鉭電容器：優(yōu)點(diǎn)：體積小,，電容大,，形狀多樣，壽命長(zhǎng),，可靠性高,，工作溫度范圍寬。缺點(diǎn)：容量小,，價(jià)格高,，耐電壓電流能力弱。應(yīng)用：通信,，航空航天,，工業(yè)控制，影視設(shè)備,，通信儀表1.它也是一種電解電容器,。鉭被用作介質(zhì)，不像普通的電解電容使用電解質(zhì),。鉭電容不需要像普通電解電容那樣用鍍鋁膜的電容紙繞制,，幾乎沒有電感，但這也限制了它的容量,。3354我們?cè)诖笕萘?，但是需要低ESL，所以選擇鉭電容器,。2.由于鉭電容器中沒有電解液,，所以非常適合在高溫下工作。3354需要一些溫度范圍比較寬的場(chǎng)景,。3.鉭電容器的工作介質(zhì)是在金屬鉭表面形成的一層非常薄的五氧化二鉭薄膜,。這層氧化膜。電介質(zhì)與電容器的一端集成在一起,，不能單獨(dú)存在,。所以單位體積的工作電場(chǎng)強(qiáng)度非常高，電容特別大,，也就是比容量非常高,，所以特別適合小型化。3354集成度比較高的場(chǎng)景,，鋁電解電容占用面積比較大,，陶瓷電容容量不足。MLCC即多層陶瓷電容器,，也可簡(jiǎn)稱為片式電容器,、積層電容,、疊層電容等，屬于陶瓷電容器的一種,。無(wú)錫電容價(jià)格

一般來(lái)說,，它是一個(gè)去耦電容,?；蛘邤?shù)字電路通斷時(shí)，對(duì)電源影響很大,，造成電源波動(dòng),，需要用電容去耦。通常,，容量是芯片開關(guān)頻率的倒數(shù),。如果頻率為1MHz，選擇1/1M,，即1uF,。你可以拿一個(gè)大一點(diǎn)的。比較好有芯片和去耦電容,，電源處應(yīng)該有,，用的量還是蠻大的。在一般設(shè)計(jì)中,，提到通常使用0.1uF和10uF,、2.2uF和47uF進(jìn)行電源去耦。在實(shí)際應(yīng)用中如何選擇它們,？根據(jù)不同的功率輸出或后續(xù)電路,？通常并聯(lián)兩個(gè)電容就夠了，但在某些電路中并聯(lián)更多的電容可能會(huì)更好,。不同電容值的電容器并聯(lián)可以在很寬的頻率范圍內(nèi)保證較低的交流阻抗,。在運(yùn)算放大器的電源抑制(PSR)能力下降的頻率范圍內(nèi)，電源旁路尤為重要,。電容可以補(bǔ)償放大器PSR的下降,。在很寬的頻率范圍內(nèi)，這種低阻路徑可以保證噪聲不進(jìn)入芯片,。徐州電容貼片電容的本質(zhì)：兩個(gè)相互靠近的導(dǎo)體,，中間夾一層不導(dǎo)電的絕緣介質(zhì)，這就構(gòu)成了電容器,。

當(dāng)負(fù)載頻率上升到電容器中流動(dòng)的交流電流的額定電流值時(shí),，即使負(fù)載電壓沒有達(dá)到額定交流電壓，也需要降低電容器的負(fù)載交流電壓,，以保證流經(jīng)電容器的電流不超過額定電流值,，即左圖曲線開始下降,；但是，負(fù)載頻率不斷上升,，電容器損耗因數(shù)引起的發(fā)熱成為電容器負(fù)載電壓的主要限制因素,，即負(fù)載電壓會(huì)隨著頻率的增加而急劇下降，即左中圖中曲線的急劇下降部分與負(fù)載交流電壓相反,。當(dāng)電容器加載的交流電流頻率較低時(shí),，即使電流沒有達(dá)到額定電流，電容器上的交流電壓也已經(jīng)達(dá)到其額定值,，即加載交流電流受到電容器額定電壓的限制,，加載交流電流隨著頻率的增加而增加。

