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氧化石墨增強(qiáng)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-05-31

近年來(lái)研究者發(fā)現(xiàn)石墨烯由于它獨(dú)特的零帶隙結(jié)構(gòu),,對(duì)所有波段的光都無(wú)選擇性的吸收,,且具有超快的恢復(fù)時(shí)間和較高的損傷閾值。因此利用石墨烯獨(dú)特的非線(xiàn)性可飽和吸收特性將其制作成可飽和吸收體應(yīng)用于調(diào)Q摻鉺光纖激光器,、被動(dòng)鎖模光纖激光器已經(jīng)成為超快脈沖激光器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)。2009年,,Bao等[82]人使用單層石墨烯作為鎖模光纖激光器的可飽和吸收體首先實(shí)現(xiàn)了通信波段的超短孤子脈沖輸出,,脈沖寬度達(dá)到了756fs。他們證實(shí)了由于泡利阻塞原理,,零帶隙材料石墨烯在強(qiáng)激光激發(fā)下可以容易的實(shí)現(xiàn)可飽和吸收,,而且這種可飽和吸收是與頻率不相關(guān)的,即石墨烯作為可飽和吸收體可實(shí)現(xiàn)對(duì)所有波長(zhǎng)的光都有可飽和吸收作用,。石墨,、碳纖維、碳納米管和GO可以作為熒光受體,。氧化石墨增強(qiáng)

氧化石墨增強(qiáng),氧化石墨

氧化石墨烯(GO)的比表面積很大,,而厚度只有幾納米,具有兩親性,,表面的各種官能團(tuán)使其可與生物分子直接相互作用,,易于化學(xué)修飾,同時(shí)具有良好的生物相容性,,超薄的GO納米片很容易組裝成紙片或直接在基材上進(jìn)行加工,。另外,GO具有獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)性能,,可以通過(guò)熒光能量共振轉(zhuǎn)移和非輻射偶極-偶極相互作用能有效猝滅熒光體(染料分子,、量子點(diǎn)及上轉(zhuǎn)換納米材料)的熒光。這些特點(diǎn)都使GO成為制作傳感器極好的基本材料[74-76]。Arben的研究中發(fā)現(xiàn),,將CdSe/ZnS量子點(diǎn)作為熒光供體,,石墨、碳纖維,、碳納米管和GO作為熒光受體,,以上幾種碳材料對(duì)CdSe/ZnS量子點(diǎn)的熒光淬滅效率分別為66±17%、74±7%,、71±1%和97±1%,,因此與其他碳材料相比,GO具有更好的熒光猝滅效果[77],。濟(jì)南改性氧化石墨氧化石墨能夠滿(mǎn)足人們對(duì)于材料的功能性需求更為嚴(yán)苛的要求,。

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太赫茲技術(shù)可用于醫(yī)學(xué)診斷與成像、反恐安全檢查,、通信雷達(dá),、射電天文等領(lǐng)域,將對(duì)技術(shù)創(chuàng)新,、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展以及**等領(lǐng)域產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響,。作為極具發(fā)展?jié)摿Φ男录夹g(shù),2004年,,美國(guó)**將THz科技評(píng)為“改變未來(lái)世界的**技術(shù)”之一,,而日本于2005年1月8日更是將THz技術(shù)列為“國(guó)家支柱**重點(diǎn)戰(zhàn)略目標(biāo)”**,舉全國(guó)之力進(jìn)行研發(fā),。傳統(tǒng)的寬帶THz波可以通過(guò)光整流,、光電導(dǎo)天線(xiàn)、激光氣體等離子體等方法產(chǎn)生,,窄帶THz波可以通過(guò)太赫茲激光器,、光學(xué)混頻、加速電子,、光參量轉(zhuǎn)換等方法產(chǎn)生,。

