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北京可控硅集成調(diào)壓模塊價格

來源: 發(fā)布時間:2021-11-09

    晶閘管模塊(MTC,MTA,MTK,MTX)一、產(chǎn)品特點:1、芯片與底板電氣絕緣,,2500V交流電壓,;2,、國際標準封裝,;3、真空+充氫保護焊接技術,;4,、壓接結構,優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力,;5,、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC;6,、200A以下模塊皆為強迫風冷,,300A以上模塊,既可選用風冷,,也可選用水冷,;7,、安裝簡單,,使用維修方便,體積小,,重量輕,。二、型號說明:三、技術參數(shù):型號通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四,、外形尺寸及電路聯(lián)結形式:五,、產(chǎn)品應用:1、交直流電機控制,;2,、各種整流電源;3,、工業(yè)加熱控制,;4、調(diào)光,;5,、無觸點開關;6,、電機軟起動,;7、靜止無功補嘗,;8,、電焊機;9,、變頻器,;10、UPS電源,;11,、電池充放電。說明:,,Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調(diào)試值,,表中其它參數(shù)皆jm下的測試值;,在50HZ頻率下,,I2t(10ms)=(A2S);d.當使用在電流為60HZ情況下,,Itsm()=(10ms),I2t()=。正高電氣竭誠為您服務,,期待與您的合作,,歡迎大家前來!北京可控硅集成調(diào)壓模塊價格

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    并通過所述第二門極壓接式組件對所述第三導電片,、鉬片,、銀片、鋁片施加壓合作用力,,所述第三導電片,、鉬片,、銀片、鋁片依次設置于所述銅底板上,。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,,任一所述接頭包括:螺栓和螺母,所述螺栓與螺母之間還設置有彈簧墊圈和平墊圈,。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,,所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的導電片、第二導電片,、瓷板進行固定,。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的第三導電片,、鉬片,、銀片、鋁片進行固定,。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,,所述壓塊和第二壓塊上還設置有絕緣套管。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,,所述絕緣套管與對應的壓塊之間還設置有墊圈,。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,所述外殼上還設置有門極銅排安裝座,。與現(xiàn)有技術相比,,本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過設置接頭、第二接頭和第三接頭,、封裝于外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制,,有效保證了電力系統(tǒng)的正常運行。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案,,下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,,顯而易見地。北京工業(yè)電爐三相整流調(diào)壓模塊正高電氣以質(zhì)量為生命”保障產(chǎn)品品質(zhì),。

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    1晶閘管模塊被廣泛應用于工業(yè)行業(yè)中,,對于一些專業(yè)的電力技術人員,都知道晶閘管模塊的來歷及各種分類,。不過現(xiàn)在從事這一行的人越來越多,,有的采購人員對這方面還不是很了解。有的客戶也經(jīng)常問起我們晶閘管模塊的來歷?,F(xiàn)在晶閘管廠家昆二晶就為大家分享一下:2晶閘管模塊誕生后,,其結構的改進和工藝的,,為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件,。1964年,雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功,,應用于調(diào)光和馬達控制,;1965年,,小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn),為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎,;60年代后期,,大功率逆變晶閘管問世,成為當時逆變電路的基本元件,;1974年,,逆導晶閘管和非對稱晶閘管研制完成。3普通晶閘管廣泛應用于交直流調(diào)速,、調(diào)光,、調(diào)溫等低頻(400Hz以下)領域,運用由它所構成的電路對電網(wǎng)進行控制和變換是一種簡便而經(jīng)濟的辦法,。不過,,這種裝置的運行會產(chǎn)生波形畸變和降低功率因數(shù)、影響電網(wǎng)的質(zhì)量,。目前水平為12kV/1kA和6500V/4000A,。4雙向晶閘管可視為一對反并聯(lián)的普通晶閘管的集成,常用于交流調(diào)壓和調(diào)功電路中,。正,、負脈沖都可觸發(fā)導通,因而其控制電路比較簡單,。其缺點是換向能力差,、觸發(fā)靈敏度低、關斷時間較長,,其水平已超過2000V/500A,。

