與傳統(tǒng)的切割方式相比，隨著激光技術(shù)的成熟,，使用激光對硅晶圓進行高效質(zhì)量切割已成為質(zhì)量選擇,。激光切割屬于非接觸式加工，可以避免對晶體硅表面造成損傷,，解決了金剛石鋸片引入外力對產(chǎn)品內(nèi)外部的沖擊破壞問題,，還免去了更換刀具和模具帶來的長期成本。隨著“工業(yè)4.0”和“中國制造2025”的***鋪開,，**智能制造越來越離不開高性能激光器的加持,。在這樣的宏觀背景下，為超通智能超快激光玻璃晶圓切割設(shè)備這樣的產(chǎn)品提供了廣闊的舞臺,，也將隨著其在各行各業(yè)的應(yīng)用而被認可,。無錫超通智能超快激光玻璃晶圓切割設(shè)備品質(zhì)保障。江蘇先進超快激光玻璃晶圓切割設(shè)備按需定制

主要性能參數(shù)產(chǎn)品型號CTI-GlassCut皮秒激光器激光器波長1064 nm激光器脈寬10 ps平均峰值功率50W切割頭切割焦深5 mm**小光斑1-2 um切割精度±20 um崩邊<5 um切割速度100mm/s (3mm白玻璃)工作平臺參數(shù)平臺形式XY直線電機基座高精度大理石平臺加工范圍400×400 mm（可定制）定位精度±3 um重復(fù)定位精度±2 um比較大速度1000 mm/sCCD工業(yè)相機600W鏡頭遠心鏡頭系統(tǒng)屬性支持文件格式DXF等常規(guī)CAD格式環(huán)境要求溫度：20-30℃,，濕度：<60%電力需求380V/50Hz/10KVA湖南自制超快激光玻璃晶圓切割設(shè)備訂制價格無錫超快激光玻璃晶圓切割設(shè)備的出廠價格,。

與YAG和CO2激光通過熱效應(yīng)來切割不同，紫外激光直接破壞被加工材料的化學(xué)鍵,，從而達到切割目的,，這是一個“冷”過程，熱影響區(qū)域小,。另外,，紫外激光的波長短、能量集中且切縫寬度小,，因此在精密切割和微加工領(lǐng)域具有***的應(yīng)用,，目前，激光劃片設(shè)備采用工業(yè)激光器,，波長主要有 1064nm,、532nm、355nm 三種,，脈寬為ns（納秒）,、ps（皮秒）和fs（飛秒）級,。理論上，激光波長越短脈寬越短,，加工熱效應(yīng)越小,，越有利于微細精密加工，但成本相對較高,。

相較于機械法,，透過激光劃線及切割晶圓的方法仍處于發(fā)展階段。隨著晶圓直徑加大,、激光器更為便宜且產(chǎn)能增長,，其生產(chǎn)優(yōu)勢也***提升。本文將探討激光切割晶圓的許多研究,，包含使用具有各種波長范圍輻射[8,9],、不同脈沖寬度（飛秒、皮秒至納秒[10-13]）與功率之激光,。惟上述加工皆未將切割厚度200μm以上的晶圓列入考慮,。已確知脈沖頻率愈高，切割速度愈快,，為材料內(nèi)部能量分布增加所致,。然每一發(fā)脈沖燒蝕深度的增加會引發(fā)如熔化、裂紋,、非晶化和殘余應(yīng)力積累等熱影響,。將晶圓分離為芯片時，這些熱影響導(dǎo)致芯片強度降低,，損壞表層薄膜與敏感的電子器件,。無錫超快激光玻璃晶圓切割設(shè)備的生產(chǎn)廠家。

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晶圓切割（即劃片）是芯片制造工藝流程中一道不可或缺的工序,，在晶圓制造中屬于后道工序。晶圓切割就是將做好芯片的整片晶圓按芯片大小分割成單一的芯片（晶粒）,。**早的晶圓是用切片系統(tǒng)進行切割（劃片）的,，這種方法以往占據(jù)了世界芯片切割市場的較大份額,，特別是在非集成電路晶圓切割領(lǐng)域,。鉆石鋸片（砂輪）切割方法是較為常見的晶圓切割方法。新型切割方式有采用激光進行無切割式加工的,。晶圓切割工藝流程主要包括：繃片,、切割、UV照射,。江蘇先進超快激光玻璃晶圓切割設(shè)備按需定制

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