Su等人28利用氫碘酸和抗壞血酸對(duì)PET基底上的多層氧化石墨烯薄膜進(jìn)行化學(xué)還原,得到30nm厚的RGO薄膜,,并測(cè)試了其滲透性能,。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),對(duì)He原子和水分子完全不能透過(guò),。而厚度超過(guò)100nm的RGO薄膜對(duì)幾乎所有氣體,、液體和腐蝕性化學(xué)試劑(如HF)是高度不可滲透的。特殊的阻隔性能歸因于石墨烯層壓板的高度石墨化和在還原過(guò)程中幾乎沒(méi)有結(jié)構(gòu)損壞,。與此結(jié)果相反,,Liu等人29已經(jīng)證明了通過(guò)HI蒸氣和水輔助分層制備**式超薄rGO膜的簡(jiǎn)便且可重復(fù)的方法,,利用rGO膜的毛細(xì)管力和疏水性,通過(guò)水實(shí)現(xiàn)**終的分層,。采用真空抽濾在微孔濾膜基底上制備厚度低至20nm的**式rGO薄膜,。氧化石墨烯可以有效去除溶液中的金屬離子。

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氧化石墨烯(GO)是一種兩親性材料,,在生理?xiàng)l件中一般帶有負(fù)電荷,,通過(guò)對(duì)GO的修飾可以改變電荷的大小,甚至使其帶上正電荷,,如利用聚合物或樹(shù)枝狀大分子等聚陽(yáng)離子試劑,。在細(xì)胞中,GO可能會(huì)與疏水性的,、帶正電荷或帶負(fù)電荷的物質(zhì)進(jìn)行相互作用,,如細(xì)胞膜、蛋白質(zhì)和核酸等,,因此會(huì)誘導(dǎo)GO產(chǎn)生毒性,。因此在本節(jié)中,我們主要探討GO在細(xì)胞(即體外)和體內(nèi)試驗(yàn)中產(chǎn)生已知的毒性效應(yīng),,以及產(chǎn)生毒性的可能原因,。石墨烯材料的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)主要由三個(gè)參數(shù)決定:(a)層數(shù)、(b)橫向尺寸和(c)化學(xué)組成即碳氧比例),。修復(fù)石墨烯片層上的缺陷,,可以提高石墨烯微片的碳含量和在導(dǎo)電、導(dǎo)熱等方面的性能,。附近氧化石墨有哪些

石墨烯具有很好的電學(xué)性質(zhì),,但氧化石墨本身卻是絕緣體(或是半導(dǎo)體),。氧化石墨增強(qiáng)

RGO制備簡(jiǎn)單,、自身具有受還原程度調(diào)控的帶隙,可以實(shí)現(xiàn)超寬譜(從可見(jiàn)至太赫茲波段)探測(cè),。氧化石墨烯的還原程度對(duì)探測(cè)性能有***影響,,隨著氧化石墨烯還原程度的提高,探測(cè)器的響應(yīng)率可以提高若干倍以上,。因此,,在CVD石墨烯方案的基礎(chǔ)上,研究者開(kāi)始嘗試使用還原氧化石墨烯制備類(lèi)似結(jié)構(gòu)的光電探測(cè)器,。對(duì)于RGO-Si器件,,帶間光子躍遷以及界面處的表面電荷積累,是影響光響應(yīng)的重要因素[72],。2014年,,Cao等[73]將氧化石墨烯分散液滴涂在硅線(xiàn)陣列上,,而后通過(guò)熱處理對(duì)氧化石墨烯進(jìn)行熱還原,制得了硅納米線(xiàn)陣列(SiNW)-RGO異質(zhì)結(jié)的室溫超寬譜光探測(cè)器,。該探測(cè)器在室溫下,,***實(shí)現(xiàn)了從可見(jiàn)光(532nm)到太赫茲波(2.52THz,118.8mm)的超寬譜光探測(cè),。在所有波段中,,探測(cè)器對(duì)10.6mm的長(zhǎng)波紅外具有比較高的光響應(yīng)率可達(dá)9mA/W。氧化石墨增強(qiáng)