    按規(guī)定應采用風冷的模塊而采用自冷時,則電流的額定值應降低到原有值的30~40[%],,反之如果改為采用水冷時,,則電流的額定值可以增大30~40[%]。為了幫助用戶合理選擇散熱器和風機,,我們確定了不同型號模塊在其額定電流工作狀態(tài)下,,環(huán)境溫度為40℃時所需的散熱器長度、風機規(guī)格,、數(shù)量及散熱器基礎參數(shù)等,,請參考說明書。另外,,在表內(nèi)出具了每個型號的模塊在峰值壓降,、比較大標稱電流和阻性負載條件下的功耗值,,以便于用戶自己確定散熱器尺寸時做參考。在實際應用中,,應注意以下幾點:(1)軸流風機風速應≥6m/s,。(2)若模塊達不到滿負荷工作,可酌減散熱器長度,。(3)在設備開機前,,應檢查模塊所有螺釘是否牢固,若有松動,,應擰緊螺釘,,以使模塊底板和散熱器表面以及模塊電極和接線端子之間都能夠緊密接觸,達到比較好散熱效果,。(4)采用自然冷卻形式時,,必須保證散熱器周圍的空氣能夠自然對流。(5)因水冷散熱效果好,,有水冷條件的,,應優(yōu)先水冷散熱形式。正高電氣以其獨特且具備設計韻味的產(chǎn)品體系,。

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    以提高測試電壓和測試電流,,使GTO可靠地導通。(2)要準確測量GTO的關斷增益βoff,,必須有**測試設備,。但在業(yè)余條件下可用上述方法進行估測。由于測試條件不同,,測量結果*供參考,,或作為相對比較的依據(jù)。逆導晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管,。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,,使陽極與陰極的發(fā)射結均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結構,,使之具有耐高壓,、耐高溫、關斷時間短,、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能,。例如,逆導晶閘管的關斷時間*幾微秒,,工作頻率達幾十千赫,,優(yōu)于快速晶閘管(FSCR)。該器件適用于開關電源、UPS不間斷電源中,,一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只,,不僅使用方便,而且能簡化電路設計,。逆導晶閘管的符號,、等效電路如圖1(a)、(b)所示,。其伏安特性見圖2,。由圖顯見,,逆導晶閘管的伏安特性具有不對稱性,,正向特性與普通晶閘管SCR相同,而反向特性與硅整流管的正向特性相同(*坐標位置不同),。逆導晶閘管的典型產(chǎn)品有美國無線電公司(RCA)生產(chǎn)的S3900MF,,其外形見圖1(c)。它采用TO-220封裝,,三個引出端分別是門極G,、陽極A、陰極K,。S3900MF的主要參數(shù)如下:斷態(tài)重復峰值電壓VDRM:>,。正高電氣公司狠抓產(chǎn)品質(zhì)量的提高,逐年立項對制造,、檢測,、試驗裝置進行技術改造。北京可控硅集成調(diào)壓模塊價格

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    1(1)晶閘管智能控制模塊均采用本公司**開發(fā)的全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實現(xiàn)了控制電路與晶閘管主電路集成一體化,使模塊具備了弱電控制強電的電力調(diào)控功能,。2(2)晶閘管智能模塊采用進口方形芯片,、高級芯片支撐板,模塊壓降小,、功耗低,,效率高,節(jié)電效果好。3(3)晶閘管智能模塊采用進口貼片元件,保證了觸發(fā)控制電路的可靠性,。4(4)晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板,,經(jīng)獨特處理方法和特殊焊接工藝,保證焊接層無空洞,,導熱性能好,。熱循環(huán)負載次數(shù)高于國家標準近10倍。5(5)晶閘管智能模塊采用高級導熱絕緣封裝材料,,絕緣,、防潮性能優(yōu)良,。6(6)晶閘管模塊采用觸發(fā)控制電路、主電路與導熱底板相互隔離,,導熱底板不帶電.絕緣強度≥2500V(RMS),,保證人身安全。北京可控硅集成調(diào)壓模塊價格

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晶閘管模塊是晶體閘流管的簡稱,,又可稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅,;1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上***款晶閘管產(chǎn)品,,并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導體結構,,它有三個極:陽極,,陰極和門極;晶閘管工作條件為:加正向電壓且門極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,,雙向晶閘管,,逆導晶閘管,光控晶閘管等,。它是一種大功率開關型半導體器件,,在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示(舊標準中用字母“SCR”表示),。