鉭電容器成本高,?？纯次覀兊奶詫毦椭?00uF鉭電容和100uF陶瓷電容的價(jià)格差了。鉭電容的價(jià)格是陶瓷電容的10倍左右,。如果電容要求小于100uF,，大多數(shù)情況下，如果滿足耐壓,，我們通常需要陶瓷電容,。陶瓷電容器的封裝大于1206大容量或高耐壓時(shí)盡量慎重選擇。片式陶瓷電容器的主要失效形式是斷裂(封裝越大越容易失效):片式陶瓷電容器常見的失效形式是斷裂,，這是由片式陶瓷電容器本身介質(zhì)的脆性決定的,。由于片式陶瓷電容焊接直接在電路板上，直接承受來(lái)自電路板的各種機(jī)械應(yīng)力,，而鉛制陶瓷電容可以通過引腳吸收來(lái)自電路板的機(jī)械應(yīng)力,。因此，對(duì)于片式陶瓷電容器,，由于熱膨脹系數(shù)不同或電路板彎曲,，當(dāng)鋁電解電容在高溫或潮熱的環(huán)境中工作時(shí)，陽(yáng)極引出箔片可能會(huì)由于遭受電化學(xué)腐蝕而斷裂,。

鋁電解電容器的擊穿是由于陽(yáng)極氧化鋁介質(zhì)膜破裂,，導(dǎo)致電解液與陽(yáng)極直接接觸。氧化鋁膜可能由于各種材料,、工藝或環(huán)境條件而局部損壞,。在外加電場(chǎng)的作用下，工作電解液提供的氧離子可以在受損部位重新形成氧化膜,，從而對(duì)陽(yáng)極氧化膜進(jìn)行填充和修復(fù),。但如果受損部位有雜質(zhì)離子或其他缺陷，使填充修復(fù)工作不完善，陽(yáng)極氧化膜上會(huì)留下微孔,，甚至可能成為通孔,，使鋁電解電容器擊穿。陽(yáng)極氧化膜不夠致密牢固等工藝缺陷,，后續(xù)鉚接工藝不好時(shí),，引出箔上的毛刺刺破氧化膜，這些刺破的部位漏電流很大,，局部過熱導(dǎo)致電容產(chǎn)生熱擊穿,。鉭電容的性能優(yōu)異，是電容器中體積小而又能達(dá)到較大電容量的產(chǎn)品,。中國(guó)臺(tái)灣高壓貼片電容規(guī)格

想使電容容量大,，有三種方法： ①使用介電常數(shù)高的介質(zhì) ②增大極板間的面積 ③減小極板間的距離,。無(wú)錫電容價(jià)格

類陶瓷電容器類穩(wěn)定陶瓷介質(zhì)材料,，如美國(guó)電氣工程協(xié)會(huì)(EIA)標(biāo)準(zhǔn)的X7R、X5R和中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)的CT系列(溫度系數(shù)為15.0%),，不適用于定時(shí),、振蕩等溫度系數(shù)較高的場(chǎng)合。然而,，因?yàn)榻殡娤禂?shù)可以做得非常大(高達(dá)1200),，所以電容可以做得相對(duì)較大。一般1206貼片封裝的電容可以達(dá)到10F或者更高,；類可用的陶瓷介質(zhì)材料如美國(guó)電氣工程協(xié)會(huì)(EIA)標(biāo)準(zhǔn)的Z5U,、Y5V和中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)的CT系列低檔產(chǎn)品(溫度系數(shù)為22%、-56%的Z5U和22%,、-82%的Y5V),，這種介質(zhì)的介電系數(shù)隨溫度變化很大，不適用于定時(shí),、振蕩等高溫度系數(shù)的場(chǎng)合,。但由于其介電系數(shù)可以做得很大(可達(dá)1000~12000)，電容比可以做得更大,，適用于一般工作環(huán)境溫度要求(-25~85)的耦合,、旁路和濾波。一般1206表貼Z5U和Y5V介質(zhì)電容甚至可以達(dá)到100F,，從某種意義上說是取代鉭電容的有力競(jìng)爭(zhēng)者,。無(wú)錫電容價(jià)格