可控硅,，又叫晶閘管，可控硅相當(dāng)于可以控制的二極管，當(dāng)控制極加一定的電壓時(shí),，陰極和陽極就導(dǎo)通了?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,，其有體積小、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸,、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件,。下面賢集網(wǎng)小編要具體為大家介紹一下可控硅的型號,、特性、分類,、使用規(guī)則,、用途、主要參數(shù),、可控硅的不同幾個(gè)極的判別方法,、雙向可控硅和單向可控硅的區(qū)別?？煽毓璧男吞?,、優(yōu)派克EUPECT系列可控硅、D系列二極管,、DxS系列快速二極管,；2、東芝TOSHIBASF系列可控硅,、SG系列GTO,；3、西門康SEMIKRONSKT系列可控硅,，SKN,、SKR系列二極管，SKNxF,、SKRxF系列快速二極管,；4、西碼WESTCODEN系列相控可控硅,、R系列快速可控硅,、SM系列快速二極管、SW系列普通二極管,；5,、美國IRST系列可控硅、SD系列二極管,；6,、意大利POSEICOAT系列相控可控硅；7,、瑞士ABB5STP可控硅,、5SDD二極管,、5SGA系列GTO、5SDF快速二極管,?？煽毓璧奶匦?、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號,。按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。北京進(jìn)口可控硅模塊供應(yīng)

圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),，N+區(qū)稱為源區(qū),，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū),，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏,、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector）,，它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用,，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP晶體管提供基極電流,，使IGBT導(dǎo)通。反之,，加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,，從P+基極注入到N一層的空穴（少子）,，對N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻,，使IGBT在高電壓時(shí),，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡單地說：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流,。其實(shí)現(xiàn)條件主要是依靠整流管,。北京進(jìn)口可控硅模塊供應(yīng)一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。

增加電力網(wǎng)的穩(wěn)定，然后由逆變器將直流高壓逆變?yōu)?0HZ三相交流,。直流——交流中頻加熱和交流電動(dòng)機(jī)的變頻調(diào)速,、串激調(diào)速等變頻，交流——頻率可變交流四,、斬波調(diào)壓（脈沖調(diào)壓）斬波調(diào)壓是直流——可變直流之間的變換,，用在城市電車、電氣機(jī)車,、電瓶搬運(yùn)車,、鏟車（叉車）、電氣汽車等,，高頻電源用于電火花加工,。五、無觸點(diǎn)功率靜態(tài)開關(guān)（固態(tài)開關(guān)）作為功率開關(guān)元件,，代替接觸器,、繼電器用于開關(guān)頻率很高的場合晶閘管導(dǎo)通條件：晶閘管加上正向陽極電壓后，門極加上適當(dāng)正向門極電壓,，使晶閘管導(dǎo)通過程稱為觸發(fā),。晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通后，門極就對它失去控制作用,，通常在門極上只要加上一個(gè)正向脈沖電壓即可,，稱為觸發(fā)電壓。門極在一定條件下可以觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通,，但無法使其關(guān)斷,。要使導(dǎo)通的晶閘管恢復(fù)阻斷，可降低陽極電壓,，或增大負(fù)載電阻,，使流過晶閘管的陽極電流減小至維持電流（IH）（當(dāng)門極斷開時(shí)，晶閘管從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持晶閘管導(dǎo)通所需的小陽極電流叫維持電流），電流會(huì)突然降到零,，之后再提高電壓或減小負(fù)載電阻,，電流不會(huì)再增大，說明晶閘管已恢復(fù)阻斷,。根據(jù)晶閘管陽極伏安特性,，可以總結(jié)出：1．門極斷開時(shí)。

