā),，無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導通可控硅，常見的是移相觸發(fā),。

只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導通的時間就早；Ug到來得晚,，可控硅模塊導通的時間就晚,。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小),。在電工技術中,，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度,。

這樣,，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α,；在每個正半周內可控硅模塊導通的電角度叫導通角θ,。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的,。通過改變控制角α或導通角θ,，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現(xiàn)了可控整流,。 淄博正高電氣有限公司以誠信為根本,，以質量服務求生存。

斷一個可控硅元件是否完好,，工程師需要從四個方面進行檢查,，首先是判斷該元件的三個PN結應完好，其次是當陰極與陽極間電壓反向連接時能夠阻斷不導通,，第三是當控制極開路時,，陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導通，第四是給控制極加上正向電流,，給陰極與陽極加正向電壓時,，可控硅應當導通，把控制極電流去掉后仍處于導通狀態(tài),。滿足以上四個條件的可控硅元件,，才是符合設計使用要求的。

  想要看一個可控硅元件是否符合以上要求,，其實非常簡單,，只需要用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻，就可對**個方面的好壞進行判斷,。具體的操作方法是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),，此兩個阻值均應很大。電阻值越大,，表明正反向漏電電流愈小,。如果測得的阻值很低,，或近于無窮大，說明可控硅已經擊穿短路或已經開路,，此可控硅不能使用了,。 淄博正高電氣有限公司堅持“顧客至上，合作共贏”,。廣西大功率可控硅模塊品牌

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正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅,。單向可控硅有陽極A,、陰極K、控制極G三個引出腳,。雙向可控硅有兩個陽極：一陽極A1(T1),，二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳,。

  只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導通,。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài),，陽極A與陰極K間壓降約1V,。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓,，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A,、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時,，單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止,，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態(tài)相當于開關的閉合與斷開狀態(tài),，用它可制成無觸點開關,。 濟南小功率可控硅模塊廠家

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