GaN →Gallium Nitride是第三代新型半導(dǎo)體材料,，具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高,、耐高溫,、抗輻射、耐酸堿,、強度和高硬度等特性,，在早期廣運用于新能源汽車、軌道交通,、智能電網(wǎng),、半導(dǎo)體照明、新一代移動通信,，被譽為第三代半導(dǎo)體材料,。隨著技術(shù)突破成本得到控制，目前氮化鎵還被廣運用到消費類電子等領(lǐng)域,，充電器便是其中一項,。簡單的說，氮化鎵擁有更寬的帶隙,，寬帶隙也意味著,，氮化鎵能比硅承受更高的電壓，擁有更好的導(dǎo)電能力,，相同體積下,，采用氮化鎵技術(shù)的充電器比普通充電器輸出效率更高。打個比方說,，采用氮化鎵材料做出來的充電頭,，體積和蘋果5W充電器差不多大小的情況下，能實現(xiàn)更多的輸出功率,。

氮化鎵是一種材料,，它與協(xié)議無關(guān)，目前行業(yè)發(fā)展快充趨勢是PD充電器,，所以大部分會應(yīng)用在PD充電器上,。采用氮化鎵MOS管的充電器，開關(guān)頻率可以提升,，產(chǎn)品體積比傳統(tǒng)的硅MOS管充電器可以減少30~60%（單口輸出）重量降低20~40%,。