可控硅模塊主要優(yōu)點如下：

（1）采用進口方形可控硅支撐板，降低了可控硅模塊的電壓,，功耗低,，效率高，節(jié)能效果好,。

（2）采用進口插入元件,，保證晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性。

（3）（DCB）陶瓷銅板采用獨特的處理和特殊的焊接工藝,，保證了晶閘管組件的焊接層無空腔,，導熱性好。

（4）導熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的隔熱防潮性能,。

（5）觸發(fā)控制電路,、主電路和導熱基板相互隔離，導熱基板不帶電,，介電強度≥2500V,，保證安全。

（6）通過輸入0-10V直流控制信號,，可以平滑地調(diào)節(jié)主電路的輸出電壓,。

（7）可采用手動控制、儀表控制或微機控制,。

（8）適用于電阻和電感負載,。 不斷開發(fā)新的產(chǎn)品,，并建立了完善的服務體系,。江西大功率可控硅模塊組件

正高可控硅擁有體積小,、重量輕、結構緊湊,、可靠性高,、外接線簡單、互換性好,、便于維修和安裝,；結構重復性好，裝置的機械設計可以簡化,，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點,，受到了眾多客戶的喜愛和歡迎。目前,，正高可控硅以其穩(wěn)定的性能等特點,，應用于各行業(yè)，**省內(nèi)外地區(qū),。 

可控硅模塊的分類   

可控硅模板從X芯片上看,，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區(qū)分,，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX),、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管,、整流管混合模塊(MFC),、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC),、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS),、單相（三相）整流橋模塊（MDQ),、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。 江西大功率可控硅模塊組件淄博正高電氣有限公司生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊,。

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管,，所以國際上通稱為硅晶體閘流管,，簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,，簡稱為可控硅SCR,。

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性,。它只有導通和關斷兩種狀態(tài),。

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率,，因元件開關損耗明顯增加,，允許通過的平均電流相降低，此時,，標稱電流應降級使用,。

可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍;反應極快,，在微秒級內(nèi)開通、關斷;無觸點運行,，無火花,、無噪音;效率高，成本低等等,。

可控硅的弱點：靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導通,。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形,。

可控硅模塊的特性

單向晶閘管模塊具有其獨特的特性：當陽極連接到反向電壓時,，或陽極連接到正向電壓時，但控制極不增加電壓,，則不會導通,，當陽極和控制極同時連接到正向電壓時，將變?yōu)榻油顟B(tài),。一旦接通,，控制電壓將失去控制作用。無論有無控制電壓,，無論控制電壓的極性如何,，都將始終處于接通狀態(tài)。若要關閉,，只能將陽極電壓降到某個臨界值或反向,。

雙向晶閘管模塊的管腳大多按T1、T2和G的順序從左到右排列（當電極管腳朝著帶有字符的一側(cè)向下時）,。當改變施加到控制極G的觸發(fā)脈沖的大小或時間時,，其接通電流的大小可以改變。 淄博正高電氣有限公司產(chǎn)品適用范圍廣,，產(chǎn)品規(guī)格齊全,，歡迎咨詢。

斷一個可控硅元件是否完好，工程師需要從四個方面進行檢查,，首先是判斷該元件的三個PN結應完好,，其次是當陰極與陽極間電壓反向連接時能夠阻斷不導通，第三是當控制極開路時,，陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導通,，第四是給控制極加上正向電流,，給陰極與陽極加正向電壓時,，可控硅應當導通，把控制極電流去掉后仍處于導通狀態(tài),。滿足以上四個條件的可控硅元件,，才是符合設計使用要求的。

  想要看一個可控硅元件是否符合以上要求,，其實非常簡單,，只需要用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻，就可對**個方面的好壞進行判斷,。具體的操作方法是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),，此兩個阻值均應很大。電阻值越大,，表明正反向漏電電流愈小,。如果測得的阻值很低，或近于無窮大,，說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路,，此可控硅不能使用了。 淄博正高電氣有限公司不斷從事技術革新,，改進生產(chǎn)工藝,，提高技術水平。江西大功率可控硅模塊組件

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接下來需要檢測的是控制極與陰極之間的PN結是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻,，正反向測量阻值均應幾百千歐以上,，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋,，測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右,，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或為無窮大，表明控制極與陰極之間的PN結已經(jīng)損壞,。反向阻值應很大,，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。

  如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞,，工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋,，然后將黑表筆接陽極，紅表筆仍接陰極,，此時萬用表指針應不動,。紅表筆接陰極不動，黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極,，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉(zhuǎn),，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極接黑表筆,，陰極接紅表筆時,，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞,。 江西大功率可控硅模塊組件

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