措施：在三相變壓器次級星形中點(diǎn)與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容,，就可以明顯減小這種過電壓,。與整流器并聯(lián)的其它負(fù)載切斷時(shí)，因電源回路電感產(chǎn)生感應(yīng)電勢的過電壓,。變壓器空載且電源電壓過零時(shí),，初級拉閘，因變壓器激磁電流的突變,，在次級感生出很高的瞬時(shí)電壓,，這種電壓尖峰值可達(dá)工作電壓的6倍以上。交流電網(wǎng)遭雷擊或電網(wǎng)侵入干擾過電壓,，即偶發(fā)性浪涌電壓,，都必須加阻容吸收路進(jìn)行保護(hù)。3．直流側(cè)過電壓及保護(hù)當(dāng)負(fù)載斷開時(shí)或快熔斷時(shí),，儲(chǔ)存在變壓器中的磁場能量會(huì)產(chǎn)生過電壓,，顯然在交流側(cè)阻容吸收保護(hù)電路可以抑制這種過電壓，但由于變壓器過載時(shí)儲(chǔ)存的能量比空載時(shí)要大,，還不能完全消除,。措施：能常采用壓敏吸收進(jìn)行保護(hù)。4．過電流保護(hù)一般加快速熔斷器進(jìn)行保護(hù),，實(shí)際上它不能保護(hù)可控硅,，而是保護(hù)變壓器線圈。5．電壓,、電流上升率的限制4.均流與晶閘管選擇均流不好,，很容易燒壞元件。為了解決均流問題,，過去加均流電抗器,，噪聲很大，效果也不好,，一只一只進(jìn)行對比,，擰螺絲松緊，很盲目,，效果差,，噪音大,，耗能。我們采用的辦法是：用計(jì)算機(jī)程序軟件進(jìn)行動(dòng)態(tài)參數(shù)篩選匹配,、編號,，裝配時(shí)按其號碼順序裝配，很間單,。每一只元件上都刻有字,，以便下更換時(shí)參考?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多,。

現(xiàn)代照明設(shè)計(jì)要求規(guī)定,，照明系統(tǒng)率因數(shù)必須達(dá)到，而氣體放電燈的功率因數(shù)在一般在,，所以都設(shè)計(jì)用電容補(bǔ)償功率因數(shù)）在國外發(fā)達(dá)國家,，已有明文規(guī)定對電氣設(shè)備諧波含量的限制,，在國內(nèi),，北京、上海,、廣州等大城市,，已對諧波含量超標(biāo)的設(shè)備限制并入電網(wǎng)使用。采用可控硅技術(shù)對照明系統(tǒng)進(jìn)行照度控制時(shí),，可通過加裝濾波設(shè)備來有效降低諧波污染,。近年來，許多新型可控硅元件相繼問世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等,。應(yīng)用介紹------可控硅在調(diào)光器中的應(yīng)用：可控硅調(diào)光器是目前舞臺(tái)照明、環(huán)境照明領(lǐng)域的主流設(shè)備,。在照明系統(tǒng)中使用的各種調(diào)光器實(shí)質(zhì)上就是一個(gè)交流調(diào)壓器,，老式的變壓器和變阻器調(diào)光是采用調(diào)節(jié)電壓或電流的幅度來實(shí)現(xiàn)的，如下圖所示,。u1是未經(jīng)調(diào)壓的220V交流電的波形,，經(jīng)調(diào)壓后的電壓波形為u2，由于其幅度小于u1,，使燈光變暗,。在這種調(diào)光模式中,，雖然改變了正弦交流電的幅值，但并未改變其正弦波形的本質(zhì),。與變壓器,、電阻器相比，可控硅調(diào)光器有著完全不同的調(diào)光機(jī)理,，它是采用相位控制方法來實(shí)現(xiàn)調(diào)壓或調(diào)光的,。對于普通反向阻斷型可控硅。按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,。北京進(jìn)口可控硅模塊供應(yīng)

可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。北京進(jìn)口可控硅模塊供應(yīng)

并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與非絕緣,。組合成：“BTA”,、“BTB”系列的雙向可控硅型號，如：四象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C,、BTA12-600B,、BTA16-600B、BTA41-600B等等,；四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C,、BTB12-600B、BTB16-600B,、BTB41-600B等等,；ST公司所有產(chǎn)品型號的后綴字母(型號一個(gè)字母)帶“W”的，均為“三象限雙向可控硅”,。如“BW”,、“CW”、“SW”,、“TW”,；型號如:BTB12-600BW、BTA26-700CW,、BTA08-600SW,、、,、,、等等。至于型號后綴字母的觸發(fā)電流,，各個(gè)廠家的含義如下：PHILIPS公司：D=5mA,，E=10mA，C=15mA,，F(xiàn)=25mA,，G=50mA,，R=200uA或5mA，型號沒有后綴字母之觸發(fā)電流,，通常為25-35mA,；PHILIPS公司的觸發(fā)電流字母沒有統(tǒng)一的定義，以產(chǎn)品的封裝不同而不同,。意法ST公司：TW=5mA,，SW=10mA，CW=35mA,，BW=50mA,，C=25mA，B=50mA,，H=15mA,，T=15mA，注意：以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始誤差范圍,，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說明一般分為最小值/典型值/最大值,，而非“=”一個(gè)參數(shù)值。北京進(jìn)口可控硅模塊供應(yīng)