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氧化石墨吸附

來源: 發(fā)布時間:2025-04-15

氧化石墨烯同時具有熒光發(fā)射和熒光淬滅特性,廣義而言,,其自身已經可以作為一種傳感材料,,在生物、醫(yī)學領域的應用充分說明了這一點,。經過功能化的氧化石墨烯/還原氧化石墨烯在更加***的領域內得到了應用,,特別在光探測、光學成像,、新型光源,、非線性器件等光電傳感相關領域有著豐富的應用。光電探測器是石墨烯問世后**早應用的領域之一。2009年,Xia等利用機械剝離的石墨烯制備出了***個石墨烯光電探測器(MGPD)[2],,如圖9.6,,以1-3層石墨烯作為有源層,Ti/Pd/Au作源漏電極,,Si作為背柵極并在其上沉淀300nm厚的SiO2,,在電極和石墨烯的接觸面上因為功函數的不同,能帶會發(fā)生彎曲并產生內建電場,。GO制備簡單,、自身具有受還原程度調控的帶隙,可以實現超寬譜(從可見至太赫茲波段)探測,。氧化石墨吸附

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RGO制備簡單,、自身具有受還原程度調控的帶隙,可以實現超寬譜(從可見至太赫茲波段)探測,。氧化石墨烯的還原程度對探測性能有***影響,,隨著氧化石墨烯還原程度的提高,探測器的響應率可以提高若干倍以上,。因此,,在CVD石墨烯方案的基礎上,研究者開始嘗試使用還原氧化石墨烯制備類似結構的光電探測器,。對于RGO-Si器件,,帶間光子躍遷以及界面處的表面電荷積累,是影響光響應的重要因素[72],。2014年,,Cao等[73]將氧化石墨烯分散液滴涂在硅線陣列上,而后通過熱處理對氧化石墨烯進行熱還原,,制得了硅納米線陣列(SiNW)-RGO異質結的室溫超寬譜光探測器,。該探測器在室溫下,***實現了從可見光(532nm)到太赫茲波(2.52THz,,118.8mm)的超寬譜光探測,。在所有波段中,探測器對10.6mm的長波紅外具有比較高的光響應率可達9mA/W,。深圳官能化氧化石墨氧化石墨可以用于提高環(huán)氧樹脂,、聚乙烯、聚酰胺等聚合物的導熱性能,。

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GO在生理學環(huán)境下容易發(fā)生聚**影響其負載藥物的能力,,因此需要對GO進行功能化修飾來解決其容易團聚的問題。目前功能化修飾主要有以下幾種:(1)共價鍵修飾,,由于GO表面豐富的含氧官能團(羥基,、羧基,、環(huán)氧基),可與多種親水性大分子通過酯鍵,、酰胺鍵等共價鍵連接完成功能化,,改善其穩(wěn)定性、生物相容性等,。常見的大分子有聚乙二醇(PEG),、聚賴氨酸、聚丙烯(PAA)和聚醚酰亞胺(PEI)等,;(2)非共價鍵修飾[22-24],,GO片層內碳原子共同形成一個大的π鍵,能夠通過非共價π-π作用與芳香類化合物相互結合,,不同種類的生物分子也可以通過氫鍵作用、范德華力和疏水作用等非共價作用力與GO結構中的SP2雜化部分結合完成功能化修飾,。

太赫茲技術可用于醫(yī)學診斷與成像,、反恐安全檢查、通信雷達,、射電天文等領域,,將對技術創(chuàng)新、國民經濟發(fā)展以及**等領域產生深遠的影響,。作為極具發(fā)展?jié)摿Φ男录夹g,,2004年,美國**將THz科技評為“改變未來世界的**技術”之一,,而日本于2005年1月8日更是將THz技術列為“國家支柱**重點戰(zhàn)略目標”**,,舉全國之力進行研發(fā)。傳統(tǒng)的寬帶THz波可以通過光整流,、光電導天線,、激光氣體等離子體等方法產生,窄帶THz波可以通過太赫茲激光器,、光學混頻,、加速電子、光參量轉換等方法產生,。氧化石墨烯(GO)的比表面積很大,,厚度小。

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在GO還原成RGO的過程中,,材料的導電性,、禁帶特性和折射率都會發(fā)生連續(xù)變化,形成獨特而優(yōu)異的可調諧型新材料,。2014年,,澳大利亞微光子學中心賈寶華教授領導的科研小組***發(fā)現在用激光直寫氧化石墨烯薄膜形成微納米結構的過程中,材料的非線性可以實現激光功率可控的動態(tài)調諧。與傳統(tǒng)的非線性材料相比,,氧化石墨烯的三階非線性高出了整整1000倍,,隨著氧化石墨烯中的氧成分逐漸減少,而非線性也呈現出被動態(tài)調諧的豐富變化,。不但材料的非線性系數的大小產生改變,,其非線性吸收和折射率也發(fā)生變化,并且,,這種豐富的非線性特性完全可以實現動態(tài)操控,。氧化石墨烯(GO)是印刷電子、催化,、儲能,、分離膜、生物醫(yī)學和復合材料的理想材料,。氧化石墨吸附

靜電作用的強弱與氧化石墨烯表面官能團產生的負電荷相關,。氧化石墨吸附

GO膜在水處理中的分離機理尚存在諸多爭議。一種觀點認為通過尺寸篩分以及帶電的目標分離物與納米孔之間的靜電排斥機理實現分離,,如圖8.3所示,。氧化石墨烯膜的分離通道主要由兩部分構成:1)氧化石墨烯分離膜中不規(guī)則褶皺結構形成的半圓柱孔道;2)氧化石墨烯分離膜片層之間的空隙,。除此之外,,由氧化石墨烯結構缺陷引起的納米孔道對于水分子的傳輸提供了額外的通道19-22。Mi等23研究認為干態(tài)下通過真空過濾制備的氧化石墨烯片層間隙的距離約為0.3nm,。氧化石墨吸附